【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及高温、无线测量设备，且更具体地涉及当该设备暴露于高温超过延长 的时间段时保持该设备的组件安全的方法。
技术介绍
集成电路、显示器或磁盘存储器的制造通常采用很多处理步骤。必须仔细监测每一处理步骤，从而提供可工作的设备。在整个成像处理、沉积与生长处理、蚀刻与掩模处理等中，关键的是，例如，在每一个步骤过程中仔细控制温度、气流、真空压力、化学气体或等离子体组分、及曝露距离。仔细注意每一个步骤中所涉及的各种处理条件是最优的半导体或薄膜工艺的要求。与最优处理条件的任何偏差可导致使随后的集成电路或设备以低于标准的等级工作，或更差地，完全失效。在处理腔室中，处理条件不同。诸如温度、气体流速、和/或气体组分之类的处理条件中的变化极大地影响集成电路的形成以及因此造成的性能。使用具有与集成电路或其它设备相同或类似材料的类似衬底的设备来测量处理条件提供了对条件的最准确的测量，因为该衬底的热导率与将要处理的实际电路是一样的。对于实际上所有处理条件而言，在整个腔室中存在梯度及变化。因此，这些梯度也存在于整个衬底表面上。为了准确地控制在衬底处的处理条件，重要的是在衬底上进行测量...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.12.18 US 61/274,116;2010.01.20 US 12/690,8821.一种热绝缘电子组件封装，包括薄电子组件；热绝缘外壳；以及由热绝缘材料制成的且尺寸和形状被制成可装配在该外壳中的插入件，其中所述插入件包括尺寸和大小被制成可容纳所述薄电子组件的内部腔体。2.如权利要求I所述的热绝缘电子组件封装，其特征在于，所述薄电子组件包括电池。3.如权利要求I所述的热绝缘电子组件封装，其特征在于，所述热绝缘外壳由ー种或多种高热容材料制成。4.如权利要求3所述的热绝缘电子组件封装，其特征在于，所述高热容材料包括不锈钢、奥氏体镍铬基超耐热合金、镍钴铁合金、或陶瓷材料。5.如权利要求I所述的热绝缘电子组件封装，其特征在于，所述外壳由低热导率材料制成。6.如权利要求I所述的热绝缘电子组件封装，其特征在于，所述外壳由低发射率及高热容材料制成。7.如权利要求I所述的热绝缘电子组件封装，其特征在于，所述外壳由不锈钢、奥氏体镍铬基超耐热合金、镍钴铁合金、或陶瓷材料制成。8.如权利要求7所述的热绝缘电子组件封装，其特征在于，所述壳的壁的厚度为约10到15密耳。9.如权利要求I所述的热绝缘电子组件封装，其特征在于，所述外壳的内和外表面被涂覆有包含地发射率材料的薄膜。10.如权利要求9所述的热绝缘电子组件封装，其特征在于，所述低发射率材料是金。11.如权利要求I所述的热绝缘电子组件封装，其特征在于，还包括被设置为将所述外壳安装至衬底的ー个或多个结构。12.如权利要求11所述的热绝缘电子组件封装，其特征在于，一个或多个所述结构包括被设置成可装配至所述外壳的侧中的一个或多个对应孔中的一个或多个销。13.如权利要求I所述的热绝缘电子组件封装，其特征在于，所述外壳的总厚度为约5到6mm或更少。14.如权利要求I所述的热绝缘电子组件封装，其特征在于，所述壳被抽空且被密封的。15.如权利要求I所述的热绝缘电子组件封装，其特征在于，还包括大小和形状被制成覆盖所述电子组件并封闭所述内部腔体的覆盖件。16.如权利要求15所述的热绝缘电子组件封装，其特征在于，所述覆盖件由与所述插入件一祥的材料制成。17.如权利要求I所述的热绝缘电...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·孙，P·尚帕涅，
申请(专利权)人：克拉坦科股份有限公司，
类型：
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。