【技术实现步骤摘要】
用于偏置轨对轨DMOS放大器输出级的方法和装置相关申请本申请按照35U. S. C. § 119要求提交于2011年6月17日的美国临时专利申请No. 61/498,330的优先权,通过引用将其完整结合在此。
技术介绍
便携电子装置越来越多地使用5V或更低的单个供电电压,并且较低的供电电压的设计需要使用全电源跨度或轨对轨电源,以便具有可用动态范围。图IA示出了现有技术的轨对轨(rail to rail)输出DMOS放大器的图。如图所示,放大器100是多级放大器,其高增益级之后是输出驱动级。输入级101接收输入信号inputp和inputn,并且提供输出信号al和ndrive。高增益级包括高侧电流镜102、输出偏置电路103和低侧电流源104。输 出驱动器级包括高侧PMOS驱动器105和低侧PMOS驱动器106。输出偏置电路103从低侧电流源104和高侧电流镜102接收输入电流。响应于输入电流,输出偏置块103设置高侧驱动器105的偏置电压pdrive和低侧驱动器106的偏置电压ndrive。高侧电流镜102包括高侧电流镜1021和1022,它们分别从输出偏置电路103接收bl和pdrive,并且被耦连到功率轨VDD。低侧电流源104包括低侧电流源1041和1042,它们分别从输入级101接收al和ndrive,并且被耦连到功率轨VSS。高侧PMOS驱动器105的栅极被以pdrive控制,并且其源极被I禹连到VDD。低侧PMOS驱动器106的栅极被以ndrive控制,并且其源极被耦连到VSS。放大器的输出107取自驱动器105和106的漏极的连接处。如图IB所示, ...
【技术保护点】
一种放大器,包括:高增益级,所述高增益级具有用于进入信号的输入,以及用于响应于进入信号而产生的驱动信号的输出,所述驱动信号被提供给输出驱动器级;和耦连到所述高增益级的所述输出驱动器级,包括:第一驱动器电路,所述第一驱动器电路具有从所述高增益级接收第一驱动信号的第一端子、通过第一电压降耦连到第一功率轨的第二端子、以及耦连到所述放大器的输出端子的第三端子。
【技术特征摘要】
2011.06.17 US 61/498,330;2011.09.20 US 13/236,9501.ー种放大器,包括 高增益级,所述高增益级具有用于进入信号的输入,以及用于响应于进入信号而产生的驱动信号的输出,所述驱动信号被提供给输出驱动器级;和 耦连到所述高增益级的所述输出驱动器级,包括第一驱动器电路,所述第一驱动器电路具有从所述高増益级接收第一驱动信号的第一端子、通过第一电压降耦连到第一功率轨的第二端子、以及耦连到所述放大器的输出端子的第三端子。2.如权利要求I所述的放大器,其中所述第一驱动器电路是晶体管。3.如权利要求2所述的放大器,其中所述第一功率轨是VDD,并且所述第一驱动器电路是P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS。4.如权利要求2所述的放大器,其中所述第一功率轨是VDD,并且所述第一驱动器电路是P沟道双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管DMOS。5.如权利要求I所述的放大器,其中以从ニ极管、npn晶体管、pnp晶体管、ニ极管接法的η沟道金属氧化物半导体场效应晶体管NMOS和ニ极管接法的PMOS组成的组中选择的器件提供所述第一电压降。6.如权利要求I所述的放大器,还包括第二驱动器电路,所述第二驱动器电路具有从所述高增益级接收第二驱动信号的第一端子、通过第二电压降耦连到第二功率轨的第二端子、以及耦连到所述放大器的输出端子的第三端子。7.如权利要求6所述的放大器,其中所述第二驱动器电路是晶体管。8.如权利要求7所述的放大器,其中所述第二功率轨是VSS,并且所述第二驱动器电路是NMOS。9.如权利要求7所述的放大器,其中所述第二功率轨是VSS,并且所述第二驱动器电路是η沟道DMOS。10.如权利要求6所述的放大器,其中以从ニ极管、npn晶体管、pnp晶体管、ニ极管接法的NMOS和ニ极管接法的PMOS组成的组中选择的器件提供所述第二电压降。11.如权利要求4所述的放大器,还包括耦连到所述第一功率轨的第一感测电路,所述第一感测电路接收所述第一驱动信号,并且检测放大器输出信号是否被驱动为接近所述第一功率轨。12.如权利要求11所述的放大器,还包括耦连所述第一感测电路的输出的第一侧辅助驱动器,并且所述第一侧辅助驱动器被激活以便将所述放大器的输出端子连接到所述第一功率轨。13.如权利要求12所述的放大器,其中所述第一感测电路包括MOSFET源极跟随器。14.如权利要求11所述的放大器,还包括耦连到所述第二功率轨、接收所述第二驱动信号、并且检测放大器输出信号是否被驱动为接近所述第二功率轨的第二感测电路。15.如权利要求14所述的放大器,还包括耦连到所述第二感测电路的输出的第二侧辅助驱动器,并且所述第二侧辅助驱动器被激活以便将所述放大器的输出端子连接到所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·卡哈兰,
申请(专利权)人:美国亚德诺半导体公司,
类型:发明
国别省市:
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