一种频率补偿的线性稳压器制造技术

本发明专利技术揭示了一种频率补偿的线性稳压器，其基本结构包括带隙基准电路、误差放大器、PMOS调整管PT及反馈分压电阻R1、R2。特别地，该线性稳压器设有频率补偿组件，该频率补偿组件包括跟随器、片外电容和RC串联电路，其中跟随器接设于误差放大器的输出与PMOS调整管PT的栅极之间，该RC串联电路设于线性稳压器输入端的正极与跟随器的输入之间，该片外电容并联设于线性稳压器输出端。本发明专利技术技术方案的应用，由于线性稳压器的电路改进基于PMOS工艺实现电路元器件的添加，并且片外电容可采用低成本、高容值的陶瓷电容，在低成本下实现了提升线性稳压器运行的稳定性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路设计，尤其涉及一种线性稳压器的稳定性提升的电路结构改良，使其具备频率补偿的性能。
技术介绍
最开始在设计线性稳压器(简称LD0)时，其调整管的设计采用的是NPN及PNP管子，但这种设计的弊端就是脱落电压大以及功耗高。因此如果在便携电子产品中使用这种设计，就大大缩短了电子产品的供电周期，要改善这种情况就要在结构上对其设计进行改良。通过不断的努力与反复的验证，对LDO的调整管子使用MOS结构就可以延长供电时间，比如对功率调整管采用 BiCMOS (Bipolar 及 CMOS)、BCDMOS (Bipolar、CMOS 及 DMOS)、CMOS、NMOS或者是PMOS结构，目前国内外大部分生产商都采用的是CMOS工艺。由于MOS自身低静态电流的特性使其具有低功耗及低压差的特点。以上优势使这种结构在所应用的电子领 域成为了一个巨大的突破，也使电子产品的使用更加的省电，供电周期得以延长，很好的迎合了使用者的需求。LDO的应用范围很广，然后，现在的LDO仍然存在很多技术指标上的不足，例如Dropout电压比较大,静态电流比较大,转换效率低,输出电流较小等,为了弥补这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种频率补偿的线性稳压器，所述稳压器的基本结构包括带隙基准电路、误差放大器、PMOS调整管PT及反馈分压电阻R1、R2，其特征在于：所述线性稳压器设有频率补偿组件，所述频率补偿组件包括跟随器、片外电容和RC串联电路，其中跟随器接设于误差放大器的输出与PMOS调整管PT的栅极之间，所述RC串联电路设于线性稳压器输入端的正极与跟随器的输入之间，所述片外电容并联设于线性稳压器输出端。

【技术特征摘要】
1.一种频率补偿的线性稳压器，所述稳压器的基本结构包括带隙基准电路、误差放大器、PMOS调整管PT及反馈分压电阻Rl、R2，其特征在于所述线性稳压器设有频率补偿组件，所述频率补偿组件包括跟随器、片外电容和RC串联电路，其中跟随器接设于误差放大器的输出与PMOS调整管PT的栅极之间，所述RC串联电路设于线性稳压器输入端的正极与跟随器的输入之间，所述片外电容并联...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞白军，郭建军，陈克恭，
申请(专利权)人：江苏国石半导体有限公司，
类型：发明
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