一种欠压锁定电路制造技术

一种欠压锁定电路，属于电子技术领域。包括第一电阻（R1）、第二电阻（R2）和第一NMOS管（M1）、第二NMOS管（M2）、第三NMOS管（M3）以及反相器（INV1）；R1和R2串联后的一端接芯片内部电源电压，另一端接M1的漏极，R1和R2的串联点接M1的栅极；M1的源极接M2和M3的漏极；M2的栅极接M1的漏极并接INV1的输入端；M3的栅极接INV1的输出端，INV1的输出端作为所述欠压锁定电路的输出端；M2和M3的源极接芯片地。本发明专利技术具有结构简单、功耗较小，节约芯片面积以及CMOS兼容性好等优点，同时具有滞回特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子
，涉及集成电路设计技术，具体涉及一种欠压锁定电路。
技术介绍
电源管理类芯片的目地是为应用系统提供稳定可靠的电源供应，任何的供电不稳定的现象都可能对应用系统造成严重影响。尤其在电源管理芯片的启动过程中，最容易出现供电不稳定的现象，原因在于，电源管理芯片启动过程中，外部电源通过芯片输入端对芯片输入端的电容进行充电，使芯片电源稳定上升，当升至其开启电压时芯片开始工作，电源芯片的内部电路或者负载从充电电容抽取电流，可能将芯片的电源电压拉至开启电压以下，导致芯片出现误动作现象。为了保证电源芯片顺利启动并稳定工作，需要欠压锁定电路检测芯片的供电电源，在电源足以驱动芯片稳定工作之前锁定芯片的内部控制信号，使其 不动作。现有的欠压锁定电路一般将采样的芯片电源电压与基准电压通过比较器进行比较来判断是否欠压，此方法的缺点是需要实现基准电路和比较器电路，电路结构复杂，功耗较大。为了简化电路，人们提出了多种结构但大多采用了双极型晶体管，与CMOS工艺的兼容性不佳。
技术实现思路
本专利技术提供一种欠压锁定电路，具有电路结构简单、功耗较低、易于集成的特点。本专利技术的技术方案为一种欠本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种欠压锁定电路，包括：第一电阻（R1）、第二电阻（R2）和第一NMOS管（M1）、第二NMOS管（M2）、第三NMOS管（M3）以及反相器（INV1）；第一电阻（R1）和第二电阻（R2）串联后的一端接芯片内部电源电压（VDD），另一端接第一NMOS管（M1）的漏极第一电阻（R1）和第二电阻（R2）的串联点（A）接第一NMOS管（M1）的栅极；第一NMOS管（M1）的源极接第二NMOS管（M2）和第三NMOS管（M3）的漏极；第二NMOS管（M2）的栅极接第一NMOS管（M1）的漏极并接反相器（INV1）的输入端；第三NMOS管（M3）的栅极接反相器（INV1）的输出端，反相器（INV1）的输...

【技术特征摘要】
1.一种欠压锁定电路，包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和第一 NMOS管(Ml)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)以及反相器(INVl);第一电阻(Rl)和第二电阻(R2)串联后的一端接芯片内部电源电压(VDD)，另一端接第一 NMOS管(Ml)的漏极第一电阻(Rl)和第二电阻(R2)的串联点(A)接第一 NMOS管(Ml)的栅极；第一 NMOS管(Ml)的源极接第二NMOS管(M2)和第三NMOS管(M3)的漏极；第二 NMOS管(M2)的栅极接第一 NMOS管(Ml)的漏极并接反相器(INVl)的输入端；第三NMOS管(...

【专利技术属性】
技术研发人员：周泽坤，刘德尚，代高强，石跃，明鑫，王卓，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：