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一种欠压锁定电路，属于电子技术领域。包括第一电阻（R1）、第二电阻（R2）和第一NMOS管（M1）、第二NMOS管（M2）、第三NMOS管（M3）以及反相器（INV1）；R1和R2串联后的一端接芯片内部电源电压，另一端接M1的漏极，R1和R...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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