本实用新型专利技术涉及半导体加工领域，尤其涉及一种晶圆吸附装置，包括机械臂，所述机械臂的前端设有三个分别与负压源连接的真空吸口，所述三个真空吸口设于同一水平面上。本实用新型专利技术提供的晶圆吸附装置，通过设置位于同一水平面上的三个分别与负压源连接的真空吸口，增加对晶圆的固定点位，确保晶圆能够被牢固吸附，从而防止晶圆脱落导致的不良或报废，提高产品的良率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体加工领域，尤其涉及一种晶圆吸附装置。
技术介绍
在超大规模集成电路中经常采用CVD (化学气相沉积,英文全称Chemical VaporDeposition)方法进行晶圆表面成膜处理，即把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜。在该过程中，所述晶圆通过SMIF (标准机械接口，英文全称standard mechanical interface)通道进入所述CVD装置，然后经由晶圆吸附装置吸附后传送进入缓冲室，最终进入反应室。目前，在上述过程中采用的晶圆吸附装置如图I所示，通常为在机械臂I的前端安装一个真空吸口 2来吸附晶圆3的背面，但由于晶圆3背面表面光滑，或者晶圆3背面有稍·微的不水平，导致真空吸口 2吸附过程中造成晶圆3脱落而报废。因此，如何提供一种能够解防止晶圆脱落的晶圆吸附装置是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种晶圆吸附装置，以解决现有的晶圆吸附装置在吸附过程中晶圆易脱落的问题。为解决上述技术问题，本技术提供一种晶圆吸附装置，包括机械臂，所述机械臂的前端设有三个分别与负压源连接的真空吸口，所述三个真空吸口设于同一水平面上。较佳地，在上述的晶圆吸附装置中，所述三个真空吸口呈三角形排列。较佳地，在上述的晶圆吸附装置中，所述三个真空吸口呈正三角形排列。较佳地，在上述的晶圆吸附装置中，所述三个真空吸口通过同一个通气管路与所述负压源连接。较佳地，在上述的晶圆吸附装置中，所述三个真空吸口通过各自的独立通气管路与所述负压源连接。本技术提供的晶圆吸附装置，通过设置位于同一水平面上的三个分别与负压源连接的真空吸口，增加对晶圆的固定点位，确保晶圆能够被牢固吸附，从而防止晶圆脱落导致的不良或报废，提闻广品的良率。附图说明图I为现有晶圆吸附装置的结构不意图；图2为本技术一实施例的晶圆吸附装置的结构示意图。图中I-机械臂、2-真空吸口、3-晶圆、10-机械臂、20-真空吸口、30-晶圆、40-通气管路。具体实施方式以下将对本技术的晶圆吸附装置结构作进一步的详细描述。下面将参照附图对本技术进行更详细的描述，其中表示了本技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本技术而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须作出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。为使本技术的目的、特征更明显易懂，以下结合附图对本技术的具体实施方式作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。如图2所示，图2所示为本技术一实施例的晶圆吸附装置的结构示意图，由图2可见，本技术提供的晶圆吸附装置，包括机械臂10，所述机械臂10的前端设有三个分别与负压源(图中未示出)连接的真空吸口 20，所述三个真空吸口 20设于同一水平面上。通过增加所述真空吸口 20的个数，增加所述晶圆30的固定点位，从而防止所述晶圆30脱落。较佳地，在本实施例的晶圆吸附装置中，请参考图2，所述三个真空吸口 20呈三角形排列。由于三角形的稳定性，当所述三个真空吸口 20呈三角形排列时比呈直线排列时的效果更好，而当所述三个真空吸口 20呈正三角形排列时固定所述晶圆30的效果最佳。较佳地，在本实施例的晶圆吸附装置中，请参考图3，本实施例中所述三个真空吸口 20通过同一个通气管路40与所述负压源(图中未示出)连接，当然，所述三个真空吸口20也可以分别通过各自的独立通气管路与所述负压源连接。具体地，根据所述负压源气压大小及晶圆30的重量而定。综上所述，在本实施例的晶圆吸附装置中，本技术提供的晶圆吸附装置，通过设置三个分别与负压源连接的真空吸口 20，增加对晶圆30的固定点位，确保晶圆30能够被牢固吸附，从而防止晶圆30脱落导致的不良或报废，提高产品的良率。显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。权利要求1.一种晶圆吸附装置，包括机械臂，其特征在于，所述机械臂的前端设有三个分别与负压源连接的真空吸口，所述三个真空吸口设于同一水平面上。2.如权利要求I所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述三个真空吸口呈三角形排列。3.如权利要求2所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述三个真空吸口呈正三角形排列。4.如权利要求I所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述三个真空吸口通过同一个通气管路与所述负压源连接。5.如权利要求I所述的晶圆吸附装置，其特征在于，所述三个真空吸口通过各自的独立通气管路与所述负压源连接。专利摘要本技术涉及半导体加工领域，尤其涉及一种晶圆吸附装置，包括机械臂，所述机械臂的前端设有三个分别与负压源连接的真空吸口，所述三个真空吸口设于同一水平面上。本技术提供的晶圆吸附装置，通过设置位于同一水平面上的三个分别与负压源连接的真空吸口，增加对晶圆的固定点位，确保晶圆能够被牢固吸附，从而防止晶圆脱落导致的不良或报废，提高产品的良率。文档编号H01L21/683GK202601598SQ20122015790公开日2012年12月12日 申请日期2012年4月13日 优先权日2012年4月13日专利技术者刘庆阳, 吴军海, 严奇, 王闯, 杨堤 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶圆吸附装置，包括机械臂，其特征在于，所述机械臂的前端设有三个分别与负压源连接的真空吸口，所述三个真空吸口设于同一水平面上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘庆阳，吴军海，严奇，王闯，杨堤，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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