一种加热带的新型设计方法技术

本发明专利技术提供一种防止加热带停止加热的设计方法，将两组加热带并联使用并套在管路外围。本发明专利技术可以避免断电情况下或者信号丢失的情况下加热带停止工作而导致温度异常。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体生产工艺
，尤其涉及半导体生产流程中的沉积流程。
技术介绍
在半导体和IXD器件的生产中，为了在工件整体上获得良好性能和可行部件，薄膜均匀性(即整个膜厚度基本不变)是重要标准。基座是一个机械部件，其将基片固定在用于在诸如化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或物理气象沉积(PVD)的制造步骤的处理室中。基座包括固定在芯柱上的基片固定板以及用于在处理室内升高和降低基片的升降组件。加热基片固定板以利于制造工艺。一般，加热元件设置在固 定板内。由CVD方法沉积的大多数膜用源材料在处理室中沉积，在该处理室中输入几种能量(例如等离子体、热、微波)类型的至少一种以促进沉积工艺。当然，源材料取决于要沉积层的种类，例如，其可以包括诸如SiH4、H2、N2、NH3、PH3、CH4、Si2H6和02的气态材料，和或可以包括金属离子和像TEOS的有机硅酸盐组分的液体源材料。膜在他们沉积时对温度条件极其敏感，尤其是用有机硅酸液体源沉积的尤其如此，因为有机硅酸液体源的蒸汽压高度依赖于温度。因此，当在诸如用于平板工业中的玻璃板的大表面积基片上沉积薄膜时，温度控制是获得膜一致性的关键因素。LP TEOS的TEOS液体在进入管路之前，需要有加热带保持管路之内是高温，确认是TEOS气体进入。如图I所示，目前常用的设计是仅采用一段加热带1，如果因为某些原因而造成电源中断时，会导致加热带停止加热，造成TEOS气体又会冷却至液体而进入管路，导致厚度异常。为了解决上述问题，很有必要提供一种改进的加热带设计方法。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的是提供一种防止加热带停止加热的设计方法。本专利技术的目的通过提供以下技术方案实现一种控制管路温度的加热带设计方法，其特征在于将两组加热带并联使用并套在管路外围。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是本专利技术加热带采用并联的方式可避免断电情况下或者信号丢失的情况下加热带停止工作而导致温度异常。附图说明下面结合附图对本专利技术作进一步说明图I是目前常用的加热带设计方法。图2是本专利技术的加热带设计方法。具体实施方式以下参照附图用优选实施方式来说明本专利技术的实现过程和本质内容所在。参图2所示，本专利技术的控制管路温度的加热带设计方法为在相同长度的情况下，采取两组加热带1，2，并联使用并套在管路外围，如果当某一段I或2异常的时候，其余段还可以正常使用，这种方式可避免断电情况下或者信号丢失的情况下加热带停止工作而导致管路内温度异常。尽管为示例目的，已经公开了本专利技术的优选实施方式，但是本领域的普通技术人员将意识到，在不脱离由所附的权利要求书公开的本专利技术的范围和精神的情况下，各种改进、增加以及取代是可能的。·权利要求1.一种控制管路温度的加热带设计方法，其特征在于将两组加热带并联使用并套在管路外围。全文摘要本专利技术提供一种防止加热带停止加热的设计方法，将两组加热带并联使用并套在管路外围。本专利技术可以避免断电情况下或者信号丢失的情况下加热带停止工作而导致温度异常。文档编号H05B3/02GK102811504SQ20111014360公开日2012年12月5日 申请日期2011年5月31日 优先权日2011年5月31日专利技术者马小焰 申请人:无锡华润上华半导体有限公司, 无锡华润上华科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制管路温度的加热带设计方法，其特征在于：将两组加热带并联使用并套在管路外围。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马小焰，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：