单基岛埋入型多圈多芯片倒装正装无源器件封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种单基岛埋入型多圈多芯片倒装正装无源器件封装结构，所述结构包括基岛（1）、引脚（2）、第一芯片（4）和第二芯片（6），所述第一芯片倒装于基岛正面和引脚正面，所述第二芯片设置于第一芯片上，所述第二芯片正面与引脚正面之间用金属线（7）相连接，所述基岛、引脚、第一芯片、第二芯片和金属线外均包封有塑封料（8），所述引脚背面的塑封料上开设有小孔（9），所述小孔内设置有金属球（11），所述引脚与引脚之间跨接有无源器件（12），所述引脚有多圈。本实用新型专利技术的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种单基岛埋入型多圈多芯片倒装正装无源器件封装结构。属于半导体封装

技术介绍
传统的高密度基板封装结构的制造工艺流程如下所示步骤一、参见图3，取一玻璃纤维材料制成的基板，步骤二、参见图4，在玻璃纤维基板上所需的位置上开孔，步骤三、参见图5，在玻璃纤维基板的背面披覆一层铜箔， 步骤四、参见图6，在玻璃纤维基板打孔的位置填入导电物质，步骤五、参见图7，在玻璃纤维基板的正面披覆一层铜箔，步骤六、参见图8，在玻璃纤维基板表面披覆光阻膜，步骤七、参见图9，将光阻膜在需要的位置进行曝光显影开窗，步骤八、参见图10，将完成开窗的部分进行蚀刻，步骤九、参见图11，将基板表面的光阻膜剥除，步骤十、参见图12，在铜箔线路层的表面进行防焊漆(俗称绿漆)的披覆，步骤十一、参见图13，在防焊漆需要进行后工序的装片以及打线键合的区域进行开窗，步骤十二、参见图14，在步骤十一进行开窗的区域进行电镀，相对形成基岛和引脚，步骤十三、完成后续的装片、打线、包封、切割等相关工序。上述传统高密度基板封装结构存在以下不足和缺陷I、多了一层的玻璃纤维材料，同样的也多了一层玻璃纤维的成本；2、因为必须要用到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单基岛埋入型多圈多芯片倒装正装无源器件封装结构，其特征在于它包括基岛（1）、引脚（2）、第一芯片（4）和第二芯片（6），所述第一芯片（4）倒装于基岛（1）正面和引脚（2）正面，所述第一芯片（4）底部与基岛（1）和引脚（2）正面之间设置有底部填充胶（3），所述第二芯片（6）通过导电或不导电粘结物质（5）设置于第一芯片（4）上，所述第二芯片（6）正面与引脚（2）正面之间用金属线（7）相连接，所述基岛（1）外围的区域、基岛（1）和引脚（2）之间的区域、引脚（2）与引脚（2）之间的区域、基岛（1）和引脚（2）上部的区域、基岛（1）和引脚（2）下部的区域以及第一芯片（4）、第二芯片（6）和金属线（7...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王新潮，李维平，梁志忠，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：