本发明专利技术提供一种阵列基板十字线修复方法、阵列基板和液晶显示器，涉及液晶显示屏的制备工艺领域，以解决现有技术中存在的，阵列基板上的数据线和栅极线因短路所产生的十字线，导致阵列基板报废的问题，该方法分别在短路的数据线两边，切断短路的栅极线，切断第一第二薄膜晶体管源极与数据线的连接，第一第二薄膜晶体管分别位于短路数据线两边，且各自栅极与栅极线的电连接点，位于栅极线的两个切断点两侧，将第一第二薄膜晶体管的栅极分别和各自的漏极电连接，将与两个漏极电连接的像素电极进行电连接，由于当发生不良后首先用切断栅极线和数据线短路位置，然后再根据像素电极构造出新的通路导通栅极线，实现十字线修复。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示屏的制备工艺领域，特别涉及一种阵列基板十字线修复方法、阵列基板和液晶显示器。
技术介绍
薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)通常是指用半导体薄膜材料制成的绝缘栅场效应晶体管。这种器件通常由半导体薄膜和与其一侧表面相接触的绝缘层组成，具有栅电极，源电极和漏电极。TFT被设置在阵列Array基板上,Array基板如图I所示,包括一作为基材的支撑基板21，基板21上设置有的导电性栅极26、源极22和漏极23、电绝缘栅极介电层25和半导电层24组成，电绝缘栅极介电层25将栅极26，与源极22和漏极23分害I]，半导电层24与电绝缘栅极介电层26接触，并与源极22和漏极23相连通，源极22和漏 极23上设有保护层27，保护层27上设有像素电极28，漏极23通过过孔与像素电极28电连接。TFT液晶显示器Array基板在生产过程种由于设备或者环境的影响会发生镀膜或者刻蚀不良，导致数据Data线路和栅极Gate线路交叉的地方短路，然后产生十字线不良，造成该产品报废从而影响了成品的良率和成本。由此可见现有技术中存在如下问题阵列基板上的数据线和栅极线因短路所产生的十字线，会导致阵列基板报废的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术中存在的，阵列基板上的数据线和栅极线因短路所产生的十字线，会导致阵列基板报废的问题，提供一种阵列基板十字线修复方法、阵列基板和液晶显不器。本专利技术实施例提供一种阵列基板十字线修复方法，用于修复阵列基板上的数据线和栅极线因短路所产生的十字线，基板上的数据线和栅极线，分别和阵列基板上的薄膜晶体管的源极和栅极电连接，薄膜晶体管的漏极和像素电极电连接，包括分别在短路的数据线两边，切断短路的栅极线；切断第一薄膜晶体管源极与数据线的电连接，以及第二薄膜晶体管源极与数据线的电连接，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别位于短路的数据线的两边，且各自栅极与短路的栅极线的电连接点，位于栅极线的两个切断点两侧；将第一薄膜晶体管的栅极和第一薄膜晶体管的漏极电连接，第二薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的漏极电连接，将与第一薄膜晶体管漏极电连接的像素电极，电连接到与第二薄膜晶体管漏极电连接的像素电极。进一步，第一薄膜晶体管和/或第二薄膜晶体管，为紧邻短路数据线的薄膜晶体管。进一步，将与第一薄膜晶体管漏极电连接的像素电极，通过公共金属线电连接，与第二薄膜晶体管漏极电连接的像素电极。进一步，将与第一薄膜晶体管漏极电连接的像素电极，通过公共金属线电连接，与第二薄膜晶体管漏极电连接的像素电极具体为将与第一薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极，与公共金属线电连接，将与第二薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极，与公共金属线电连接；在短路数据线两边，分别切断与像素电极电连接的公共金属线，公共金属线的两个电连接点位于，公共金属线的两个切断点之间。进一步，公共金属线的两个切断点位于短路数据线与短路数据线紧邻的数据线之间。进一步，电连接为激光焊接，切断为激光切割。 本专利技术实施例还提供一种阵列基板，阵列基板上的数据线和栅极线短路产生十字线，在短路的数据线两边，短路的栅极断路，第一薄膜晶体管源极与数据线断路，以及第二薄膜晶体管源极与数据线断路，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别位于短路数据线的两边，且各自栅极与短路的栅极线的电连接点，位于栅极线的两个断路点两侧，第一薄膜晶体管的栅极和第一薄膜晶体管的漏极电连接，第二薄膜晶体管的栅极和第一薄膜晶体管的漏极电连接，与第一薄膜晶体管漏极电连接的像素电极，电连接到与第二薄膜晶体管漏极电连接的像素电极。进一步，第一薄膜晶体管和/或第二薄膜晶体管，为紧邻短路数据线的薄膜晶体管。进一步，与第一薄膜晶体管漏极电连接的像素电极，通过公共金属线电连接，与第二薄膜晶体管漏极电连接的像素电极。进一步，与第一薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极，与公共金属线电连接，与第二薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极，与公共金属线电连接，在短路数据线两边，与像素电极电连接的公共金属线断路，公共金属线的两个电连接点位于，公共金属线的两个断路点之间。进一步，公共金属线的两个切断点位于短路数据线与短路数据线紧邻的数据线之间。本专利技术实施例还提供一种液晶显示器，液晶显示器的本体上设置有如前述的阵列基板。由于当发生不良后首先用切断栅极线和数据线短路位置，然后再根据像素电极构造出新的通路导通栅极线，实现十字线修复。附图说明图I表示现有技术中的阵列基板结构图；图2表示本专利技术实施例提供的阵列基板十字线修复方法流程图；图3表示本专利技术实施例提供的阵列基板结构图。具体实施例方式下面结合实施例和附图对本专利技术进行说明，为了解决现有技术中的阵列基板上的数据线和栅极线因短路所产生的十字线，会导致阵列基板报废的问题，本专利技术实施例提供一种阵列基板十字线修复方法，用于修复阵列基板上的数据线和栅极线因短路所产生的十字线，基板上的数据线和栅极线，分别和阵列基板上的薄膜晶体管的源极22和栅极26电连接，薄膜晶体管的漏极23和像素电极28电连接，如图2所示，包括如下步骤步骤101、分别在短路的数据线两边，切断与该数据线短路相接的栅极线。如图3所示阵列基板的位置I处，阵列基板上的Data线12(即数据线)和Gate线13 (即栅线)因短路产生十字线，接下来对短路的数据线12两边的两个位置2，3进行激光切割(Laser Cut),使得Gate线13上的两个位置2, 3之间的部分与该Gate线13断开，以达到Data线12和Gate线13短路处隔离，同时又保证Data线12的完整。本实施例中以激光切割(Laser Cut)作为切断各种数据连接线路的优选方案，仅以此为优选方案进行说明。类似的以激光焊接作为进行电连接的优选方案。本实施例中，激光切割的两个位置2，3可以是紧邻短路的Data线12，也可以是其中的一个位置紧邻短路的Data线12或两个位置都不紧邻短路的Data线12，例如位置2位于短路的Data线12左侧的Data线的左侧，只要保证位置2，3在短路的Data线12两边就可以。 步骤102、切断第一薄膜晶体管源极与数据线的电连接，以及第二薄膜晶体管源极与数据线的电连接，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别位于短路的数据线的两边，且各自栅极与短路的栅极线的电连接点，位于栅极线的两个切断点两侧。对两个TFT位置4，5的源极进行激光切割，切断Data层TFT的源极金属线路，以达到Data线和构造修补线路所需利用的像素电极隔离的效果。本实施例中，第一薄膜晶体管的源极进行激光切割的位置4，第二薄膜晶体管的源极进行激光切割的位置5，需要分别位于短路的Data线12的两边，第一薄膜晶体管栅极的位置为位置6，与短路的Gate线13在位置6具有电连接点，第二薄膜晶体管栅极的位置为位置7，与短路的Gate线13在位置7具有电连接点，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管可以是紧邻短路的Data线12的薄膜晶体管，也可以不是紧邻短路Data线12的薄膜晶体管，例如第一薄膜晶体管右侧紧邻短路Data线12左侧第一条数据线。有一个原则是位置2，3要位于位置6，7电连接点之间，即位 置6电连接点要在位置3的左面，位置7电连接点要在位置2的右面，第一薄膜晶体管的栅极和第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板十字线修复方法，用于修复阵列基板上的数据线和栅极线因短路所产生的十字线，基板上的数据线和栅极线，分别和阵列基板上的薄膜晶体管的源极和栅极电连接，薄膜晶体管的漏极和像素电极电连接，其特征在于，包括：分别在短路的数据线两边，切断短路的栅极线；切断第一薄膜晶体管源极与数据线的电连接，以及第二薄膜晶体管源极与数据线的电连接，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别位于短路的数据线的两边，且各自栅极与短路的栅极线的电连接点，位于栅极线的两个切断点两侧；将第一薄膜晶体管的栅极和第一薄膜晶体管的漏极电连接，第二薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的漏极电连接，将与第一薄膜晶体管漏极电连接的像素电极，电连接到与第二薄膜晶体管漏极电连接的像素电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘超，张玉军，赵德江，杨维，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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