一种用于半导体晶圆减薄工艺的除蜡方法技术

本发明专利技术提供一种用于半导体晶圆减薄工艺的除蜡方法，首先将半导体晶圆通过工业蜡粘合于一固定盘；然后将一定性滤纸铺盖于所述固定盘表面，其中，所述定性滤纸的过滤时间不大于1min，吸水高度不小于5cm，厚度不小于0.2mm，且湿润破裂强度不小于1kpa；接着对上述结构进行加压冷却处理，使多余的工业蜡从所述半导体晶圆周边挤出并被所述定性滤纸吸收，同时固化所述工业蜡以将所述半导体晶圆固定于所述固定盘，最后去除所述定性滤纸以完成除蜡。本发明专利技术通过采用合适的过滤速度、吸水高度、破裂强度及滞留粒径的定性滤纸来代替传统的吸蜡纸，可以不需要额外的刮蜡工序而将多余的工业蜡直接去除，有利于降低LED制造的工艺周期，降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体照明领域，特别是涉及ー种用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法。
技术介绍
半导体照明作为新型高效固体光源，具有寿命长、节能、环保、安全等显著优点，将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃，其应用领域正在迅速扩大，正带动传统照明、显示等行业的升级换代，其经济效益和社会效益巨大。正因如此，半导体照明被普遍看作是21世纪最具发展前景的新兴产业之一，也是未来几年光电子领域最重要的制高点之一。发光二极管是由III-IV族化合物，如GaAs (神化镓)、GaP (磷化镓)、GaAsP (磷砷化镓)等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通， 反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。为了增加LED芯片的亮度，在制作过程中往往需要对LED芯片的衬底进行研磨减薄。现有的LED芯片研磨减薄エ艺中，一般是采用エ业蜡将其固定于陶瓷盘上然后再进行研磨减薄エ艺。多余的エ业蜡会对仪器及エ艺造成不良的影响，故在研磨减薄前一般需要先去除多余的エ业蜡。目前行业普遍使用的吸蜡纸是厚度3±2um，不吸水，不滞留颗粒，耐热温度约为80°C的エ业用纸，这样的エ业纸虽然造价低廉，但是不能有效的吸除多余的蜡，它只能起到将蜡与设备隔离的作用。因此还需要其它的刮蜡エ艺，而此エ序一般比较繁琐及耗时，不利于生产和成本的降低，为此，我们希望通过寻找替代品来改善吸蜡效果，并以此降低刮腊时间，提闻刮腊效率。专利技术内容鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法，用于解决现有技术中刮蜡エ序繁琐及耗时，エ艺成本高的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法，所述除蜡方法至少包括以下步骤1)提供一固定盘，于所述固定盘的预设位置形成エ业蜡，并将至少ー个半导体晶圆通过所述エ业蜡粘合于所述固定盘；2)提供一定性滤纸，将所述定性滤纸铺盖于所述固定盘表面，其中，所述定性滤纸的过滤时间不大于lmin，吸水高度不小于5cm，且湿润破裂強度不小于Ikpa ;3)对上述结构进行加压冷却处理，使多余的エ业蜡从所述半导体晶圆周边挤出并被所述定性滤纸吸收，同时固化所述エ业蜡以将所述半导体晶圆固定于所述固定盘，最后去除所述定性滤纸以完成除蜡。作为本专利技术的用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法的一个优选方案，所述定性滤纸的过滤时间为45 50s，吸水高度为7 10cm，且湿润破裂強度不小于I. 45kpa。在本专利技术的用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法所述步骤I)中，将エ业蜡于6(T80°C下滴制于所述固定盘的预设位置。在本专利技术的用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法中，所述固定盘为圆形的陶瓷盘。优选地，所述定性滤纸的直径大于或等于所述陶瓷盘的直径。在本专利技术的用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法中，所述定性滤纸的滞留粒径为3 IOum0在本专利技术的用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法中，所述定性滤纸的厚度为O. 2 Imm0在本专利技术的用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法中，所述定性滤纸的重量为80 150g/m2。 在本专利技术的用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法所述步骤3)中，采用硅胶垫下压的方式对所述半导体晶圆加压使所述エ业蜡从所述半导体晶圆周边挤出。在本专利技术的用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法中，所述半导体晶圆为硅晶圆、碳化硅晶圆或蓝宝石晶圆。如上所述，本专利技术的用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法，首先将半导体晶圆通过エ业蜡粘合于ー固定盘；然后将一定性滤纸铺盖于所述固定盘表面，其中，所述定性滤纸的过滤时间不大于lmin,吸水高度不小于5cm,厚度不小于O. 2mm,且湿润破裂强度不小于Ikpa;接着对上述结构进行加压冷却处理，使多余的エ业蜡从所述半导体晶圆周边挤出并被所述定性滤纸吸收，同时固化所述エ业蜡以将所述半导体晶圆固定于所述固定盘，最后去除所述定性滤纸以完成除蜡。本专利技术具有以下有益效果本专利技术通过采用合适的过滤速度、吸水高度、破裂強度及滞留粒径的定性滤纸来代替传统的吸蜡纸，可以不需要额外的刮蜡エ序而将多余的エ业蜡直接去除，有利于降低LED制造的エ艺周期，降低成本。具体地，包括I、定性滤纸能在允许的时间内将蜡吸附(lmin内)，在高温情况下不会发生硬化变形(80°C)，普通平压(压カ< O. 45Mpa)时不会发生破裂，各项參数指标性能都能满足现有生产要求。2、从刮蜡时间效率上看，使用传统吸蜡纸，每盘产品需要刮蜡时间为2min，现在蜡被吸蜡纸吸除后，刮蜡时间仅需要40s，刮蜡效率提升66%，整个粘蜡作业时间由原来的IOmin降低至7min,整个粘腊效率提升30%。3、从粘腊效果上看,传统吸腊纸腊厚度偏差最大IIum,平均值3. 6um,但是新的定性滤纸最大偏差只有5um，平均值3. Ium,新的定性滤纸吸蜡压蜡效果有所提升，蜡厚度偏差降低至少40%。4、使用定性滤纸替代吸蜡纸(エ业用纸)后，在相同条件下，粘蜡工作效率提升了30%，对于产品良率(最終薄片厚度均匀性和集中性)提升了约10%，按照每月3万片产出计算，如果更换为定性滤纸来粘蜡，那每月产出变为约4万片，同时由于产出增多，交易周期也会相应缩短，对现在LED行业来说，可以提前将产品生产销售给客户。附图说明图I显示为本专利技术的用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法流程示意图。图2a 图4b显示为本专利技术的用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法步骤I)所呈现侧视图及俯视图。图5显示为本专利技术的用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法步骤2)所呈现结构示意图。7显示为本专利技术的用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法步骤3)所呈现的结构示意图。图8显示为使用传统吸蜡纸与本专利技术使用定性滤纸吸蜡效果对比图。元件标号说明101固定盘102エ业蜡 103半导体晶圆104定性滤纸105硅胶垫Sl S3步骤I) 步骤3)具体实施例方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请參阅图f图8。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为ー种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。如图广8所示，本实施例提供ー种用于半导体晶圆103减薄エ艺的除蜡方法，所述除蜡方法至少包括以下步骤如图f图4b所示，首先进行步骤I) SI，提供一固定盘101，于所述固定盘101的预设位置形成エ业蜡102，并将至少ー个半导体晶圆103通过所述エ业蜡102粘合于所述固定盘101。在本实施例中，所述固定盘101为圆形的陶瓷盘，具体地，所述陶瓷盘为直径为24cm的圆盘，用于承载及固定需进行减薄エ艺的半导体晶圆103，当然，在其它的实施例中，所述固定盘101的材料也可以是钢化玻璃、氧化铝、氧化锆等耐磨材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体晶圆减薄工艺的除蜡方法，其特征在于，所述除蜡方法至少包括以下步骤：1）提供一固定盘，于所述固定盘的预设位置形成工业蜡，并将至少一个半导体晶圆通过所述工业蜡粘合于所述固定盘；2）提供一定性滤纸，将所述定性滤纸铺盖于所述固定盘表面，其中，所述定性滤纸的过滤时间不大于1min，吸水高度不小于5cm，且湿润破裂强度不小于1kpa；3）对上述结构进行加压冷却处理，使多余的工业蜡从所述半导体晶圆周边挤出并被所述定性滤纸吸收，同时固化所述工业蜡以将所述半导体晶圆固定于所述固定盘，最后去除所述定性滤纸以完成除蜡。

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法，其特征在于，所述除蜡方法至少包括以下步骤1)提供一固定盘，于所述固定盘的预设位置形成エ业蜡，并将至少ー个半导体晶圆通过所述エ业蜡粘合于所述固定盘；2)提供一定性滤纸，将所述定性滤纸铺盖于所述固定盘表面，其中，所述定性滤纸的过滤时间不大于Imin,吸水高度不小于5cm,且湿润破裂强度不小于Ikpa ；3)对上述结构进行加压冷却处理，使多余的エ业蜡从所述半导体晶圆周边挤出并被所述定性滤纸吸收，同时固化所述エ业蜡以将所述半导体晶圆固定于所述固定盘，最后去除所述定性滤纸以完成除腊。2.根据权利要求I所述的用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法，其特征在于所述定性滤纸的过滤时间为45 50s，吸水高度为7 10cm，且湿润破裂強度不小于I. 45kpa。3.根据权利要求I所述的用于半导体晶圆减薄エ艺的除蜡方法，其特征在于所述步骤I)中，将エ业蜡于6(T80°C下滴制于所述固定盘的预...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱世兴，耿振华，程常占，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：