挠性覆铜板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种挠性覆铜板及其制作方法，所述挠性覆铜板包括：液晶聚合物膜、设于该液晶聚合物膜两侧的含氟聚合物膜、及分别贴附于两含氟聚合物膜上的两铜箔。本发明专利技术挠性覆铜板及其制作方法，采用介电常数较低的液晶聚合物膜和含氟聚合物膜替代聚酰亚胺膜和胶粘剂，贴附铜箔通过高温压合而成，含氟聚合物膜经过表面处理，以改善粘接作用，板材在获得低介电常数的同时，具有优秀的尺寸稳定性、耐热性、机械强度和阻燃性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子电路基材
，尤其涉及一种用于制作高频高速应用挠性印制电路板的低介电常数。
技术介绍
近年来，随着电子信息技术的迅猛发展，在高频高速应用领域，要求挠性覆铜板(FCCL)具有低的介电常数、低的介质损耗角正切，以使信号传输更快、减少信号失真。然而，传统以聚酰亚胺薄膜、聚酯薄膜及胶粘剂作为绝缘基材的挠性覆铜板，其介电常数(测试频率IMHz) —般在3. 2以上，已不能满足高频高速的应用要求。近年来，各厂家纷纷进行高频高速应用的低介电常数挠性覆铜板的研究开发，各种低介电常数挠性覆铜板也不断有公开报道。0附0227534认公开一种介电常数不高于2.8的双面挠性覆铜板，采用柔软而多孔隙聚四氟乙烯薄膜有效吸收和浸溃聚酰亚胺树脂前体溶液，经烘烤，压合铜箔而成。JP4237694(B2)公开了采用含氟聚合物微粉与聚酰胺酸溶液混合，再烘除溶剂、高温亚胺化形成“聚酰亚胺/含氟聚合物共混膜”，然后与压延铜箔在330°C -380°C下压合成挠性覆铜板，板材的介电常数(测试频率为IMHz)为2. 0-3. 5，介质损耗角正切(测试频率为IMHz)为O. 0005-0. 0020。近年，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种挠性覆铜板，其特征在于，包括：液晶聚合物膜、设于该液晶聚合物膜两侧的含氟聚合物膜、及分别贴附于两含氟聚合物膜上的两铜箔。

【技术特征摘要】
1.一种挠性覆铜板，其特征在于，包括液晶聚合物膜、设于该液晶聚合物膜两侧的含氟聚合物膜、及分别贴附于两含氟聚合物膜上的两铜箔。2.如权利要求I所述的挠性覆铜板，其特征在于，所述液晶聚合物膜的厚度为10-150微米，所述含氟聚合物膜的厚度为10-200微米，所述铜箔的厚度为5-70微米。3.如权利要求I所述的挠性覆铜板，其特征在于，所述铜箔为电解铜箔或压延铜箔。4.如权利要求I所述的挠性覆铜板，其特征在于，所述含氟聚合物膜为全氟烷氧基乙烯基醚共聚物薄膜、聚全氟乙丙烯薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、聚氟乙烯薄膜、聚三氟氯乙烯薄膜、聚偏氟乙烯薄膜或聚四氟乙烯薄膜。5.如权利要求I所述的挠性覆铜板，其特征在于，所述含氟聚合物膜经过表面处理，表面处理方法采用电晕法、等离子体法、钠-萘溶液处理法或辐射接枝法。6.一种如权利要求I所述的挠性覆铜板的制作方法，其特征在于，包括下述步骤 步骤I、提供铜箔、液晶聚合物膜、含氟聚合物膜及压合机，所述含氟聚合物膜为全氟烷氧基乙烯基醚共聚物薄膜、聚全氟乙丙烯薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、聚氟乙烯薄膜、聚三氟氯乙烯薄膜、聚偏氟乙烯薄膜或聚四氟乙烯...

【专利技术属性】
技术研发人员：茹敬宏，张翔宇，
申请(专利权)人：广东生益科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：