一种单线可编程的MEMS麦克风及其编程系统技术方案

技术编号:7966896 阅读:323 留言:0更新日期:2012-11-09 18:21
本实用新型专利技术提供一种单线可编程的MEMS麦克风及其编程系统,该单线可编程的MEMS麦克风包括相连的MEMS传感器和ASIC芯片;MEMS传感器用以实现声电转换;ASIC芯片包括主电路模块、OTP/控制电路模块、接口电路模块、OUT接口、OTP存储器;接口电路的输入端与OUT接口相连,接口电路的一个输出端与主电路模块相连,另一个输出端与OTP/控制电路模块相连;OTP/控制电路模块与OTP存储器相连;接口电路用以根据OUT接口的电压控制主电路模块和OTP/控制电路模块工作在可编程状态或常规工作状态;OTP/控制电路模块控制OTP存储器的读写。本实用新型专利技术可以实现MEMS麦克风OUT接口的复用,并通过复用OUT接口实现对ASIC芯片内的OTP存储器进行增益配置,进而完成对封装后成品MEMS麦克风增益的校准。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电子器件
,涉及一种MEMS麦克风,具体涉及一种单线可编程的MEMS麦克风及其编程系统
技术介绍
MEMS (Micro Electromechanic al System,微电子机械系统)麦克风通常由 MEMS传感器和信号放大ASIC(专用集成电路)组成。MEMS麦克风的灵敏度是指在IPa声压下在ASIC输出端得到的电压信号。MEMS麦克风的灵敏度是由MEMS传感器本身的灵敏度和ASIC的增益共同决定的。由于工艺制造上的偏差,MEMS传感器的灵敏度也存在偏差,例如对于一个_42dB灵敏度的传感器可能存在±4dB的偏差。在某些应用环境中,对灵敏度的偏差存在一定的要求,例如±ldB。如若要MEMS麦克风满足土 IdB的灵敏度偏差,那么在ASIC中调节电路的增益就成为一个比较好的实现方案,例如可以在ASIC中集成一次性可编程(OTP)存储器(由熔丝构成),通过改变存储器中相应比特位的设置来改变电路的增益。由于成品封装的MEMS麦克风仅有AVDD、AGND和OUT三个引脚,不可能使用多余的弓I脚来完成上述方案。此外,在ASIC芯片上添加专用的编程PAD也是一个可行方案,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单线可编程的MEMS麦克风,其特征在于,所述单线可编程的MEMS麦克风封装有:MEMS传感器,用以实现声电转换;ASIC芯片,与所述MEMS传感器相连;所述ASIC芯片包括主电路模块、OTP/控制电路模块、接口电路模块、OUT接口、OTP存储器;所述接口电路的输入端与OUT接口相连,接口电路的一个输出端与主电路模块相连,另一个输出端与OTP/控制电路模块相连;OTP/控制电路模块与OTP存储器相连;所述接口电路用以根据OUT接口的电压控制主电路模块和OTP/控制电路模块工作在可编程状态或常规工作状态;OTP/控制电路模块控制OTP存储器的读写。

【技术特征摘要】
1.一种单线可编程的MEMS麦克风,其特征在于,所述单线可编程的MEMS麦克风封装有 MEMS传感器,用以实现声电转换; ASIC芯片,与所述MEMS传感器相连;所述ASIC芯片包括主电路模块、OTP/控制电路模块、接口电路模块、OUT接口、OTP存储器;所述接口电路的输入端与OUT接口相连,接口电路的一个输出端与主电路模块相连,另一个输出端与OTP/控制电路模块相连;0TP/控制电路模块与OTP存储器相连;所述接口电路用以根据OUT接口的电压控制主电路模块和OTP/控制电路模块工作在可编程状态或常规工作状态;0TP/控制电路模块控制OTP存储器的读与。2.根据权利要求I所述的单线可编程的MEMS麦克风,其特征在于,所述接口电路模块包括 电压比较器,与OUT接口相连,用以比较OUT接口的电压与参考电压的大小; 第一触发器,与电压比较器的输出端相连,用以输出指示信号给所述主电路模块; 第二触发器,与电压比较器的输出端相连,用以输出控制信号给所述OTP/控制电路模块; 上电复位电路,分别与所述第一触发器和第二触发器相连,用以控制上电时第一触发器和第二触发器的初始值。3.根据权利要求2所述的单线可编程的MEMS麦克风,其特征在于所述第一触发器为D触发器,所述D触发器的D输入端与所述电压比较器的输出端相连,D触发器的Q输出端与所述主电路模块的ENB端相连。4.根据权利要求2所述的单线可编程的MEMS麦克风,其特征在于所述第二触发器为D触发器,所述D触发器的D输入端与电源相连,D触发器的脉冲输入端通过一反相器与所述电压比较器的输出端相连,D触发器的Q输出端与所述OTP/控制电路模块的RSTB端相连。5.一种权利要求I所述的单线可编程的MEMS麦克风的编程系统,其特征在于,包括 MEMS传感器,用以实现声电转换; ASIC芯片,与所述MEMS传感器相连;所述ASIC芯...

【专利技术属性】
技术研发人员:叶菁华朱潇挺陈嘉
申请(专利权)人:上海耐普微电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1