【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种单晶炉内用保温筒。
技术介绍
在直拉单晶硅生产过程中，经常会出现漏硅现象。其中的原因之一是由于上下保温筒之间的温度不均衡，熔化的硅料下流到石英坩埚的底部会遇冷膨胀，将石英坩埚胀裂，从而出现漏硅现象。目前，我们使用的保温筒分为上、中、下三层，层层之间采用连接环连接。
技术实现思路
本技术的目的是提供能提高恒温效果的一种单晶炉内用保温筒。本技术采取的技术方案是一种单晶炉内用保温筒，分成上、中、下三层，层与层之间设有连接环，其特征在于环绕中层保温筒与下层保温筒之间的连接环的外部设有若干层碳毡。采用本技术，由于碳毡能保温，就会减少连接环散热，确保中层保温筒与下层保温筒之间保持相对的恒温，防止石英坩埚胀裂，从而出现漏硅现象。附图说明图I是本技术使用在单晶炉中的示意图。图中序号表示上保温筒I、中保温筒2、连接环3、碳毡4和下保温筒5。具体实施方式下面结合具体的实施例对本技术作进一步说明。参照图1，该单晶炉内用保温筒的分成上保温筒I、中保温筒2和下保温筒5三层，层与层之间设有连接环3，环绕中层保温筒2与下层保温筒5之间的连接环3的外部设有若干层碳毡4。由于碳毡4能保温，就会减少连接环3散热，确保中层保温筒2与下层保温筒5之间保持相对的恒温，当熔化的硅料下流到底部时，就不会受冷膨胀并使石英坩埚胀裂，从而防止出现漏硅现象。
【技术保护点】
一种单晶炉内用保温筒，分成上、中、下三层，层与层之间设有连接环，其特征在于环绕中层保温筒与下层保温筒之间的连接环的外部设有若干层碳毡。
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉内用保温筒，分成上、中、下三层，层与层之间设有连接环，...
【专利技术属性】
技术研发人员：金炯，余小金，郜勇军，
申请(专利权)人：浙江矽盛电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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