【技术实现步骤摘要】
本技术涉及功率放大器
,特别涉及一种栅压为负压的功放管的供电控制电路、基站及直放站。
技术介绍
GaN是第三代半导体的代表,由于其禁带宽度宽,所以由GaN材料制作的微波功率放大器(简称GaN功放管)具有工作频率高、效率高、带宽宽等优点,但现在GaN功放管的栅级电压都是负压,且栅级电压及漏极电压的开关顺序有严格的要求,供电有问题极易造成功放管的损坏。GaN功放管正确的加电顺序为:①Vgs = OV (gate), Vds = OV (drain);②Vgs先达到负压值Vds再达到漏极所需电压Vgs调节到需要静流的电压值。GaN功放管的关电顺序为①关掉射频信号Vds先减小到OV Vgs再到0V。目前大多数是采用两个电源两个开关分别手动去控制栅级电压与漏极电压,这种手动控制方式的缺点 在于①手动操作效率低,只能用于实验室调试,不适用于生产;②手动操作准确性难以保证,一旦两个开关顺序错误,就有可能造成功放管损坏。
技术实现思路
本技术实施例的目的是解决以上供电控制电路的缺陷,提出一种适应性广,可靠性高的功放管供电控制电路,及采用该供电控制电路的基站和直放站。本技术实施例栅 ...
【技术保护点】
一种栅压为负压的功放管的供电控制电路,其特征在于,包括栅压控制芯片、漏压控制芯片和芯片控制单元,所述芯片控制单元为接收功放管上电指令并依次向所述栅压控制芯片发送上电信号、向所述漏压控制芯片发送上电信号、向所述栅压控制芯片发送调压信号,接收功放管关电指令并依次向所述漏压控制芯片、栅压控制芯片发送关电信号的芯片控制单元;所述栅压控制芯片为接收所述上电信号并向功放管的栅极输出负压,接收所述调压信号并将输出的负压调节到功放管所需静流的电压,接收所述关电信号并将输出的负压减小为0的栅压控制芯片;所述漏压控制芯片为接收所述上电信号并向功放管的漏极输出电压,接收所述关电信号并将输出的电压 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:范战略,刘江涛,谢路平,申超群,李栋,刘建伟,
申请(专利权)人:京信通信系统中国有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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