【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及多栅开关,更具体地,涉及可配置用于储存需要的开关状态的多栅机电开关。
技术介绍
集成电路通常包括开关。可以导通开关以形成跨开关的电气连接或关断开关以断开电气连接。开关通常由晶体管构成,例如金属氧化物半导体晶体管。也已提出机电开关例如微机电(MEM)开关的使用。这些开关,有时候是被称为纳米机电(NEM)开关,可采用精密加工操作来形成,这些操作促使半导体加工技术改变,例如光刻图案化技术。常规的机电开关在衬底上形成。常规的机电开关具有形成在衬底上的源极端子, 漏极端子和栅极。在栅极之上形成悬臂。这个臂连接到源极端子。在开关的关断状态,开关的栅极被驱动至低电压。这个悬臂有一个延伸到漏极端子之上的尖端。在开关的关断状态,尖端和漏极端子之间由空气隔开。因此在关断状态时(例如,开关是断开的)源极端子和漏极端子之间没有电气连接形成。常规开关的栅极可被驱动至高电压以将开关置于导通的状态。在导通状态时源极端子被驱动至低电压。在导通状态中,栅-源电压(例如,栅极和源极端子之间的电压差) 生成静电力,该力使臂弯曲,使得臂的尖端接触漏极端子。臂作为电子的传导通路,从而在源极 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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