一种发光二极管封装结构，包括电极、发光二极管芯片以及绝缘层，所述电极包括第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极相互间隔设置，所述发光二极管芯片与电极电性连接，所述绝缘层覆盖该电极和发光二极管芯片，所述第一电极上设有凹槽，所述发光二极管芯片容置于该凹槽中，所述第一电极和第二电极相互间隔处形成通道，该通道与该凹槽连通，所述绝缘层经由该通道填充于凹槽中。本发明专利技术还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体封装结构，特别涉及一种发光二极管封装结构，还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode, LED)封装结构的制作通常是先在一个树脂或塑料的基板上形成第一电极和第二电极，然后将发光二极管芯片固定于基板上并与第一电极和第二电极电性连接，最后形成封装层覆盖发光二极管芯片并切割形成多个组件。然而，此种封装方法要先提供一个基板，再在基板上面形成电极，再进行固晶、封装，工序繁多。且由于需在基板上形成封装层，也不利于散热，从而导致不良品的出现，降低产品的合格率。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种制造简单、散热良好的。一种发光二极管封装结构，包括电极、发光二极管芯片以及绝缘层，所述电极包括第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极相互间隔设置，所述发光二极管芯片与电极电性连接，所述绝缘层覆盖该电极和发光二极管芯片，所述第一电极上设有凹槽，所述发光二极管芯片容置于该凹槽中，所述第一电极和第二电极相互间隔处形成通道，该通道与该凹槽连通，所述绝缘层经由该通道填充于凹槽中。一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤 提供电极，该电极包括第一电极、第二电极，该第一电极和第二电极相互间隔设置并在间隔处形成一个通道，该第一电极上设有一个凹槽，该凹槽与通道连通； 在所述凹槽中设置发光二极管芯片，并使发光二极管芯片与所述第一电极和第二电极电连接； 提供一个遮挡罩，覆盖于第一电极和第二电极之上； 采用注塑成型方式，将流体状透明绝缘材料自通道注入该凹槽中，并完全填充于第一电极和第二电极与遮挡罩之间； 固化流体状透明材料完成封装。直接采用相互间隔设置的第一电极和第二电极，并将发光二极管芯片固定于第一电极开设的凹槽内。由于该凹槽和第一、第二电极间隔的通道相导通，可通过从通道向上注塑成型等多种方式对发光二极管封装结构进行封装。此制造方法工序少、简单易行，且直接将发光二极管芯片固定在电极上，有利于散热。附图说明图I为本专利技术第一实施方式的发光二极管封装结构的剖视示意图。图2为图I中的发光二极管封装结构的俯视示意图。图3为本专利技术第二实施方式的发光二极管封装结构的剖视示意图。图4为本专利技术第三实施方式的发光二极管封装结构的剖视示意图。图5为图4中的光发光二极管封装结构的俯视示意图。图6为本专利技术实施方式提供的发光二极管封装结构的制造方法的流程图。图7为本专利技术第三实施方式的发光二极管封装结构的制造过程最后一步所得到的发光二极管封装结构的剖视示意图。 主要元件符号说明权利要求1.一种发光二极管封装结构，包括电极、发光二极管芯片以及绝缘层，所述电极包括第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极相互间隔设置，所述发光二极管芯片与电极电性连接，所述绝缘层覆盖该电极和发光二极管芯片，其特征在于所述第一电极上设有凹槽，所述发光二极管芯片容置于该凹槽中，所述第一电极和第二电极相互间隔处形成通道，该通道与该凹槽连通，所述绝缘层经由该通道填充于凹槽中。2.如权利要求I所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述第一电极具有一个顶面，所述凹槽自该顶面向内凹陷形成。3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述凹槽具有一个面向第二电极的开口，所述第二电极具有面向第一电极的另一个凹槽。4.如权利要求I所述的发光二极管封装结构，其特征在于还包括连接电极，该连接电极包括第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极连接固定于第一电极，第二连接电极固定于第二电极，所述第一连接电极包括固定端和自由端，该固定端固定于第一电极 的顶面，该自由端延伸至凹槽的上方，所述第二连接电极包括固定端和自由端，该固定端固定于第二电极的顶面，该自由端延伸至凹槽的上方，该两个自由端彼此间隔，发光二极管芯片与两自由端连接从而与电极电性连接。5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述第二连接电极与第一电极之间形成间隙，所述通道经由该间隙与凹槽连通。6.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于还包括透镜，该透镜覆盖所述绝缘层，该透镜包括出光面，该出光面上形成至少一个凸出部。7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述透镜与绝缘层为一体成型，该绝缘层还包括连接绝缘层和出光面的四周并向电极底面延伸的罩体，该绝缘层填充于第一电极与第二电极之间的通道、容置发光二极管芯片的凹槽内，以及覆盖于连接电极和发光二极管芯片上，该罩体环绕包覆电极四周的外壁。8.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤 提供电极，该电极包括第一电极、第二电极，该第一电极和第二电极相互间隔设置并在间隔处形成一个通道，该第一电极上设有一个凹槽，该凹槽与通道连通； 在所述凹槽中设置发光二极管芯片，并使发光二极管芯片与所述第一电极和第二电极电连接； 提供一个遮挡罩，覆盖于第一电极和第二电极之上； 采用注塑成型方式，将流体状透明绝缘材料自通道注入该凹槽中，并完全填充于第一电极和第二电极与遮挡罩之间； 固化流体状透明材料完成封装。9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述遮挡罩为透镜，该透镜覆盖所述电极，该透镜包括出光面和入光面，该出光面上形成至少一个凸出部，该入光面与电极之间形成空间，所述绝缘层自通道注入凹槽，直至填满该空间。10.如权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述遮挡罩为一个模具，该模具包括容置腔体和凹陷部，该凹陷部自容置腔体向内凹陷形成，所述电极收容于该容置腔体内。全文摘要一种发光二极管封装结构，包括电极、发光二极管芯片以及绝缘层，所述电极包括第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极相互间隔设置，所述发光二极管芯片与电极电性连接，所述绝缘层覆盖该电极和发光二极管芯片，所述第一电极上设有凹槽，所述发光二极管芯片容置于该凹槽中，所述第一电极和第二电极相互间隔处形成通道，该通道与该凹槽连通，所述绝缘层经由该通道填充于凹槽中。本专利技术还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。文档编号H01L33/62GK102738351SQ201110083148公开日2012年10月17日 申请日期2011年4月2日 优先权日2011年4月2日专利技术者林厚德, 蔡明达 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，包括电极、发光二极管芯片以及绝缘层，所述电极包括第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极相互间隔设置，所述发光二极管芯片与电极电性连接，所述绝缘层覆盖该电极和发光二极管芯片，其特征在于：所述第一电极上设有凹槽，所述发光二极管芯片容置于该凹槽中，所述第一电极和第二电极相互间隔处形成通道，该通道与该凹槽连通，所述绝缘层经由该通道填充于凹槽中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林厚德，蔡明达，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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