一种氮化物发光二极管结构制造技术

一种氮化物发光二极管结构，涉及光电技术领域。本发明专利技术包括衬底、形成于衬底上的低温缓冲层和发光半导体结构。所述发光半导体结构包括N型半导体层、发光层和P型半导体层，P型半导体层的上方为透明导电层。透明导电层上的一端置有P型电极，N型氮化镓层上、与P型电极相对的另一端置有N型电极。其结构特点是，所述低温缓冲层和N型半导体层之间不设置非掺杂化合物半导体层。本发明专利技术的外延结构中不设置非掺杂化合物半导体层，使器件的厚度大大降低，减小了外延片产生翘曲的几率，提高了外延片的良率，并能有效提高外延片的生长效率，提高设备的产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电
，特别是氮化物发光二极管结构。
技术介绍
以GaN材料为代表的III-V族氮化物半导体材料被誉为第三代半导体材料，GaN基高亮度发光二极管LED在生活中无处不在，其应用领域已渗透到信号指示、户内外全彩显示屏、大中小型尺寸背光源、城市景观亮化以及室内外照明等。随着GaN基高亮度LED技术的发展及应用的开发，新一代氮化物大功率白光LED已经成为人们关注的焦点。功率型LED作为一种高效、环保和新颖的绿色固体光源，具有操作电压低、功耗小、体积小、重量轻、寿命长等诸多优点。目前普遍应用的氮化物发光二极管材料和器件主要是利用MOCVD外延技术异质外延在蓝宝石A1203、碳化硅SiC、硅Si、氧化锌ZnO或者砷化镓GaAs衬底上，或同质外延生长在自支撑氮化镓GaN衬底上。除了自支撑氮化镓衬底外，其它衬底材料和III-V族氮化物材料之间都存在很大的晶格常数失配和热膨胀系数的差异，晶格常数和热膨胀系数的差异，使得外延生长高质量的氮化物材料非常困难。现有技术中，GaN基发光二极管的结构如图I所示，具体包括衬底20、低温缓冲层21、非掺杂化合物半导体层26、N型半导体层22、发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物发光二极管结构，它包括衬底(20)、形成于衬底(20)上的低温缓冲层(21)和发光半导体结构，所述发光半导体结构包括N型半导体层(22)、发光层(23)和P型半导体层(24)，P型半导体层(24)的上方为透明导电层(25)，透明导电层(25)上的一端置有P型电极(262)，N型氮化镓层(22)上、与P型电极(262)相对的另一端置有N型电极(261)；其特征在于，所述低温缓冲层(21)和N型半导体层(22)之间不设置非掺杂化合物半导体层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李志翔，吴东海，
申请(专利权)人：南通同方半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：