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一种氮化物发光二极管结构，涉及光电技术领域。本发明包括衬底、形成于衬底上的低温缓冲层和发光半导体结构。所述发光半导体结构包括N型半导体层、发光层和P型半导体层，P型半导体层的上方为透明导电层。透明导电层上的一端置有P型电极，N型氮化镓层上、...
该专利属于南通同方半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通同方半导体有限公司授权不得商用。

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