衬底处理设备、控制该设备的程序及制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术涉及衬底处理设备、控制该设备的程序及制造半导体器件的方法。衬底处理设备包括安装架、盖子开启和关闭单元、衬底核查单元、衬底传送机构、衬底处理单元以及控制器。在衬底处理单元处理安装在安装架上的第一衬底容器中的衬底的同时，当第二衬底容器被安装在安装架上时，控制器提供控制以将第二衬底容器的盖子开启且通过衬底核查单元来核查第二衬底容器中的衬底，并且当衬底核查结束时，控制器提供控制以将第二衬底容器的盖子关闭。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种用于处理如晶片等衬底的衬底处理设备、用于控制该衬底处理设备的程序以及用于制造半导体器件的方法，其中，在半导体衬底(例如半导体晶片)上执行薄膜形成工艺等以在其上制造半导体集成电路(此后称为“1C”)。更特别地，本公开涉及一种具有容纳多个衬底的多个衬底容器的衬底处理设备、用于控制该衬底处理设备的程序以及用于制造半导体器件的方法，其中，将第一衬底容器内的衬底连续地单独运送(或载运)至处理腔以便进行处理，并且随后，当第一衬底容器内的衬底的处理完成时，将第二衬底容器内的衬底连续地单独运送至处理腔。
技术介绍
在相关技术中，多个衬底容器被安装在衬底处理设备的装载端口上；多个安装的衬底容器中的例如第一衬底容器的盖子被开启，以便用于核查容纳在其中的晶片的存在或不存在或者晶片的位置；执行晶片映射以便对晶片的片数进行计数；以及在第一衬底容器中的晶片(衬底)被连续地单独运送至处理腔并被处理。在对第一衬底容器执行晶片映射以后，第二衬底容器的盖子被开启，并且对第二衬底容器执行晶片映射。在对第二衬底容器的晶片映射结束以后，第二衬底容器在其盖子被开启的情况下被保持在待命状态；此后，在对第一衬底容器中的所有衬底的处理结束以后，对第二衬底容器中的衬底的处理开始。在相关技术中，还公知一种衬底处理设备，其用于连续地运出来自安装在装载端口上的多个衬底容器中的衬底，运送该衬底容器至处理腔中，并在该处理腔中对其进行处理。在相关技术的衬底处理设备中，多个衬底容器的盖子(例如，第一衬底容器的盖子)被开启，执行晶片映射，然后第一衬底容器中的衬底开始被处理，并且同时，第二衬底容器的盖子被开启且执行晶片映射。然而，在这种情况下，即使在用于第二衬底容器的晶片映射结束之后，保持在待命状态的第二衬底容器的盖子仍然维持在开启的状态。因此，在待命状态的第二衬底容器中的晶片暴露在衬底处理设备内的气氛中，从而提供了其中颗粒可以附着到晶片表面的可能性。
技术实现思路
本公开提供了若干实施例，其中衬底容器的盖子被开启，执行诸如晶片映射等的处理，保持在待命状态的衬底容器的盖子被关闭，且当衬底容器中的衬底的处理开始时，衬底容器的盖子再次被开启。根据本公开的一个实施例，其提供了一种衬底处理设备，包括安装架，在该安装架上保持其中容纳多个衬底的衬底容器；盖子开启和关闭单元，其被配置用于开启和关闭安装在安装架上的衬底容器的盖子；衬底核查单元，其被配置用于核查其盖子被开启的衬底容器中的衬底的存在或不存在或者衬底的位置；衬底传送机构，其被配置用于将衬底容器中的衬底传送到处理腔；衬底处理单元，其被配置用于在已由衬底传送机构传送的、处理腔中的衬底上进行处理；以及控制器，其被配置用于控制盖子开启和关闭单元、衬底核查单元、衬底处理单元以及衬底传送机构的操作，其中衬底容器包括第一衬底容器和第二衬底容器，并且，在衬底处理单元处理由衬底传送机构从第一衬底容器传送到处理腔的衬底的同时，当第二衬底容器被安装在安装架上时，控制器提供控制以开启第二衬底容器的盖子并通过衬底核查单元来核查第二衬底容器中的衬底，并且当衬底核查结束时，控制器提供控制以关闭第二衬底容器的盖子。附图说明图I是根据本公开的一个实施例的衬底处理装置的平面视图。图2是衬底处理装置的侧视图。 图3是示出了用于控制衬底处理装置的控制器的配置的方框图。图4是衬底处理装置的处理单元的侧视图。图5是图示了开启和关闭衬底处理装置的衬底容器的盖子的操作的流程图。图6是图示了用于当已经执行了预定的先前处理时执行图5的盖子开启和关闭操作的配置例子中的控制器的操作的流程图。具体实施例方式现在将参考附图在下文详细说明本公开的示例性实施例。参照图I和图2说明根据本专利技术实施例的衬底处理装置10。图I是衬底处理装置10的平面视图，而图2是衬底处理装置10的侧视图。在衬底处理装置10中，前开式标准晶盒(FOUP)(在下文中被称为“晶盒” )101被用作载运器(衬底容器)以用于运送如晶片之类的衬底。例如，晶盒101可容纳25片晶片并且具有用于关闭将晶片运入或运出所经过的开口的盖子。晶盒101中的气氛通过该盖子而与晶盒101外的气氛隔离开，并且防止晶盒101中的晶片受到晶盒101外的气氛的不利影响。同时，在下文的描述中，基于图I来标示前、后、左及右方向(或所有方向)。即，前方为当从第一传送腔110看去时第二传送腔120的方向。后方为当从第二传送腔120看去时第一传送腔110的方向。左方指的是当从第一传送腔110看去时处理单元150的方向。右方指的是当从第一传送腔110看去时处理单元153的方向。如图I和图2所示，衬底处理设备10包括第一传送腔110。第一传送腔110具有的结构能够经受低于大气压的压力(负压)，诸如真空状态之类。当从上方看去时，第一传送腔Iio的主体111具有封闭的五边形盒形形状。第一晶片传送装置112被装配在第一晶片传送腔110中。第一晶片传送装置112可以在负压下同时传送两片晶片200，且在第一传送腔110被保持密闭的状态下被配置用于通过升降器113来上升或下降。装载锁定腔131和141连接至第一传送腔110的主体111的五个侧壁中的前侧壁，其中在它们之间分别插入有闸阀134和144。装载锁定腔131和141具有能够经受住负压的结构。其上临时安装衬底的衬底安装台132和133被装配在装载锁定腔131中，而其上临时安装衬底的衬底安装台142和143被装配在装载锁定腔141中。基本上工作在大气压下的第二传送腔120连接到装载锁定腔131和141，在它们之间分别插入有闸阀130和140。第二晶片传送装置122被装配在第二传送腔120中。该第二晶片传送腔122能够同时传送两片晶片200，且通过装配在第二传送腔120中的升降器123来上升或下降，并且通过线性致动器124在水平方向上移动。用于将衬底容器中的衬底传送至处理腔的衬底传送机构主要包括第一晶片传送装置112和第二晶片传送装置122。 如图I所示，切口调整装置107被装配在第二传送腔120的左部。再者，如图2所示，用于供应清洗气体的清洗单元106被装配在第二传送腔120的上部。如图I和图2所示，用于将晶片200装载到第二传送腔120和从第二传送腔120卸载晶片200的晶片装载/卸载孔104、用于关闭晶片装载/卸载孔104的闸门105以及晶盒开启器103被装配在第二传送腔120的主体121中。晶盒开启器103具有盖帽开启和关闭机构102，以用于开启和关闭安装在输入/输出(I/O)载台(装载端口)100上的晶盒101的盖帽(盖子)。其上装配多个衬底容器的安装架主要包括I/O载台100。用于将安装在安装架上的衬底容器的盖子开启和关闭的盖子开启和关闭单元主要包括盖帽开启和关闭机构102。该盖帽开启和关闭机构102开启和关闭闸门105，以用于关闭晶片装载/卸载孔104以及晶盒101的盖帽。通过开启安装在I/O载台100上的晶盒101的盖帽和闸门105，晶盒101中的晶片200可被运入和运出。再者，通过工艺间传送装置，例如自动导引车(AGV)或悬吊式搬运装置(OHT)(未示出)，晶盒101被输送至I/O载台100或从I/O载台卸下。如图I所示，在晶片200上执行所希望的处理的第一处理单元150、第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理设备，包括：安装架，该安装架上保持其中容纳多个衬底的衬底容器；盖子开启和关闭单元，其被配置用于开启和关闭安装在所述安装架上的所述衬底容器的盖子；衬底核查单元，其被配置用于核查其盖子被开启的衬底容器中的衬底的存在或不存在或衬底的位置；衬底传送机构，其被配置用于将所述衬底容器中的衬底传送至处理腔；衬底处理单元，其被配置用于在已经由所述衬底传送机构传送的、所述处理腔中的衬底上进行处理；以及控制器，其被配置用于控制所述盖子开启和关闭单元、衬底核查单元、衬底处理单元以及衬底传送机构的操作，其中所述衬底容器包括第一衬底容器和第二衬底容器，并且，在与所述衬底处理单元对从所述第一衬底容器通过所述衬底传送机构传送至所述处理腔的衬底进行处理的同时，当所述第二衬底容器被安装在所述安装架上时，所述控制器提供控制以开启所述第二衬底容器的盖子，并且通过所述衬底核查单元来核查所述第二衬底容器中的衬底，以及当衬底核查结束时，所述控制器提供控制以关闭所述第二衬底容器的盖子。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：白川真人，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：