提供一种具有所期望的保持电容并且降低由于像素电极的表面上的凹凸而引起的显示不匀的电光装置、具备该电光装置的电子设备和电光装置的制造方法。本实施例的作为电光装置的液晶装置在元件基板(10)上具备：晶体管；与晶体管对应设置的像素电极(15)；在元件基板(10)和像素电极(15)之间设置成一部分与像素电极(15)相对并隔着像素电极(15)和电介质层(14)构成保持电容的电容布线(3b)；其中电容布线(3b)被形成为埋入在元件基板(10)和像素电极(15)之间设置的绝缘膜(13)，其像素电极(15)一侧的面与绝缘膜(13)一同进行平坦化。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
作为上述电光装置，例如有使用薄膜晶体管(TFT)作为像素的开关元件的有源驱动型液晶显示装置。在这种液晶显示装置中，在基板上形成包含薄膜晶体管、与其连接的各种布线和/或电容等的像素电路和/或其外围电路。 作为上述像素电路的构成，在专利文献I中公开了一种液晶显示装置，其在有源矩阵基板上隔着层间绝缘膜在像素电极和源极线层之间配置遮光性黑矩阵，通过施加特定电位，屏蔽源极线，并且与像素电极形成存储电容。根据该液晶显示装置，通过用黑矩阵屏蔽源极线，可以降低由于源极线电位引起的串扰，具有大的像素保持电容，并且实现闻的开口率。专利文献I :特开平7-128685号公报但是，在上述专利文献I的液晶显示装置中，有在像素电极中与黑矩阵重合的部分，即在构成上述像素保持电容的部分，产生台阶，并且在该台阶部分液晶分子的取向混舌L发生显示不匀的问题。
技术实现思路
本专利技术正是为了解决上述问题的至少一部分而提出的，能够实现为以下形式或者实施例。实施例I本实施例的电光装置，其特征在于，在基板上具备晶体管；与上述晶体管对应设置的像素电极；在上述基板和上述像素电极之间设置成一部分与上述像素电极相对、并隔着上述像素电极和电介质层构成保持电容的电容布线；其中上述电容布线被形成为埋入在上述基板和上述像素电极之间设置的绝缘膜，其上述像素电极一侧的面与上述绝缘膜一同进行平坦化。根据该构成，在隔着电介质层电容布线和像素电极重合的部分构成保持电容。此夕卜，被设置电介质层的部分由于电容布线和绝缘膜的表面进行了平坦化，因此，在隔着电介质层配置的像素电极的表面不产生凹凸。即，能够提供确保像素的开口率并且使用像素电极构成保持电容、与现有技术相比降低了显示不匀、具有优异显示品质的电光装置。实施例2优选地，在上述实施例的电光装置中，上述电容布线包含第I导电膜和覆盖并保护上述第I导电膜的第2导电膜，上述第2导电膜的表面与上述绝缘膜的表面为同一面。根据该实施例，由于第I导电膜被第2导电膜保护，因此，在对电容布线的表面和绝缘膜的表面进行平坦化的工序中，第I导电膜不会损伤，至少确保第I导电膜中的导电性，构成没有电气异常的保持电容。实施例3在上述实施例的电光装置中，上述像素电极可以跨越相邻并行的两个上述电容布线而配置。根据该实施例，与和I个电容布线重合的情况相比，能够增大保持电容中的电气电容。换句话说，容易确保所期望的电气电容。实施例4本实施例的电子设备的特征在于，具备上述实施例的电光装置。根据该实施例，能够提供与现有技术相比降低了显示不匀、具有优异显示品质的电子设备。实施例5本实施例的电光装置的制造方法的特征在于，包括在基板上形成电容布线层的工序；覆盖上述电容布线层而形成绝缘膜的工序；研磨上述绝缘膜，使上述电容布线层从上述绝缘膜露出，并且对所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜的表面进行平坦化的工序；形成覆盖所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜的电介质层的工序；以隔着上述电介质层一部分与上述电容布线层重合的方式形成像素电极的工序。根据该方法，像素电极在覆盖表面被平坦化的电容布线层和绝缘膜的电介质层上被形成为俯视看一部分与电容布线层重合。因此，在所形成的像素电极的表面不产生凹凸。即，能够制造确保像素的开口率并且使用像素电极形成保持电容、与现有技术相比降低了显示不匀、具有优异显示品质的电光装置。实施例6上述实施例的电光装置的制造方法，其特征在于，形成上述电容布线层的步骤包括形成第I导电膜的工序；形成覆盖并保护上述第I导电膜的第2导电膜的工序；对上述第I导电膜和上述第2导电膜进行图案化以形成上述电容布线层的工序。根据该方法，由于第I导电膜被第2导电膜保护，因此，在研磨绝缘膜进行平坦化的工序中，能够防止第I导电膜损伤。即，能够至少确保第I导电膜中的导电性，形成没有电气异常的保持电容。实施例7本实施例的其它电光装置的制造方法的特征在于，包括在基板上形成绝缘膜的工序；在上述绝缘膜形成沟部的工序；填埋上述沟部并且覆盖上述绝缘膜以形成电容布线层的工序；研磨上述电容布线层，在上述沟部中使上述电容布线层从上述绝缘膜露出，并且对所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜的表面进行平坦化的工序；形成覆盖所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜的电介质层的工序；以隔着上述电介质层一部分与上述电容布线层重合的方式形成像素电极的工序。根据该方法，在预先形成在绝缘膜中的沟部形成电容布线层。因此，与研磨绝缘膜的情况相比，当研磨电容布线层更快时，能够分离电容布线层和绝缘膜，使电容布线层和绝缘膜各自迅速露出。此外，由于沟部被电容布线层填埋，因此，能够防止为了对电容布线层的表面和绝缘膜的表面进行平坦化而研磨电容布线层超过需要的情况。实施例8、 优选地，在上述实施例的电光装置的制造方法中，形成上述电容布线层的工序包括形成第I导电膜的工序；形成覆盖上述第I导电膜并保护上述第I导电膜的第2导电膜的工序。根据该方法，由于第I导电膜被第2导电膜保护，因此，在研磨电容布线层的工序中，能够防止第I导电膜损伤。即，能够至少确保第I导电膜中的导电性，形成没有电气异常的保持电容。附图说明图1(a)是表示液晶装置的构成的概略俯视图，图1(b)是以图1(a)的H_H'线切开的概略剖面图。图2是表示液晶装置的电气构成的等效电路图。图3是表示液晶装置中的像素配置的概略俯视图。图4(a)和(b)是表示液晶装置中的像素构成的概略俯视图。图5是表示以图4的A-A'线切开的像素构造的概略剖面图。图6是表示以图4的B-B'线切开的像素构造的概略剖面图。图7(a) (f)是表示液晶装置的制造方法的概略剖面图。图8是表示作为电子设备的投影型显示装置的构成的概略图。图9 (a) (d)是表示变形例的液晶装置的制造方法(保持电容的形成方法)的概略剖面图。符号说明3b :电容布线；10 :作为基板的元件基板；12 :作为绝缘膜的层间绝缘膜；12a :沟部；12b :层间绝缘膜的表面；13 :绝缘膜；13a:绝缘膜的表面；14 :电介质层；15 :像素电极；30 :作为晶体管的薄膜晶体管(TFT) ；33 :第I导电膜；34 :第2导电膜；35 :电容布线层；100 :作为电光装置的液晶装置；1000 :作为电子设备的投影型显示装置。具体实施例方式以下根据附图对具体化本专利技术的实施方式进行说明。另外，所使用的图进行适当的放大和缩小显示，以使所说明的部分是能够辨认的状态。另外，在以下的形式中，例如当记载为“在基板上”时，假设表示以下情况以与基板接触的方式配置的情况、或者在基板上隔着其它构成物配置的情况、或者一部分 以与基板接触的方式配置、一部分隔着其它构成物配置的情况。第I实施方式在本实施方式中，以具备薄膜晶体管(TFT)作为像素开关元件的作为电光装置的有源矩阵型液晶装置为例进行说明。该液晶装置可以作为例如以后说明的投影型显示装置(液晶投影机)的光调制元件(液晶光阀)适宜地使用。液晶装置首先，参照图I和图2对本实施方式的作为电光装置的液晶装置进行说明。图1(a)是表示液晶装置的构成的概略俯视图，图1(b)是以图1(a)的H-H'线切开的概略剖面图，图2是表示液晶装置的电气构成的等效电路图。如图I (a)和图I (b)所示，本实施方式的液晶装置100本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电光装置，其特征在于，在基板上具备：晶体管；与上述晶体管对应设置的像素电极；以及电容布线，其在上述基板和上述像素电极之间设置成一部分与上述像素电极相对，并隔着上述像素电极和电介质层构成保持电容；其中，上述电容布线被形成为埋入在上述基板和上述像素电极之间设置的绝缘膜，并且其上述像素电极一侧的面与上述绝缘膜一同进行平坦化。
【技术特征摘要】
2011.04.01 JP 081650/20111.一种电光装置，其特征在于， 在基板上具备 晶体管； 与上述晶体管对应设置的像素电极；以及 电容布线，其在上述基板和上述像素电极之间设置成一部分与上述像素电极相对，并隔着上述像素电极和电介质层构成保持电容； 其中，上述电容布线被形成为埋入在上述基板和上述像素电极之间设置的绝缘膜，并且其上述像素电极一侧的面与上述绝缘膜一同进行平坦化。2.根据权利要求I所述的电光装置，其特征在于， 上述电容布线包含第I导电膜和覆盖上述第I导电膜进行保护的第2导电膜； 上述第2导电膜的表面与上述绝缘膜的表面为同一个面。3.根据权利要求I或2所述的电光装置，其特征在于，上述像素电极跨越相邻并行的两个上述电容布线而配置。4.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求I至3任意一项所述的电光装置。5.一种电光装置的制造方法，其特征在于，包括 在基板上形成电容布线层的工序； 覆盖上述电容布线层而形成绝缘膜的工序； 研磨上述绝缘膜，使上述电容布线层从上述绝缘膜露出，并且对所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：中川雅嗣，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：
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