本发明专利技术涉及显示装置及电子设备。在像素部中使用第二导电膜形成扫描信号线以及辅助电容线并使用第一导电膜形成数据信号线。在TFT部中，使用第一导电膜形成栅电极并使其通过栅极绝缘膜中的开口部与使用第二导电膜形成的扫描信号线电连接。使用第二导电膜形成源电极以及漏电极。在辅助电容部中，将使用第二导电膜形成的辅助电容线用作下部电极，并将像素电极作为上部电极，将钝化膜用作介电薄膜夹在电容电极之间。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种至少在像素部使用有薄膜晶体管的显示装置以及显示装置的制造方法，尤其涉及一种具有高开口率的像素部的显示装置以及显示装置的制造方法。
技术介绍
近年，作为液晶电视等的显示装置的用途，对角为40英寸以上的大型液晶模块的 开发日益火热。尤其是用于全高清(FHD)等的高清晰度的面板的需要较高。特别是对于用于液晶电视的液晶模块不仅要求上述的高清晰度，而且要求对应于动画显示速度的高速响应性、优良的颜色再现性、足够的亮度以及广视角等各种各样的特性。现有的液晶电视用的液晶模块应用有源矩阵型，即将使用非晶硅的薄膜晶体管(以下称为TFT)用作主动元件的多个像素排列。尤其是作为TFT，普遍应用适用于大量生产的反交错结构。至于具有该反交错型非晶硅TFT的元件衬底，将最初形成在衬底上的导电膜(以下称为第一导电膜)用作扫描信号线(或称为栅极布线)，并将形成在栅极绝缘膜上的导电膜(以下称为第二导电膜)用作数据信号线(或称为源极布线)。扫描信号线设置在相对于衬底平面的横向上，并且数据信号线设置在相对于衬底平面的纵向上。在现有的有源矩阵型显示装置中的像素结构中，设置有用来将数据信号保持一个帧周期的辅助电容部(也称为附加电容器或存储电容器)以便将。作为该辅助电容部采用以下方式之任一种将成为辅助电容线的第一导电膜和设置在最上层的成为像素电极的透光导电膜作为电容电极(参照专利文献I);将成为辅助电容线的第一导电膜和与透光导电膜连接的第二导电膜作为电容电极(参照专利文献2)。与扫描信号线平行地设置有辅助电容线。这些辅助电容部都在反交错型TFT至像素电极的制造工序中同时形成，其基本思想在于抑制工序数目的增加。另外，公开了如下结构互相正交的栅极布线以及源极布线的大部分由第一导电膜形成，且在交叉部被分断的源极布线利用第二导电膜进行交联(参照专利文献3)。另外，还公开了如下结构作为辅助电容部在栅极绝缘膜上形成由氧化铟锡(ITO)构成的像素电极，并以夹着钝化膜的方式形成由氧化铟锡(ITO)构成的相对电极(参照专利文献4)。[专利文献I]日本专利申请公开Hei2_48639号公报[专利文献2]日本专利申请公开Hei6_202153号公报[专利文献3]日本专利申请公开Hei1-101519号公报[专利文献4]日本专利申请公开Hei5_289111号公报在上述专利文献I的结构中，作为电容电极间的介电薄膜，使用栅极绝缘膜、钝化膜以及阳极氧化膜的叠层。在这种情况下，由于栅极绝缘膜、钝化膜以及阳极氧化膜的厚度之和成为介电薄膜的厚度，所以介电薄膜整体的厚度变厚而导致可以保持的电容量变小。因此，需要增大辅助电容部的面积，但是由于辅助电容部的面积的增大会导致像素部的开口率的降低，所以不是优选的。在上述专利文献2的结构中，作为辅助电容部的介电薄膜使用栅极绝缘膜的单层，与专利文献I中的情况相比可以将介电薄膜的厚度形成得薄。但是，一般地，栅极绝缘膜的厚度比钝化膜的厚度厚。栅极绝缘膜的厚度是以TFT的电特性作为首要目的而设计的，并且还考虑TFT的电特性、栅极绝缘膜的绝缘耐压性等来进行设计。因此，作为辅助电容部，根据在TFT —侧设计的栅极绝缘膜的厚度，次要性地对面积等进行设计，以形成所希望的辅助电容部。所以，从实现像素部的高开口率化的角度出发，仅将厚度最薄的钝化膜作为辅助电容部的介电薄膜成为理想。但是，在以上述专利文献I、上述专利文献2为代表的现有的像素结构中，由于在衬底平面的纵向上设置的数据信号线使用第二导电膜形成，所以以横穿该数据信号线的方式横向延伸的辅助电容线不可能使用相同的第二导电膜来形成。所以，在现有的像素结构中，很难形成将透光导电膜和第二导电膜作为电容电极并仅将钝化膜用作介电薄膜的辅助电容部。于是，可以举出上述专利文献3的结构，其中栅极布线以及源极布线的大部分使用第一导电膜形成，并对在交叉部被分断的源极布线利用第二导电膜进行交联。虽然在该专利文献上没有记载，但是可以使由第二导电膜构成的辅助电容线在相对于衬底横向上延伸，所以可以形成仅将钝化膜用作介电薄膜的辅助电容部。但是，由于使用交联结构，数据信号线不是由单一的导电膜形成。也就是说，由于需要通过与其他的导电膜的连接，所以导致接触电阻的增大。由于在每个行方向的像素中分别形成有两个接触，所以尤其是在对角为30英寸以上的大型面板中，布线电阻明显增大而导致信号延迟。另外，只要数据信号线 中的一个接触发生接触不良，与该数据信号线连接的列的接触不良部分之后的所有像素都产生不良。导致所谓的线缺陷而可靠性降低。另外，在上述专利文献4的结构中，可以形成具有由像素电极构成的下部电极、由相对电极构成的上部电极以及由钝化膜构成的介电薄膜的辅助电容部。但是，由于在像素电极和公共电极之间除了液晶之外还包含钝化膜，所以使施加在液晶上的电场出现不均匀而导致图像质量的降低。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的一个方式的目的在于提供一种具有高开口率的像素的可靠性高的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的在于低成本地制造具有高开口率的显示装置。为解决上述问题，本专利技术的一个方式包括如下步骤在像素部中，使用第二导电膜形成扫描信号线以及辅助电容线，并使用第一导电膜形成数据信号线；在TFT部中，使用第一导电膜形成栅电极，并使其通过栅极绝缘膜中的开口部与由第二导电膜构成的扫描信号线电连接；使用第二导电膜形成源电极以及漏电极；源电极或漏电极的一方通过栅绝缘膜中的开口部与由第一导电膜构成的数据信号线电连接；源电极或漏电极的另一方通过钝化膜和平坦化膜的开口部与由透光导电膜构成的像素电极连接；以在外围端部中与扫描信号线101以及数据信号线102重合的方式设置像素电极；在辅助电容部中，将由第二导电膜构成的辅助电容线用作下部电极，并将像素电极作为上部电极，仅将钝化膜用作介电薄膜夹在电容电极之间。另外，在本专利技术的一个方式中，为了将源电极或漏电极与像素电极的连接部分中的钝化膜和平坦化膜的开口部，以及辅助电容部中的平坦化膜的开口部同时使用一个光掩模来形成，进行利用多级灰度掩模的光刻。本专利技术的一个方式为一种显示装置，包括透光衬底上的由第一导电膜形成的栅电极；由第一导电膜形成且延伸在一个方向上的数据信号线；设置在第一导电膜上的第一绝缘膜；设置在第一绝缘膜上的半导体膜；设置在第一绝缘膜以及半导体膜上的由第二导电膜形成的源电极以及漏电极；由第二导电膜形成且延伸在与一个方向交叉的方向上的扫描信号线；由第二导电膜形成且延伸在与一个方向交叉的方向上的辅助电容线；设置在第二导电膜上的第二绝缘膜；设置在第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及设置在第三绝缘膜上且其外围端部与数据信号线、扫描信号线或辅助电容线重合的像素电极，其中源电极以及漏电极中的一方与半导体膜以及数据信号线电连接，并且源电极以及漏电极中的另一方与半导体膜以及像素电极电连接，并且栅电极与扫描信号线电连接，并且辅助电容线将第二绝缘膜用作介电薄膜且形成像素电极和辅助电容部。 本专利技术的另外的一个方式为一种显示装置，包括设置在透光衬底上的由第一导电膜形成的栅电极；由第一导电膜形成且延伸在一个方向上的数据信号线；设置在第一导电膜上的第一绝缘膜；设置在第一绝缘膜上的微晶半导体膜；设置在微晶半导体膜上的截面形状为凹状的缓冲层；设置在本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2008.03.31 JP 2008-0892411.一种显示装置，包括 透光衬底上的栅电极，其中所述栅电极包括第一导电材料； 所述透光衬底上的第一线，其中所述第一线包括所述第一导电材料并在一个方向上延伸； 所述栅电极和所述第一线上的具有第一开口的第一绝缘膜； 所述第一绝缘膜上的半导体膜； 所述第一绝缘膜和所述半导体膜上的源电极，其中所述源电极包括第二导电材料； 所述第一绝缘膜和所述半导体膜上的漏电极，其中所述漏电极包括所述第二导电材料； 所述第一绝缘膜上的导电膜，所述导电膜包括所述第二导电材料； 所述第一绝缘膜上的第二线，所述第二线包括所述第二导电材料并在与所述一个方向交叉的方向上延伸； 所述第一绝缘膜、所述源电极和所述漏电极、所述导电膜以及所述第二线上的第二绝缘膜； 所述第二绝缘膜上的具有第二开口的第三绝缘膜； 所述第三绝缘膜上的像素电极，所述像素电极在所述第二开口中与所述第二绝缘膜的一部分接触；以及 与所述第二开口重叠的电容器，所述电容器包括所述第二线、所述第二绝缘膜和所述像素电极， 其中，所述源电极和所述漏电极之一电连接到所述半导体膜和所述第一线， 其中，所述源电极和所述漏电极中的另一个电连接到所述半导体膜和所述像素电极， 其中，所述栅电极在所述第一开口中与所述导电膜接触。2.如权利要求I所述的显示装置，其特征在于，所述像素电极的外围端部与所述第一线和所述第二线重叠。3.如权利要求I所述的显示装置，其特征在于，所述半导体膜具有截面为凹状的部分。4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，还包括 所述半导体膜上的添加有赋予一种导电型的杂质兀素的第一杂质半导体膜和第二杂质半导体膜， 其中，所述源电极和所述漏电极之一与所述第一杂质半导体膜和所述第一线接触；且其中，所述源电极和所述漏电极中的另一个与所述第二杂质半导体膜和所述像素电极接触。5.如权利要求I所述的显示装置，其特征在于，所述第三绝缘膜包括感光性有机树脂材料。6.如权利要求I所述的显示装置，其特征在于，所述第一线和所述第二线夹着所述第一绝缘膜互相交叉。7.如权利要求I所述的显示装置，其特征在于，所述半导体膜包括硅。8.如权利要求I所述的显示装置，其特征在于，还包括液晶元件。9.如权利要求I所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：细谷邦雄，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：
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