【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光学
,特别是涉及一种半导体光刻装置的投影光刻物镜。
技术介绍
目前在半导体加工领域,微米级分辨率的投影光学系统需求日益增加。此类光学系统经常采用低数值孔径的I倍或接近I倍放大倍率设计。中国专利申请2010101309921公开了一种I倍放大倍率的投影光学系统。该专利使用gh线波段,为18片透镜结构,包含4片非球面,加工难度及成本都较高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种投影光刻物镜,能校正畸变、场曲、像散、轴向色差、倍率色差,并实现物像空间的双远心。使用gh线设计,保证足够的曝光光强同时,结构更简单,工作距离更大,大大降低加工难度和成本。本专利技术一种投影光刻物镜,把物面的图像聚焦成像在像面上,从物面开始沿光轴依次包括一具有正光焦度的第一透镜组Gll ; —具有负光焦度的第二透镜组G12 ;—具有正光焦度的第三透镜组G13 ;以及一具有负光焦度的第四透镜组G14;其中,所述透镜组G11、G12、G13、G14满足以下关系0. 09 < I fjfx I < 0. 250. 09 < I f3/f41 < 0. ...
【技术保护点】
一种投影光刻物镜,把物面的图像聚焦成像在像面上,从物面开始沿光轴依次包括:一具有正光焦度的第一透镜组G11;一具有负光焦度的第二透镜组G12;一具有正光焦度的第三透镜组G13;以及一具有负光焦度的第四透镜组G14;其中,所述透镜组G11、G12、G13、G14满足以下关系:?????????????????????????????0.09<|f2/f1|<0.25?????????????????????????????0.09<|f3/f4|<0.25?????????????????????????????0.90<|f3/f2|<1.1其中:f1:第一透镜组G11的焦 ...
【技术特征摘要】
1.一种投影光刻物镜,把物面的图像聚焦成像在像面上,从物面开始沿光轴依次包括 一具有正光焦度的第一透镜组Gll 具有负光焦度的第二透镜组G12 ;—具有正光焦度的第三透镜组G13 ;以及一具有负光焦度的第四透镜组G14 ; 其中,所述透镜组611、612、613、614满足以下关系0. 09 < I fjfx I < 0. 250. 09 < I f3/f41 < 0. 250. 90 < f3/f2 < I. I其中f\ :第一透镜组GlI的焦距;f2 :第二透镜组G12的焦距;f3 :第三透镜组G13的焦距;f4:第四透镜组G14的焦距。2.如权利要求I所述的投影光刻物镜,其中 所述第一透镜组Gll由四片透镜构成,光焦度分别为负、负、正、正; 所述第二透镜组G12由三片透镜构成,光焦度依次为负、正、正; 所述第三透镜组G13由三片透镜构成,光焦度依次为负、正、正; 所述第四透镜组G14由四片透镜构成,光焦度依次为负、负、正、正。3.如权利要求2所述的投影光刻物镜,其中 所述第一透镜组Gll的第一透镜11为双凹式负透镜;第二透镜12为凹面面向物面的弯月式的负透镜;第三透镜13为凹面弯向物面的弯月式的正透镜;第四透镜14为双凸式正透镜; 所述第二透镜组G12的第一透镜15为双凹式负透镜,第二透镜16、第三透镜17为正透镜; 所述第三透镜组G13的...
【专利技术属性】
技术研发人员:武珩,刘国淦,
申请(专利权)人:上海微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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