【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电
，特别是能提高发光效率的发光二极管及其制备方法。
技术介绍
半导体被广泛应用于固态照明光源，其绿色节能的特点被普遍关注，其具有发热量低、耗电量小、寿命长、反应速度快、体积小可平面封装等优点，使半导体照明有望成为下一代照明光源。氮化镓半导体材料由于其高导热，宽带隙，高稳定性等特征用于制造发光二极管受到广大关注，由于近年来外延设备和技术的进步，很大程度上提升了发光二极管的外延质量，使其内量子效率得到显著提升。目前发光二极管在汽车内外灯光、显示器背光、室外景观照明，便携式系统闪光灯、投影仪光源、广告灯箱、电筒、交通灯等都有广泛应用。发光二极管的一般制造方法是在蓝宝石衬底上生长氮化镓基材料，P型和N型电极同方向，而且N型电极被刻蚀出来，造成很大面积的有源区被刻蚀掉，直接影响到发光效率。现有技术中，为了提高发光效率，如中国专利公开号为CN101017876的《一种氮化镓发光二极管管芯及其制造方法》，它将蓝宝石衬底刻蚀穿，与N型氮化镓接触制作N型电极，减少有源区刻蚀损失；如中国专利公开号为CN1123937C的《以蓝宝石为基板的蓝光发光二极管及其制造方法》，它提出在蓝宝石基板上设置刻蚀通道。上述技术，由于蓝宝石衬底的刻蚀工艺困难，不便于大量生产。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本专利技术的目的是提供。它可以有效提高发光效率，提升芯片的质量和性能，具有工艺简单，适宜大量生产的特点。为了达到上述专利技术目的，本专利技术的技术方案以如下方式实现 一种提高发光效率的发光二极管，它包括衬底上方的依次由N型半导体层、发光层和P型半导体层组成的发...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种提高发光效率的发光二极管，它包括衬底(I)上方的依次由N型半导体层、发光层和p型半导体层组成的发光结构(2)，发光结构(2)的一端设置P型电极，与P型电极相对的另一端设置N型电极(7)，其特征在于，所述N型电极(7)下方设有刻蚀孔(3)，刻蚀孔(3)侧壁设置SiO2保护层(5)。2.根据权利要求I所述的发光二极管，其特征在于，所述刻蚀孔(3)直径为3-20ym。3.一种提高发光效率的发光二极管的制备方法，具体步骤为 (D在衬底(I)上分别外...
【专利技术属性】
技术研发人员：张雪亮，
申请(专利权)人：同方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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