一种改善硅外延片翘曲度的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善硅外延片翘曲度的方法，属于硅外延片技术领域。其包括下述步骤：（1）准备硅外延片：制取新的硅外延片或取需修复的硅外延片；（2）退火：将准备的硅外延片放入反应室，在650-1050℃下保温10-30min；用10-15分钟降温至≤300℃，将硅外延片取出反应室。本发明专利技术的方法可以使翘曲度(WARP)不合格的硅外延片进行退火处理后成为合格品，而且可与外延工艺兼容，有效的改善硅外延片的翘曲度，大大提高了成品的精度及合格率，可变废为宝，成本低，效率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅外延片
，尤其涉及。
技术介绍
硅外延片是一种广泛应用于各种半导体器件及集成电路的半导体材料，被广泛应用于风能、太阳能、汽车、手机、家电等产品中。硅外延片的翘曲度(WARP)主要是在高温工艺中，硅外延片中形成的热应力使硅片发生塑性形变.在超大规模集成电路(VLSI)微米和亚微米线宽的自动化设备中，翘 曲严重影响光刻的精确度，甚至使光刻无法进行。减小硅片翘曲度就意味着可进一步减小线宽，提高集成度.改善电路性能。目前控制硅外延片翘曲度的方法主要是通过控制和筛选衬底材料的翘曲度(WARP)来实现，该方法的缺点是1)大大降低了衬底材料的成品率；2)对背面有多晶硅背封的衬底材料，衬底的翘曲度(WARP)数值和外延后的大小并不对应，因此这种筛选方法并不能有效控制外延后的翘曲度(WARP) ;3)对外延后因为翘曲度(WARP)造成的不合格无法返工或修复。
技术介绍
硅外延片是一种广泛应用于各种半导体器件及集成电路的半导体材料，被广泛应用于风能、太阳能、汽车、手机、家电等产品中。硅外延片的翘曲度(WARP)主要是在高温工艺中，硅外延片中形成的热应力使硅片发生塑性形变.在超大规模集本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种改善硅外延片翘曲度的方法，其特征在于包括下述步骤 (1)准备硅外延片制取新的硅外延片或取需修复的硅外延片； (2)退火将准备的硅外延片放入反应室，在650-1050°C下退火10-30min;用10-15分钟降温至≤300°C，将硅外延片取出反应室。2.根据权利要求I所述的ー种改善硅外延片翘曲度的方法，其特征在于步骤(I)中所述的新的硅外延片的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵丽霞，高国智，
申请(专利权)人：河北普兴电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：