一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，其中，包括以下步骤：提供一衬底；在衬底上沉积一层第一低介电常数介质层，包括金属-氧化物-金属制作区域和非金属-氧化物-金属制作区域；采用沉积和含氧气体处理循环方式，在第一低介电常数介质层上沉积一层氧化硅层，包括金属-氧化物-金属区域的第一氧化硅层和非金属-氧化物-金属区域的第二氧化硅层；刻蚀第二氧化硅层；在非金属-氧化物-金属区域的上方沉积一层第二低介电常数介质层；刻蚀第一氧化硅层，形成第一金属槽，刻蚀第二低介电常数介质层，形成第二金属槽；向第一金属槽和第二金属槽进行金属填充工艺。本发明专利技术改善了电容器的各电特性并提高了电学均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子领域，尤其涉及。
技术介绍
电容器是集成电路中的重要组成单元，广泛运用于存储器，微波，射频，智能卡，高压和滤波等芯片中。在芯片中广为采用的电容器构造是平行于硅片衬底的金属-绝缘体-金属(MIM)。其中金属是制作工艺易与金属互连工艺相兼容的铜、铝等，绝缘体则是氮化硅、氧化硅等高介电常数(k)的电介质材料。改进高k电介质材料的性能是提高电容器性能的主要方法之一。等离子体增强型化学气相沉积方法(PECVD, Plasma Enhanced Chemical VaporD印osition )因其沉积温度低而被广泛用于金属互连工艺中的薄膜沉积。例如，利用PEV⑶方法，通过硅烷和一氧化二氮反应生成氧化硅薄膜，然而，利用PECVD方法制作的氧化硅薄 膜内残留大量的硅氢键(Si-H)，使其内存在较多电荷，这导致该氮化硅薄膜在电性厚度方法的均匀性较差，利用该氧化硅薄膜制作的M頂电容器的击穿电压、漏电流等个电特性方面也相应较差。并且，随着芯片尺寸的减少，以及性能对大电容的需求，如何在有限的面积下获得高密度的电容成为一个非常有吸引力的课题。随着半导体集成电路制造技术的不断进步，性能不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤 提供一衬底； 在所述衬底上沉积一层第一低介电常数介质层，所述第一低介电常数介质层包括金属-氧化物-金属制作区域和非金属-氧化物-金属制作区域； 采用沉积步骤和含氧气体处理步骤循环进行的方式，在所述第一低介电常数介质层上沉积一层氧化硅层，所述氧化硅层包括金属-氧化物-金属区域的第一氧化硅层和非金属-氧化物-金属区域的第二氧化硅层； 刻蚀去除所述第二氧化硅层； 在所述非金属-氧化物-金属区域的上方再沉积一层第二低介电常数介质层； 刻蚀所述第一氧化硅层，形成第一金属槽，并且刻蚀所述第二低介电常数介质层，形成第二金属槽； 向所述第一金属槽和所述第二金属槽进行金属填充工艺。2.如权利要求I所述的金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，其特征在于，所述含氧气体包括一氧化氮、一氧化二氮、一氧化碳和二氧化碳。3.如权利要求I所述的金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，其特征在于，在所述沉积步骤和含氧气体处理步骤的循环方式中，含氧气体处理的气体流量在20...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛智彪，胡友存，徐强，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：