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一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法技术
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文档序号:7846688
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本发明公开了一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法,其中,包括以下步骤:提供一衬底;在衬底上沉积一层第一低介电常数介质层,包括金属-氧化物-金属制作区域和非金属-氧化物-金属制作区域;采用沉积和含氧气体处理循环方式,在第一低介电常数介质层上...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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