一种低损耗铌酸锂条型波导和分支结构的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种低损耗铌酸锂条型波导和分支结构的制备方法，采用多能量中/重离子注入，注入离子的能量范围是2MeV~6MeV，注入后采用温度由低到高阶梯式退火处理，温度范围200℃~500℃,逐渐增加退火温度，每次增加温度的间隔至少15℃，每一退火温度下的退火时间为20min~60min。多能量注入减小了漏光损耗，多温度梯度退火在减少吸收和散射损耗的同时确保折射率减小层的稳定，采用本发明专利技术中的方法我们已经在铌酸锂晶体上获得了损耗只有0.17dB的能够在1.5微米波段传输的单模条形波导和分支器，这是目前能够测到的离子注入波导损耗的最小值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种以铌酸锂晶体为材料的光电器件的制备方法，属于光电材料

技术介绍
现有技术中有用离子注入的方法以铌酸锂晶体为材料制作光电器件，如MonomodeOptical waveguide in Lithium Niobate formed by MeV Si+ion implantation,Hui Hu,etal, Journal of Applied Physics, 89 (2001) 5224。最接近的方法是采用 H，He，0，F，Si，Ni注入形成平面或条形光波导。其中采用H与He注入是最常用的方法，所采用的注入剂量位于 1016ionS/cm2数量级。采用0，F，P，Si，Ni的方法也可以形成波导，注入剂量位于1013 1015ionS/Cm2。这些方法中的注入过程均为一次能量注入，形成的折射率减小层的厚度小于I微米，光传输时会产生大的漏光损耗。注入后的热处理是减小散射和吸收损耗的常用方法，以往的方法中退火处理的范围和时间均是跨度大周期短，即退火温度的选择不连续，退火时间不超过I小时。因此无法获得低损耗的波导。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服上述制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低损耗铌酸锂条型波导和分支结构的制备方法，其特征是，包括步骤如下 (1)将铌酸锂材做清洁处理； (2)采用多能量中/重离子常温下注入铌酸锂材料，先注入高能量的离子，然后根据由高到低的原则依次注入，注入离子能量范围是2MeV飞MeV，注入离子总剂量范围IX IO13离子/平方厘米X IO16离子/平方厘米 (3)注入后进行退火处理，用温度由低到高阶梯式退火，温度范围200°C飞00°C，退火总时间I 20小时。2.根据权利要求I所述的低损耗铌酸锂条型波导和分支结构的制备方法，其特征是，步骤(2)中中/重离子为O离子、F离子或Si离子。3.根据权利要求2所述的低损耗铌...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡卉，卢霏，王雪林，陈峰，王克明，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：