本发明专利技术公开了一种水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸修饰的CdTe/CdS核/壳量子点的制备方法。方法第一步、在氮气保护下，将碲氢化钠、镉盐和N-乙酰-L-半胱氨酸按一定摩尔比混合在60～100°C加热回流1～120min，将溶液冷却至室温，得到CdTe量子点溶液；第二步、在氮气保护下，在第一步得到的CdTe量子点溶液中加入N-乙酰-L-半胱氨酸、镉盐和硫化物，按一定摩尔比混合在60～100°C加热回流1～120min，将溶液冷却至室温，得到水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点溶液。本发明专利技术的优点：1.原料易得，成本低，操作简单安全。2.采用本发明专利技术所制备的CdTe/CdS核/壳型量子点水溶性非常好、荧光发射波长可调、荧光量子产率高和生物相容性好的优点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于纳米材料、分析化学、生物医学领域，具体涉及。
技术介绍
量子点是一种无机半导体纳米材料，又常被称为胶体颗粒、纳米微晶等，主要是由II-VI族元素组成的纳米团簇，其结构中通常含有数百到数万个原子。与传统的有机荧光染料相比，半导体荧光纳米量子点具有激发光谱宽且连续分布、发射光谱窄而对称分布、发射波长随粒径和组成可调、一元激发、多元发射、荧光稳定性高、抗光漂白性能好等优异的光谱性质，使得量子点在生化检测和生物医学领域都得到了相当广泛的应用。因此，发展荧光发射波长可调、荧光量子产率高、生物相容性好的高性能水溶性量子点的合成方法，已成为量子点合成方面的关注焦点。目前，关于水溶性CdTe量子点的制备报道已有很多。这些CdTe量子点表面的Te极易被氧化，导致CdTe量子点的稳定性较差。由于CdTe量子点表面存在的大量非辐射复合中心，导致CdTe量子点荧光性能较差且荧光发射光谱较宽。可通过在CdTe量子点表面包裹一层CdS，达到有效提高量子点荧光量子产率和荧光稳定性的目的。此外，由于这些CdTe量子点主要是采用巯基乙酸、巯基丙酸和巯基乙胺类小分子作为修饰剂，这类小分子稳定较差、易挥发出恶臭味、毒性大、有致癌性、生物相容性差，大大限制了这些CdTe量子点在生化分析和生物医学领域内的应用。因此，研究一种稳定性高、环境友好、生物相容性好的修饰剂制备的水溶性、荧光发射波长可调、荧光量子产率高的CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法成为生物医学领域的关键技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸修饰的CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下。一种水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸修饰的CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法，操作步骤如下第一步、在氮气保护下，将碲氢化钠NaHTe溶液加入到pH值为8. O 13. O的镉盐和N-乙酰-L-半胱氨酸溶液中，使得Cd2+ N-乙酰-L-半胱氨酸NaHTe的摩尔比为I : I 4 : O. I O. 9，在60 100° C加热回流I 120min，将溶液冷却至室温，得到CdTe量子点溶液。第二步、在氮气保护下，在第一步得到的CdTe量子点溶液中加入N-乙酰-L-半胱氨酸，镉盐和硫化物，调节PH值为8. O 13.0，使得Cd2+ N-乙酰-L-半胱氨酸S2_的摩尔比为I : I 5 O. I O. 8，在60 100° C加热回流l_120min，将溶液冷却至室温，得到荧光发射波长可调、荧光量子产率高的水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点溶液。上述的反应所用的镉盐为氯化镉、溴化镉或碘化镉。上述的反应所用的締粉为含量99. 8%,规格200目的締粉。 上述的反应所用的硫化物为硫化钠或硫化钾。上述的反应所用的修饰剂为稳定性高、环境友好、生物相容性好的N-乙酰-L-半胱氨酸。本专利技术的优点 I.本专利技术直接在水溶液中合成CdTe/CdS核/壳型量子点，原料易得，成本低，操作简单安全。2.采用本专利技术所制备的CdTe/CdS核/壳型量子点水溶性非常好、荧光发射波长可调(520-720nm)、荧光量子产率高(35-50%)和生物相容性好的优点，可作为新型荧光标记物用于生化分析和生物医学领域。附图说明图I为本专利技术制备得到的CdTe/CdS核/壳型量子点的紫外-可见吸收光谱图。图中a e是实施例3至实施例7中得到的具有不同发射波长的CdTe/CdS核/壳型量子点的紫外-可见吸收光谱图。图2为本专利技术制备得到的CdTe/CdS核/壳型量子点的荧光光谱图；图中a e是实施例3至实施例7中得到的具有不同发射波长的CdTe/CdS核/壳型量子点的荧光光谱图。具体实施例方式为了更好的理解本专利技术，下面结合具体的实施例对本专利技术做进一步的详细阐述。应理解，以下实施例只是本专利技术的一些优选实施方式，目的在于更好地阐述本专利技术的内容，而不是对本专利技术的保护范围产生任何限制。实施例I一种水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸修饰的CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法，其步骤如下第一步、在氮气保护下，将碲氢化钠NaHTe溶液加入到pH值为8.0的氯化镉和N-乙酰-L-半胱氨酸溶液中，使得Cd2+ N-乙酰-L-半胱氨酸NaHTe的摩尔比为1:1: 0.1，在60° C加热回流lmin，将溶液冷却至室温，得到CdTe量子点溶液；第二步、在氮气保护下，在第一步得到的CdTe量子点溶液中加入N-乙酰_L_半胱氨酸，氯化镉和硫化钠，调节PH值为8.0，使得Cd2+ N-乙酰-L-半胱氨酸￥_的摩尔比为I : I : 0.1，在60° C加热回流lmin，将溶液冷却至室温，得到荧光发射波长可调、荧光量子产率高的水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点溶液。实施例2一种水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸修饰的CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法，其步骤如下第一步、在氮气保护下，将碲氢化钠NaHTe溶液加入到pH值为10.0的溴化镉和N-乙酰-L-半胱氨酸溶液中，使得Cd2+ N-乙酰-L-半胱氨酸NaHTe的摩尔比为1:2: O. 5，在80° C加热回流60min，将溶液冷却至室温，得到CdTe量子点溶液；第二步、在氮气保护下，在第一步得到的CdTe量子点溶液中加入N-乙酰_L_半胱氨酸，溴化镉和硫化钾，调节PH值为10.0，使得Cd2+ N-乙酰-L-半胱氨酸S2_的摩尔比为I : 3 : O. 5，在60° C加热回流80min，将溶液冷却至室温，得到荧光发射波长可调、荧光量子产率高的水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点溶液。实施例3一种水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸修饰的CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法，其步骤如下第一步、在氮气保护下，将碲氢化钠NaHTe溶液加入到pH值为13. O的碘化镉和N-乙酰-L-半胱氨酸溶液中，使得Cd2+ N-乙酰-L-半胱氨酸NaHTe的摩尔比为 1:4: O. 9，在100。C加热回流120min，将溶液冷却至室温，得到CdTe量子点溶液；第二步、在氮气保护下，在第一步得到的CdTe量子点溶液中加入N-乙酰_L_半胱氨酸，碘化镉和硫化钠，调节PH值为13.0，使得Cd2+ N-乙酰-L-半胱氨酸S2_的摩尔比为I : 5 : O. 8，在100° C加热回流50min，将溶液冷却至室温，得到荧光发射波长可调、荧光量子产率高的水溶性CdTe/CdS核/壳型量子点溶液a。实施例4一种水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸修饰的CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法，其步骤如下第一步、同实施例3的第一步。第二步、其余条件均与实施例3的第二步相同,仅反应时间改为59min,则得到量子点溶液b。实施例5一种水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸修饰的CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法，其步骤如下第一步、同实施例3的第一步。第二步、其余条件均与实施例3的第二步相同,仅反应时间改为68min,则得到量子点溶液C。实施例6一种水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸修饰的CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法，其步骤如下第一步、同实施例3的第一步。第二步、其余条件均与实施例3的第二步相同,仅反应时间改为81min,则得到量子点溶液d。实施例7本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸修饰的CdTe/CdS核/壳型量子点的制备方法，其特征在于，操作步骤如下 第一步、在氮气保护下，将碲氢化钠NaHTe溶液加入到pH值为8. O 13. O的镉盐和N-乙酰-L-半胱氨酸溶液中，使得Cd2+ N-乙酰-L-半胱氨酸NaHTe的摩尔比为I : I .4 O. I O. 9，在60 100。C加热回流I 120min，将溶液冷却至室温，得到CdTe量子点溶液； 第二步、在氮气保护下，在第一步得到的CdTe量子点溶液中加入N-乙酰-L-半胱氨酸，镉盐和硫化...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖琦，黄珊，苏炜，
申请(专利权)人：广西师范学院，
类型：发明
国别省市：
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