【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ー种大尺 寸晶体生长的新型装置。
技术介绍
磷酸铝晶体是近年发现的一种较好的压电晶体，具有很高的机电耦合系数，磷酸铝晶体的体波的机电藕合系数是石英的2. 5倍，对表面波，已计算的温度补偿方位的磷酸铝机电耦合系数是石英ST切型的4倍。这使得磷酸铝晶体是用于高频振荡器的理想单晶材料，它极有希望用于千兆赫的频率范围。磷酸铝晶体还具有零温度补偿切型，即使环境温度变化，其某些方向的谐振频率仍能保持稳定。另外其相变温度比较高，物理化学性质稳定性好，因此工作环境适应性強。除此以外，和石英晶体一祥容易切割和加工。磷和铝都是很普通的材料，价格便宜。磷酸铝晶体的生长和石英一祥，采用水热法。但它的生长温度和压力比石英晶体低的多，这样既节约能源又有利于安全，同时对生长设备高压釜的要求比较低，是ー种有前途的宽频带高品质压电晶体，可望广泛用于高端振荡器、滤波器、延迟线等器件。垂直温差法是目前生长大尺寸磷酸铝晶体的较好方法，它通过将培养料在冷区溶解，然后在热区的籽晶上结晶，依靠高压釜内的溶液維持温差对流而形成过饱和状态，实现晶体稳定的连续生长，可应用于批量的磷酸铝晶体的エ业結晶。但是磷酸铝晶体在磷酸溶液中溶解度的温度系数为负值，当晶体生长完成后，高压釜需要降回到室温，为了减少晶体热应力，通常降温速率比较慢，这就导致晶体回融，使得晶体的外形变差，晶体的利用率下降。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供ー种结构简单，能有效解决晶体回融问题的大尺寸晶体生长的新型装置。为了达到上述目的，本技术采用以下方案—种大尺寸晶体生长的新型装置，包括釜体，所述的釜体包括有外壳...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.ー种大尺寸晶体生长的新型装置，包括釜体(I)，所述的釜体(I)包括有外壳(11)，在所述的釜体外壳(11)内设有内衬层(12)，其特征在于所述釜体(I)内上部的直径大于釜体(I)内下部的直径。2.根据权利要求I所述的ー种大尺寸晶体生长的新型装置，其特征在于在所述的釜体(I)中间设有缓冲器(2)。3.根据权利要求I所述的ー种大尺寸晶体生长的新型装置，其特征在于在所述的釜体(I)上端设有可以承受釜体(I)倒立放置的釜盖(3)。4.根据权利要求I所述的ー种大尺寸晶体生长的新型...
【专利技术属性】
技术研发人员：翟剑庞，成关勇，黄镜蓁，吴焕逸，
申请(专利权)人：中山兆龙光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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