半导体装置和电子装置制造方法及图纸

为了抑制半导体装置中的信号的变化。通过抑制变化，例如能够抑制在半导体装置上显示图像中的条纹图案的形成。在不同时间段中进入浮态的两个相邻信号线之间的距离(G1)比在相同时间段中进入浮态的两个相邻信号线之间的距离(G0、G2)要长。因此，因电容耦合引起的信号线的电位的变化能够得到抑制。例如，在信号线是有源矩阵显示装置中的源极信号线的情况下，所显示图像中的条纹图案的形成能够得到抑制。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置。具体来说，本专利技术涉及通过有源矩阵驱动来显示图像的半导体装置。此外，本专利技术涉及包括半导体装置的电子装置。注意，本说明书中的半导体装置表示通过利用半导体特性进行操作的所有装置。
技术介绍
广泛使用通过有源矩阵驱动来显示图像的半导体装置(下文中，这种装置又称作有源矩阵显示装置)。半导体装置包括显示图像的像素部分以及控制像素部分中的图像的显示的驱动器电路。具体来说，在半导体装置中，输入到以矩阵布置在像素部分中的多个像 素的图像信号由驱动器电路来控制，并且这样显示图像。注意，驱动器电路以及设置在像素部分中的多个像素各具有晶体管。从降低制造成本并且降低这种半导体装置的尺寸和重量的观点来看，期望各像素中包括的晶体管以及驱动器电路或者驱动器电路的一部分中包括的晶体管在相同衬底之上形成。注意，这些晶体管所要求的特性相互不同。例如，要求各像素中包括的晶体管在玻璃衬底之上形成(通过低温过程来形成)，而要求驱动器电路中包括的晶体管以高频率来驱动。因此，能够通过诸如等离子体CVD之类的低温过程来形成的晶体管作为各像素中包括的晶体管是优选的，而具有高场效应迁移率的晶体管作为驱本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.01.15 JP 2010-0064191.一种半导体装置，包括 第一至第η开关(η为2或更大的自然数)，配置成在第一时间段中接通而在第二时间段中关断； 第(η+1)至第m开关(m为n+2或更大的自然数)，配置成在第一时间段中关断而在第ニ时间段中接通； 第一至第η信号线；以及 第(η+1)至第m信号线， 其中信号在所述第一时间段中通过所述第一开关提供给所述第一信号线，并且所述第一信号线在所述第二时间段中处于浮态， 其中信号在所述第一时间段中通过所述第η开关提供给所述第η信号线，并且所述第η信号线在所述第二时间段中处于浮态， 其中所述第(η+1)信号线在所述第一时间段中处于浮态，并且信号在所述第二时间段中通过所述第(η+1)开关提供给所述第(η+1)信号线， 其中所述第m信号线在所述第一时间段中处于浮态，并且信号在所述第二时间段中通过所述第m开关提供给所述第m信号线， 其中所述第一至第m信号线是平行或近似平行的， 其中所述第η信号线与所述第(η+1)信号线之间的距离比所述第(η-i)信号线与所述第η信号线之间的距离要长，并且比所述第(η+1)信号线与所述第(n+2)信号线之间的距离要长。2.根据权利要求I所述的半导体装置， 其中，信号通过相同布线提供给所述第一至第η信号线的任一个以及所述第(η+1)至第m信号线的任ー个。3.根据权利要求I所述的半导体装置， 其中，满足m=2n。4.根据权利要求I所述的半导体装置， 其中，所述第一至第m开关是第一至第m晶体管。5.根据权利要求4所述的半导体装置， 其中，所述第一至第m晶体管以规则间隔或者以近似规则间隔分开，并且所述第一至第m晶体管的沟道长度方向垂直或近似垂直于所述第一至第m信号线， 其中所述第η晶体管的源极端子和漏极端子其中之一比所述第η晶体管的源极端子和漏极端子中的另ー个更接近所述第(η+1)晶体管， 其中所述第(η+1)晶体管的源极端子和漏极端子其中之一比所述第(η+1)晶体管的源极端子和漏极端子中的另ー个更接近所述第η晶体管， 其中所述第η晶体管的源极端子和漏极端子中的另ー个电连接到所述第η信号线，以及 其中所述第(η+1)晶体管的源极端子和漏极端子中的另ー个电连接到所述第(η+1)信号线。6.根据权利要求4所述的半导体装置， 其中，所述第一至第m晶体管的沟道形成区包括氧化物半导体。7.根据权利要求4所述的半导体装置， 其中，包括控制所述第一至第m晶体管的开关的移位寄存器电路，以及 其中所述移位寄存器电路包括其沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管。8.根据权利要求I所述的半导体装置， 其中，电子装置包括所述半导体装置。9.一种半导体装置，包括 第一至第η开关(η为2或更大的自然数)，配置成在第一时间段中接通而在第二时间段中关断； 第(η+1)至第m开关(m为n+2或更大的自然数)，配置成在第一时间段中关断而在第ニ时间段中接通； 第一至第η源极信号线；以及 第(η+1)至第m源极信号线， 其中图像信号在所述第一时间段中通过所述第一开关提供给所述第一源极信号线，井且所述第一源极信号线在所述第二时间段中处于浮态， 其中图像信号在所述第一时间段中通过所述第η开关提供给所述第η源极信号线，井且所述第η源极信号线在所述第二时间段中处于浮态， 其中所述第(η+1)源极信号线在所述第一时间段中处于浮态，并且信号在所述第二吋间段中通过所述第(η+1)开关提供给所述第(η+1)源极信号线， 其中所述第m源极信号线在所述第一时间段中处于浮态，并且信号在所述第二时间段中通过所述第m开关提供给所述第m源极信号线， 其中所述第一至第m源极信号线是平行或近似平行的， 其中所述第η源极信号线与所述第(η+1)源极信号线之间的距离比所述第(η-i)源极信号线与所述第η源极信号线之间的距离要长，并且比所述第(η+1)源极信号线与所述第(n+2)源极信号线之间的距离要长。10.根据权利要求9所述的半导体装置， 其中，信号通过相同布线提供给所述第一至第η源极信号线的任一个以及所述第(η+1)至第m源极信号线的任ー个。11.根据权利要求9所述的半导体装置， 其中，满足m=2n。12.根据权利要求9所述的半导体装置， 其中，所述第一至第m开关是第一至第m晶体管。13.根据权利要求12所述的半导体装置， 其中，所述第一至第m晶体管以规则间隔或者以近似规则间隔分开，并且所述第一至第m晶体管的沟道长度方向垂直或近似垂直于所述第一至第m源极信号线， 其中所述第η晶体管的源极端子和漏极端子其中之一比所述第η晶体管的源极端子和漏极端子中的另ー个更接近所述第(η+1)晶体管， 其中所述第(η+1)晶体管的源极端子和漏极端子其中之一比所述第(η+1)晶体管的源极端子和漏极端子中的另ー个更接近所述第η晶体管， 其中所述第η晶体管的源极端子和漏极端子中的另ー个电连接到所述第η源极信号线，以及 其中所述第(η+1)晶体管的源极端子和漏极端子中的另ー个电连接到所述第(η+1)源极信号线。14.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：宍戶英明，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：