本发明专利技术涉及陶瓷电容器领域，通过采用预烧后的BaO-Nd2O3-TiO2陶瓷粉体，在其中添加预先合成的CaO-B2O3-SiO2(CBS)玻璃粉，与溶剂、分散剂、增塑剂球磨分散一定时间后，添加粘结剂，得到的浆料进行流延、成型、烧结后再镀上端电极，即得本发明专利技术所述的微波陶瓷电容器，通过该方法制备的微波陶瓷电容器在采用流延法配制浆料时，不会出现颗粒团聚、粘度异常等现象，流延成型效果好；且烧成温度低，有助于降低生产成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电容器领域，尤其是涉及。
技术介绍
微波介质陶瓷通常应用在通讯领域，具有无可比拟的优势。但是传统的高し高Q微波介质陶瓷的烧结温度很高，在1200 1500°C之间，材料用于制作多层结构电容器时，对内置电极的要求很高，一般用Pt、Pd、Au合金或者高Pd电极，生产成本很高。添加低熔点氧化物在如或玻璃相，可以实现低温共烧。但是由于添加相破坏了晶格结构，微波介电性能损失极大；另外B203、Bi203、V2O5等氧化物的存在,在采用流延法配制楽;料时,会出现颗粒团聚、粘度异常等现象，造成流延成型困难。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于克服上述现有技术的不足，而提出一种，该方法不会造成流延成型困难的问题。本专利技术解决上述技术问题采用的技术方案包括提供一种微波陶瓷电容器的制备方法，该方法包括下列步骤(I)陶瓷粉体制备采用预烧后的采用BaO、Nd203、TiO2原材料预烧形成Ba4Nd9. Ji18O54陶瓷粉体，该预烧温度为800°C 950°C ；(2)浆料制备再在预烧后的陶瓷粉体里添加溶剂、分散剂、增塑剂球磨分散一定时间后，添加粘结剂，得到浆料；(3)流延膜片将上述制备的浆料进行流延制得介质膜片；(4)成型烧结将介质膜片进行成型，然后进行烧结，烧结温度为850°C下保温O. 5h 2h，再升温到900°C 1050°C下保温2h 4h烧成，得到无电极的电容器结构；(5)端电极制作再将上述到无电极的电器结构镀上端电极，即得微波陶瓷电容器。本专利技术更进ー步的优选方案是上述(2)步骤中，陶瓷粉体里添加还CaO-B2O3-SiO2玻璃粉，该CaO-B2O3-SiO2玻璃粉的质量占陶瓷粉体质量分数的1% 6%。本专利技术更进ー步的优选方案是所述的陶瓷粉体的料度为80 lOOnm。本专利技术更进ー步的优选方案是所述的陶瓷粉体的预烧温度为900°C。本专利技术更进ー步的优选方案是上述(4)步骤中，烧结温度为850°C下保温lh，再升温到925°C下保温3h烧成，得到无电极的电容器结构。同现有技术相比，本专利技术通过将BaO-Nd2O3-TiO2陶瓷粉体在800°C 950°C进行预烧后再添加CaO-B2O3-SiO2玻璃粉，B2O3已通过共价键与Ca、Si形成网络结构，与B2O3的性质有很大差异，故而不易挥发，其在采用流延法配制浆料吋，不会出现颗粒团聚、粘度异常等现象，流延成型效果好。附图说明图I是本专利技术的微波陶瓷电容器烧成制度示意图；图2是本专利技术的微波陶瓷电容器制作エ艺流程图。具体实施例方式以下结合最佳实施例将本专利技术作进ー步详述。本专利技术实施例提供一种微波陶瓷电容器的制备方法，首先采用起始粒度为80 IOOnm的BaO-Nd2O3-TiO2 (BNT)粉体，在800で 950°C预烧后形成钨青铜结构的Ba4Nd9.3Ti18054，该预烧温度比传统的预烧温度降低了 200°C。该预烧温度优选900°C。再在预烧后的陶瓷粉体里添加溶剂、分散剂、增塑剂球磨分散12h后，添加粘结剂。得到的浆料 进行流延、成型、烧结后成为无电极的微波陶瓷，该烧结温度为850°C下保温O. 5h 2h，再升温到900°C 1050°C下保温2h 4h烧成，得到无电极的电容器结构；本专利技术优选的方案是烧结温度为850°C下保温lh，再升温到925°C下保温3h烧成，得到无电极的电容器结构。该烧结时的温度示意图如图I所示。本专利技术实施例所述的陶瓷粉体里还添加预先合成的CaO-B2O3-SiO2(CBS)玻璃粉，CaO B2O3 SiO2质量比为40 20 40，本专利技术对添加CBS的质量分数为0%、I %、2%、4%和6%的陶瓷体进行了微波性能测试，得到的结果如下 组成烧结温度(°C) 介电常数^ f τ f (ppm°CD1) BNT120082. 21020060. 4 BNT-ICBS92573690023. I BNT-2CBS92575740017. 5 BNT-4CBS92570580039. 2 BNT-6CBS92568560038. 2从上表中可以看出，添加CBS后，BNT微波陶瓷的烧结温度明显下降，在925°C烧成后的样品的微波性能特点如下I.由于CBS的介电常数为5，在BNT中添加部分CBS后介电常数稍有下降，在CBS添加量为1%吋，烧结过程中产生的液相较少，925°C并非最佳烧成温度，可能需要更高温度才能烧成，因而陶瓷不够致密，气孔率大；2.由于CBS主要是作为玻璃相存在于陶瓷中，BNT的晶格结构被破坏，因而导致QXf有所下降，且随着添加量的增加QXf减小；3. BNT与CBS复合之后，τ f由于补偿作用而有所下降。综上，BNT微波陶瓷中添加CBS后，烧结温度明显下降，综合微波性能可以满足制备微波陶瓷电容器的要求。本专利技术实施例的制备方法通过在流延得到的介质膜片上印刷电极之后再采用相同エ艺成型、烧结、烧制外电极、电镀之后得到微波电容器，性能如下本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微波陶瓷电容器的制作方法，其包括下列步骤 (1)陶瓷粉体制备采用BaO、Nd203、Τ 02原材料进行预烧，形成Ba4Nd9.3Τ 18054陶瓷粉体，该预烧温度为800°C 950°C ； (2)浆料制备在预烧后的陶瓷粉体里添加溶剂、分散剂、增塑剂，球磨分散一定时间后，添加粘结剂，得到浆料； (3)流延膜片将上述制备的浆料进行流延制得介质膜片； (4)成型烧结将介质膜片进行成型，然后进行烧结，烧结温度为850°C下保温O.5h 2h，再升温到900°C 1050°C下保温2h 4h烧成，得到无电极的电容器结构； (5)端电极制作再将上述到无电极的电器结构镀上端电极，...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴浩，
申请(专利权)人：吴浩，
类型：发明
国别省市：
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