一种新型晶圆级焊锡微凸点的制作方法，属于半导体芯片封装领域。本发明专利技术首先利用以曝光显影形成开口的光刻胶作为掩膜，在凸点下金属层上依次电镀铜层、阻挡层、焊料合金，并使得焊料合金完全包裹住底部的铜层‑阻挡层。然后通过先回流后去胶的方法形成焊锡微凸点，最后以微凸点作为刻蚀掩膜利用湿法刻蚀工艺去除多余的凸点下金属层。本发明专利技术能够避免凸点下金属层进行各向同性刻蚀时凸点层的电镀铜受到过度刻蚀，避免微凸点回流塌陷发生桥接，进而提高微凸点及封装产品的可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶圆级微凸点的制作方法，属于半导体芯片封装领域。
技术介绍
随着各类电子产品不断向高集成度、高性能、轻量化和微型化方向发展，电子封装的封装密度也越来越高，芯片的I/O数也越来越多。为了满足这些要求，产生了诸如BGA、CSP,Flip Chip等先进封装形式。但无论是何种封装形式，晶圆级封装以其高度整合、可降低产品成本、缩短制造时间等优势，正逐渐成为主流封装技术。鉴于此，晶圆级封装中一个关键技术一一微凸点技术也正在朝着小尺寸、细节距、高密度的方向发展。现有的微凸点制作工艺包括:沉积凸点下金属层、涂覆光刻胶、曝光和显影、电镀、刻蚀凸点下金属层、涂覆助焊剂、回流、去除助焊剂等。在现有的工艺中，刻蚀凸点下金属层时将整片晶圆浸入刻蚀溶液中，以电镀焊锡微凸点为刻蚀掩膜进行各向同性湿法刻蚀，该工艺的一个主要缺点就是电镀铜层的“底切(Undercut)”问题，如图1所示。这是由于采用PVD方式形成的铜、钛的密度要高于电镀铜的密度，因而位于凸点下金属铜层上的电镀铜层易受到过度刻蚀，在阻挡层下方形成向内凹进的切口，从而影响微凸点的可靠性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种焊锡微凸点的制作方法，避免在进行各向同性湿法刻蚀去除多余的凸点下金属层时，凸点层不会被过度刻蚀，进而提高微凸点及产品的可靠性。本专利技术的技术方案是这样实现的:—种新型晶圆级微凸点制作方法，其工艺流程如下:A)提供一 IC晶圆(100)，所述晶圆正面具有钝化层(10b)及若干焊盘(10a)，所述钝化层(10b)形成有暴露焊垫的若干第一开口(I);B)利用 PVD (Physical Vapor Deposit1n)工艺在上述 IC 晶圆(100)的正面及第一开口(I)上依次沉积凸点下金属钛层(101)和凸点下金属铜层(102);C)在凸点下金属铜层(102)上形成第一光阻层(103)，通过旋涂、喷涂或印刷的方式进行涂覆；接着通过曝光、显影工艺形成第二开口(2);第二开口的部分暴露底部的凸点下金属层(102)；D)在光阻层的第二开口(2)内，采用电镀工艺在暴露的凸点下金属层上沉积附着具有一定厚度的电镀铜层(104)。E)以第一光阻层(103)为刻蚀掩膜对电镀铜层(104)进行各向同性湿法刻蚀，在通孔内留下部分的刻蚀后的铜层(105)。F)在刻蚀后的铜层(105)上采用电镀方式沉积一阻挡层(106)，所述阻挡层(106)的材质为镍。G)采用电镀工艺在阻挡层上沉积一电镀焊料合金(107)，所述焊料层的材质为锡银合金或锡银铜合金；并去除第一光阻层(103)。H)将电镀焊料合金(107)经过高温回流形成微凸点(108);I)以微凸点为刻蚀掩膜进行各向同性湿法刻蚀，去除多余的凸点下金属铜层(102)ο与现有技术相比，本专利技术的有益效果是:I)本专利技术利用阻挡层将微凸点下方的铜层完全包裹住，从而避免了湿法刻蚀凸点下金属层时铜层受到过度刻蚀，同时，提高微凸点及封装产品的可靠性。2)本专利技术利用阻挡层减缓了微凸点下方的铜层与焊料中的锡之间相互扩散形成金属间化合物(MC)，防止界面处形成空洞，降低界面连接强度，从而避免了分层失效的发生。【附图说明】图1为现有微凸点封装结构示意图。图2?图11为本专利技术实施例的新型微凸点制作工艺流程示意图。图2为本专利技术实施例步骤A)的封装结构示意图。图3为本专利技术实施例步骤B)的封装结构示意图。图4为本专利技术实施例步骤C)的封装结构示意图。图5为本专利技术实施例步骤D)的封装结构示意图。图6为本专利技术实施例步骤E)的封装结构示意图。图7为本专利技术实施例步骤F)的封装结构示意图。图8为本专利技术实施例步骤G)的封装结构示意图。图9为本专利技术实施例步骤H)的封装结构示意图。图10为本专利技术实施例步骤I)的封装结构示意图。图11为本专利技术微凸点的封装结构示意图。结合附图，做以下说明:1-第一开口2-第二开口100-1C晶圆10a-芯片焊盘10b-钝化层101凸点下金属钛层，102-凸点下金属铜层 103-第一光阻层104-电镀铜层105-刻蚀后的铜层106-阻挡层107-电镀焊料合金108-焊锡凸点109-底切【具体实施方式】为了能够更清楚地理解本专利技术的
技术实现思路
，特举以下实施例详细说明，并配合附图对本专利技术的上述特征和优点做详细说明。其目的仅在于更好理解本专利技术的内容而非限制本专利技术的保护范围。本专利技术实施例的半导体封装结构可以用于微凸点的制备。但其应用并不限于此。参见图2至图10，本专利技术的焊锡微凸点制作工艺流程如下:提供一 IC晶圆(100)，所述晶圆正面具有钝化层(10b)及若干焊盘(10a)，所述钝化层(10b)形成有暴露焊垫的若干第一开口(I);如图 3所不，利用 PVD(Physical Vapor Deposit1n)工艺在上述 IC 晶圆(100)的正面及第一开口(I)上依次沉积凸点下金属钛层(101)和凸点下金属铜层(102)。如图4所示，在凸点下金属铜层(102)上形成第一光阻层(103)，通过旋涂、喷涂或印刷的方式进行涂覆；接着通过曝光、显影工艺形成第二开口(2);第二开口的部分暴露底部的凸点下金属层(102)。如图5所示，在光阻层的第二开口(2)内，采用电镀工艺在暴露的凸点下金属层上沉积附着具有一定厚度的电镀铜层(104)。如图6所示，以第一光阻层(103)为刻蚀掩膜对电镀铜层(104)进行各向同性湿法刻蚀，在通孔内留下部分的刻蚀后的铜层(105)。如图7所示，在刻蚀后的铜层(105)上采用电镀方式沉积一阻挡层(106)，所述阻挡层(106)的材质为镍。如图8所示，采用电镀工艺在阻挡层上沉积一电镀焊料合金(107)，所述焊料层的材质为锡银合金或锡银铜合金；并去除第一光阻层(103)。如图10所示，将电镀焊料合金(107)经过高温回流形成微凸点(108);如图11所示，以微凸点为刻蚀掩膜进行各向同性湿法刻蚀，去除多余的凸点下金属铜层(102) ο所述凸点下金属层的形成方法为PVD (Physical Vapor Deposit1n)。所述电镀铜层(104)的形成方法为电镀。所述第一光阻层(103)的高度要高于电镀铜层(104)与阻挡层(106)的高度之和。所述凸点下金属铜层(102)的去除方式为剥离或刻蚀。所述电镀焊料合金(107)为锡银合金或锡银铜合金。所述电镀焊料合金(107)的沉积方法为电镀法或丝网印刷法。虽然本专利技术实施例披露如上，但本专利技术并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本专利技术的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本专利技术的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。【主权项】1.，其特征在于: 其工艺流程如下， A)提供一IC晶圆(100)，所述晶圆正面具有钝化层(10b)及若干焊盘(100a)，所述钝化层(10b)形成有暴露焊垫的若干第一开口(I); B)利用PVD(Physical Vapor Deposit1n)工艺在上述IC晶圆(100)的正面及第一开口(I)上依次沉积凸点下金属钛层(101)和凸点下金属铜层(102); C)在凸点下金属铜层(102)上形成第一光阻层(103)，通过旋涂、喷涂或印刷的方式进行涂覆；接着通过曝光、显影工艺形成第二开口(2);第二开口的部分暴露底部的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种新型晶圆级焊锡微凸点的制作方法，其特征在于：其工艺流程如下，A)提供一IC晶圆(100)，所述晶圆正面具有钝化层(100b)及若干焊盘(100a)，所述钝化层(100b)形成有暴露焊垫的若干第一开口(1)；B)利用PVD(Physical Vapor Deposition)工艺在上述IC晶圆(100)的正面及第一开口(1)上依次沉积凸点下金属钛层(101)和凸点下金属铜层(102)；C)在凸点下金属铜层(102)上形成第一光阻层(103)，通过旋涂、喷涂或印刷的方式进行涂覆；接着通过曝光、显影工艺形成第二开口(2)；第二开口的部分暴露底部的凸点下金属层(102)；D)在光阻层的第二开口(2)内，采用电镀工艺在暴露的凸点下金属层上沉积附着具有一定厚度的电镀铜层(104)；E)以第一光阻层(103)为刻蚀掩膜对电镀铜层(104)进行各向同性湿法刻蚀，在通孔内留下部分的刻蚀后的铜层(105)；F)在刻蚀后的铜层(105)上采用电镀方式沉积一阻挡层(106)，所述阻挡层(106)的材质为镍；G)采用电镀工艺在阻挡层上沉积一电镀焊料合金(107)，所述焊料层的材质为锡银合金或锡银铜合金；并去除第一光阻层(103)；H)将电镀焊料合金(107)经过高温回流形成微凸点(108)；I)以微凸点为刻蚀掩膜进行各向同性湿法刻蚀，去除多余的凸点下金属铜层(102)。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：秦飞，别晓锐，史戈，安彤，武伟，肖智轶，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京;11
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