RCD缓冲电路印刷基板、缓冲电路板及缓冲电路制造技术

技术编号:7803722 阅读:253 留言:0更新日期:2012-09-25 00:12
本实用新型专利技术公开了RCD缓冲电路印刷基板、缓冲电路板及缓冲电路,以解决由于现有的IGBT开关电路的缓冲电路的适配性不强、集成度不高的问题。该RCD缓冲电路印刷基板包括:C极连接处、E极连接处、薄膜电容第一焊接处、薄膜电容第二焊接处、快恢复二极管第一焊接处、快恢复二极管第二焊接处、铝外壳电阻器第一焊接处、铝外壳电阻器第二焊接处、与所述铝外壳电阻器第一焊接处相连接的电阻外接焊接处;与所述薄膜电容第一焊接处相连接的电容外接焊接处。可以看出,本实用新型专利技术公开的RCD缓冲电路印刷基板,不需要进行一体封装,且焊接在印刷基板上的铝外壳电阻器可以替代外接电阻,从而解决了上述问题。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于缓冲电路
,尤其涉及RCD缓冲电路印刷基板、缓冲电路板及缓冲电路
技术介绍
在IGBT开关电路中,由于寄生电感的存在,关断时会产生感生电势加在IGBT模块上,使IGBT模块的集电极-发射极,即C极-E极产生过冲电压应力。因此,需要设置IGBT 开关电路的缓冲电路来缓解这种应カ对IGBT模块的冲击。目前市场上的IGBT开关电路如图I所示,包括IGBT模块和IGBT开关电路的缓冲电路。上述IGBT模块包括第一 IGBT模块101和第二 IGBT模块102。上述IGBT开关电路的缓冲电路包括由电容Cl与快恢复ニ极管Vl —体封装的P型RCD缓冲电容模块103、由电容C2与快恢复ニ极管V2 —体封装的N型RCD缓冲电容模块104、外接电阻Rl以及外接电阻R2。其中上述P型RCD缓冲电容模块103的C极的引出端和E极的引出端通过紧固件固定于上述第一 IGBT模块101的C极的连接处和E极的连接处,上述N型RCD缓冲电容模块104的C极的引出端和E极的引出端通过紧固件固定于第二 IGBT模块102的C极的连接处和E极的连接处。上述P型RCD缓冲电容模块103的电容Cl与该P型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种RCD缓冲电路印刷基板,其特征在于,包括 C极连接处、E极连接处、薄膜电容第一焊接处、薄膜电容第二焊接处、快恢复ニ极管第一焊接处、快恢复ニ极管第二焊接处、铝外壳电阻器第一焊接处、铝外壳电阻器第二焊接处、与所述铝外壳电阻器第一焊接处相连接的电阻外接焊接处;与所述薄膜电容第一焊接处相连接的电容外接焊接处; 其中 所述C极连接处和所述E极连接处中的任ー个与所述薄膜电容第一焊接处相连接,另一个与所述快恢复ニ极管第一焊接处相连接; 所述薄膜电容第二焊接处、所述快恢复ニ极管第二焊接处、所述铝外壳电阻器第二焊接处互相连接。2.根据权利要求I所述的印刷基板,其特征在于,所述C极连接处和所述E极连接处均包括开孔以及所述开孔周围的铜箔,所述开孔的形状具体为长条形。3.—种RCD缓冲电路板,其特征在于,包括 如权利要求I所述的印刷基板; 薄膜电容,所述薄膜电容的两个引脚分别焊接在所述印刷基板的薄膜电容第一焊接处与薄膜电容第二焊接处; 快恢复ニ极管,所述快恢复ニ极管的两个引脚分别焊接在所述印刷基板的快恢复ニ极管第一焊接处与快恢复ニ极管第二焊接处; 铝外壳电阻器,所述铝外壳电阻器的两个引脚分别焊接在所述印刷基板的铝外壳电阻器第一焊接处与铝外壳电阻器第二焊接处。4.根据权利要求3所述的缓冲电路板,其特征在于,还包括将所述铝外壳电阻器加强固定在所述印刷基板上的紧固件。5.ー种IGBT开关电路的缓冲电路,其特征在于,包括P型RCD缓冲电路板和N型RCD缓冲电路板,所述P型RCD缓冲电路板和N型RCD缓冲电路板均为如权利要求3所述的RCD缓冲电路板;...

【专利技术属性】
技术研发人员:卢刚黄炬彩毛春华刘伟志
申请(专利权)人:福建龙净环保股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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