一种具有自我ESD保护功能的输出驱动电路制造技术

一种具有自我ESD保护功能的输出驱动电路，包括电源VDD、地VSS、上拉输出驱动管MP1、下拉输出驱动管MN1、预驱动电路及其输出控制端OEN、接收的内部输出信号out、MP1的体区控制电路、MN1的体区控制电路、输出端PAD；预驱动电路输出两路驱动信号P、N，分别驱动上拉输出驱动管MP1和下拉输出驱动管MN1的栅极。和其它输出电路相比，该电路不需要额外添加ESD保护电路，缩小了芯片面积，节省了成本，同时该电路不受制造工艺的限制，可以广泛的应用于体硅CMOS工艺、SOI?CMOS工艺以及其它一些先进的工艺中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路领域，具体涉及集成电路中输出驱动电路的静电放电(ESD)保护电路领域。
技术介绍
随着集成电路制造工艺的不断进步，多晶硅栅的长度越来越小，栅氧厚度越来越薄，结深越来越浅，由ESD所造成的栅氧击穿、PN结热击穿、互连线烧毁及潜在性损伤等问题越来越严重，ESD已经成为集成电路领域亟待解决的可靠性问题，因此ESD保护电路已经成为CMOS集成电路可靠性研究的热点和重点。为了确保CMOS集成电路的ESD保护能力，通常需要在输入电路、输出电路以及电源和地之间加入ESD保护电路。 一般情况下，输出端连接输出MOS管的漏极，如图I所示，而漏极一般和衬底或阱区形成反偏的PN结，通常情况下，输出MOS管的漏极和栅极具有交叠区，因此输出端ESD保护电路的主要任务是保证反偏的PN结不被热击穿和输出MOS管交叠的栅氧化层不介质击穿。在进行输出电路ESD保护设计时，通常需要满足以下要求(I)输出ESD保护电路的触发电压小于反偏PN结的热击穿电压和输出MOS管的漏栅交叠电容的击穿电压；(2)输出ESD保护电路的导通电阻要小于输出驱动管的导通电阻，以保证ESD电流通过输出ESD保护管进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王忠芳，谢成明，岳红菊，卢红利，吴龙胜，刘佑宝，
申请(专利权)人：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所，
类型：发明
国别省市：