制造积层电容器的方法技术

本发明专利技术提供一种制造积层电容器的方法，先交互穿插形成多层介电层、多层第一内电极层以及多层第二内电极层，以形成积层体，接着，于积层体的顶表面上，形成第一端电极，且电连接多层第一内电极层，最后，于积层体之顶表面上，形成第二端电极，且电连接多层第二内电极层，本发明专利技术的方法所制造的积层电容器适用于焊接在LGA焊垫上，利于提升具有LGA焊垫的电路板上电子元件的密度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种制造积层电容器(multi-layer capacitor)的方法,本专利技术尤其涉及关于制造适用于焊接在电路板的岸面栅格阵列(land grid array,LGA)焊垫上的积层电容器的方法。
技术介绍
请参阅图I及图2。图I为传统的积层电容器I的侧视图，以示意地描绘其部份结构。积层电容器I焊接在其上的电路板2的局部截面视图同样绘示于图I中。图2为图I中积层电容器I的截面视图，以示意地描绘其内部结构。 如图I所示，传统的积层电容器I包含积层体(multi-layer body) 10以及一对端电极(termination) 12、14。该对端电极12、14分别形成在积层体10的两相对的端表面102、104上，并向积层体10的侧表面延伸。如图2所示，传统的积层电容器I包含形成在积层体10内部的多层第一内电极层(inner electrode layer) 15、多层第二内电极层16以及多层介电层(dielectriclayer) 18。多层第一内电极层15电连接在一起,多层第二内电极层16电连接在一起,且与多层第一内电极层15交互穿插形成。相邻的第一内电极层15与第二内电极层16由一层介电层18隔离。每一层第一内电极层15的一端外露于积层体10的端表面102上,并与端电极12接触以形成电连接。每一层第二内电极层16的一端外露于积层体10的端表面104上，并与端电极14接触以形成电连接。积层电容器I的该对端电极12、14分别放置在电路板2的焊垫22、24上，且分别以焊锡30焊接在焊垫22、24上。然而，此种将积层电容器I焊接在电路板2的方式，积层电容器I加上焊锡30即占据不少空间，外露的焊锡30让电路板2上邻近积层电容器I的其他电子元件必须留有更大的间距，以避免在焊接过程与积层电容器I形成短路。因此，传统的积层电容器I不利于电路板2的电子元件密度提升。现有电路板为了提升其上电子元件的密度，其上的焊垫已采用LGA(岸面栅格阵列)焊垫。传统的积层电容器I并不适用焊接在LGA焊垫上。
技术实现思路
因此，本专利技术所欲解决的技术问题在于提供一种。特别地，根据本专利技术的方法所制造的积层电容器适用于焊接在LGA焊垫上，以利提升具有LGA焊垫的电路板上电子元件的密度。本专利技术一较佳具体实施例的一种首先先交互穿插形成多层介电层、多层第一内电极层以及多层第二内电极层，以形成积层体。多层第一内电极层电连接在一起。多层第二内电极层电连接在一起。相邻的第一内电极层与第二内电极层由一层介电层隔离。接着，于积层体的顶表面上，形成第一端电极，且电连接多层第一内电极层。最后，于积层体的顶表面上，形成第二端电极，且电连接多层第二内电极层。进一步，于积层体内，形成多个第一贯孔导体(via hole conductor),包含一个外露于积层体的顶表面上且电连接多层第一内电极层中最顶层第一内电极层的第一贯孔导体。两相邻第一内电极层以一个第一贯孔导体电连接。第一端电极覆盖外露的第一贯孔导体。于积层体内，形成多个第二贯孔导体，包含一个外露于积层体的顶表面上且电连接多层第二内电极层中最顶层第二内电极层的第二贯孔导体。两相邻第二内电极层以一个第二贯孔导体电连接。第二端电极覆盖外露的第二贯孔导体。于一具体实施例中，多层第一内电极层以及多层第二内电极层皆未外露于积层体之外。 于一具体实施例中，多层介电层分别为陶瓷层。于一具体实施例中，多层第一内电极层以及多层第二内电极层由金属材料所形成。于一具体实施例中，第一端电极以及第二端电极皆包含镍金属层以及锡金属层。镍金属层形成于积层体的顶表面上，且分别覆盖外露的第一贯孔导体、外露的第二贯孔导体。锡金属层形成以覆盖镍金属层。于一具体实施例中，第一端电极以及第二端电极分别为锡金属层。进一步，于积层体的底表面上，形成第三端电极。多个第一贯孔导体包含一个外露于积层体的底表面上且电连接多层第一内电极层中最底层第一内电极层的第一贯孔导体。第三端电极系覆盖外露的第一贯孔导体。于积层体之底表面上，形成第四端电极。多个第二贯孔导体包含一个外露于积层体的底表面上且电连接多层第二内电极层中最底层第二内电极层的第二贯孔导体。第四端电极覆盖外露的第二贯孔导体。于一具体实施例中，第三端电极以及第四端电极皆包含镍金属层以及锡金属层。镍金属层形成于积层体的底表面上，且分别覆盖外露的第一贯孔导体、外露的第二贯孔导体。锡金属层形成以覆盖镍金属层。于一具体实施例中，第三端电极以及第四端电极分别为锡金属层。与先前技术相较，根据本专利技术的方法所制造的积层电容器适用于焊接在LGA焊垫上，利于提升具有LGA焊垫的电路板上电子元件的密度。以下在实施方式中详细叙述本专利技术的详细特征以及优点，其内容足以使本领域技术人员了解本专利技术的
技术实现思路
并据以实施，且根据本说明书所揭露的内容、权利要求及图示，本领域技术人员可轻易地理解本专利技术相关的目的及优点。附图说明图I为传统的积层电容器的侧视图；。图2为传统的积层电容器的截面视图；图3A至图3G为本专利技术一较佳具体实施例以截面视图示意地绘示本专利技术；图4为图3G中积层电容器的侧视图；图5为图3G中积层电容器的上视图；图6为本专利技术另一较佳具体实施例以截面视图示意地绘示本专利技术；图7为图6中积层电容器的下视图。具体实施例方式为使对本专利技术的目的、构造、特征、及其功能有进一步的了解，兹配合实施例详细说明如下。请参阅图3A至图3G，以截面视图示意地绘示本专利技术一较佳具体实施例。如图3A所示，本专利技术的方法，首先，制备保护层41，并在保护层41上被覆一层介电层42。接着，利用网印等制程在介电层42上选择性地被覆一层第一 内电极层43。如图3B所示，接着，在第一内电极层43及外露的介电层42上全面被覆一层介电层42。接着，利用网印等制程在介电层42上选择性地被覆一层第二内电极层44。接着，在第二内电极层44及外露的介电层42上全面被覆一层介电层42。接着，介电层42上冲出一个第一贯孔(via hole) 45。于第一贯孔45内，第一内电极层43外露。第一贯孔45也可以在每被覆一层介电层42时，即冲孔一次。如图3C所示，接着，将金属材料等导电材料填入第一贯孔45，以形成第一贯孔导体45’。接着，再次利用网印等制程在介电层42上选择性地被覆一层第一内电极层43。实务上，再次被覆第一内电极层43时，即将形成第一内电极层43的材料填入第一贯孔45，以形成第一贯孔导体45’。如图3D所示，接着，在第一内电极层43及外露的介电层42上全面被覆一层介电层42。接着，在介电层42上冲出一个第二贯孔46。于第二贯孔46内，第二内电极层44外露。第二贯孔46也可以在每被覆一层介电层42时，即冲孔一次。如图3E所示，接着，将金属材料等导电材料填入第二贯孔46，以形成第二贯孔导体46’。接着，再次利用网印等制程在介电层42上选择性地被覆一层第二内电极层44。实务上，再次被覆第二内电极层44时，即将形成第二内电极层44的材料填入第二贯孔46，以形成第二贯孔导体46’。如图3F所示，接着，重复被覆第一内电极层43、介电层42以及第二内电极层44，并且在介电层42中形成第一贯孔导体45’以及第二贯孔导体46’，直到所需的第一内电极层43以及第二内电极层44的层数为止，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造积层电容器的方法，其特征在于，包含下列步骤 交互穿插形成多层介电层、多层第一内电极层以及多层第二内电极层，以形成积层体，其中该多层第一内电极层电连接在一起，该多层第二内电极层电连接在一起，相邻的第一内电极层与第二内电极层由一层介电层隔离； 于该积层体的顶表面上，形成第一端电极，且电连接该多层第一内电极层；以及 于该积层体的该顶表面上，形成第二端电极，且电连接该多层第二内电极层。2.如权利要求I所述制造积层电容器的方法，其特征在于，进一步包含下列步骤 于该积层体内，形成多个第一贯孔导体，包含一个外露于该顶表面上且电连接该多层第一内电极层中最顶层第一内电极层的第一贯孔导体，其中两相邻第一内电极层以一个第一贯孔导体电连接，该第一端电极覆盖该外露的第一贯孔导体；以及 于该积层体内，形成多个第二贯孔导体，包含一个外露于该顶表面上且电连接该多层第二内电极层中最顶层第二内电极层的第二贯孔导体，其中两相邻第二内电极层以一个第二贯孔导体电连接，该第二端电极覆盖该外露的第二贯孔导体。3.如权利要求2所述制造积层电容器的方法，其特征在于，该多层第一内电极层以及该多层第二内电极层皆未外露于该积层体之外。4.如权利要求2所述制造积层电容器的方法，其特征在于，该多层介电层分别由陶瓷材料所形成。5.如权利要求2所述制造积层电容器的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴旻修，萧朝光，罗立伟，
申请(专利权)人：苏州达方电子有限公司，达方电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：