涂布器、等离子体显示板用基板结构体的制造方法技术

本发明专利技术涉及涂布器、等离子体显示板用基板结构体的制造方法。该形成膏层的涂布器包括：交换式膏容器，其在内部收容膏，并且在上表面具有排出膏的膏排出口；缓冲箱，其积存从所述膏排出口排出的膏；和涂布层形成部，其将从所述缓冲箱排出的膏从头部输出至基板上，形成涂布层，其中，所述膏容器被配置为，按照膏利用自重从所述膏排出口排出的方式，使所述上表面比垂直面朝向下方向。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及涂布器(夕'一 〕一夕)，和使用该涂布器的等离子体显示板(以下称为"PDP")用基板结构体的制造方法。
技术介绍
图IO为表示现有技术中的AC (交流)驱动型面放电PDP的结构 的一个例子的分解立体图。该PDP具有前面侧基板结构体1和背面侧 基板结构体2。在前面侧基板结构体1中，在玻璃基板la上配置有多个显示电极 3。显示电极3由透明电极3a和总线电极3b构成，而且用AC驱动用 的介电质层4覆盖。介电质层4用保护膜5覆盖。在背面侧基板结构体2中，在玻璃基板2a上配置有在与显示电极 3交叉的方向(列方向)延伸的地址电极6。地址电极6用介电质层9 覆盖，在该介电质层9上夹着地址电极6，配置有多个隔壁7，利用该 隔壁区分列方向的单元。另外，在介电质层9的表面和隔壁7的侧面 上，形成有利用紫外线激励发生红(R)、绿(G)、蓝(B)的可见光 的荧光体层8。此外，地址电极6在前面侧基板结构体1的介电质层4 内，与显示电极3交叉配置。在使前面侧基板结构体1和背面侧基板结构体2相对的状态下， 利用密封用构件密封周边边缘部，使保护膜5和隔壁7连接，在内部 形成用隔壁隔开的多个放电空间，在排出放电空间内的气体后，将 Ne-Xe等放电气体封入放电空间内，制作PDP。在该PDP中，通过在 相邻的两根显示电极3之间的反复放电进行显示。在一个例子中，利用台面型(亍一7Vk型)涂布器，将低溶点的 玻璃膏涂布在玻璃基板的电极形成面上，形成涂布层，通过烧制(焼 成)该涂布层形成介电质层4、 9。现使用图11，说明现有技术中的涂布器。图11为先前的涂布器的构成图。如图11所示，涂布器具有放置基板13的涂布站11，收容膏的膏容器(例子鼓形罐)23，将膏19喷出至基板13上形成涂布层20的 头部17，和将膏容器23内的膏19吸上来并送至头部17的泵(单泵 29和注射器泵33)。膏(^一7卜)容器23为交换式的容器。因此，当膏容器23内 的膏19的量变少时，暂时停止处理，取出膏容器23，其次，安装充分 加入膏19的膏容器23，再开始处理。由于充分加入膏19的膏容器23的重量存在超过200kg的情况， 不容易抬起。因此， 一般将膏容器23放置在地面10上。这种涂布器在日本特开2006-134873号公报和1998FPD工艺大全， 424 427页(电子杂志)中已经说明。在上述结构的涂布器中，存在膏容器23内残留15%左右的膏19 的情况，不能将充足量的膏19供给头部17，有时候并不能够适当地形 成涂布层20。因此，膏19的使用效率不好。另外，在上述结构的涂布 器中，当进行膏容器23的更换时，由于必需暂时停止处理，所以生产 率不高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供能够提高膏容器内的膏的使用效率，而且进 行膏容器的更换时，不需要停止处理的涂布器。本专利技术提供一种形成膏层的涂布器，该涂布器包括交换式膏容器，其在内部收容膏，并且在上表面具有排出膏的膏排出口；缓冲箱， 其积存从上述膏排出口排出的膏；和涂布层形成部，其将从上述缓冲 箱排出的膏从头部输出至基板上，形成涂布层，其中，上述膏容器被 配置为，按照膏利用自重从上述膏排出口排出的方式，使上述上表面 比垂直面朝向下方向。根据本专利技术，由于膏利用自重从膏容器排出，所以到膏容器大致 变空为止，都容易取出膏。因此，采用本专利技术够提高膏的使用效率。 另外，本专利技术具有积存来自膏容器的膏的缓冲箱，在更换膏容器时， 可以利用缓冲箱内的膏，继续处理。因此，采用本专利技术，在进行膏容器的更换时，不需要停止处理。 附图说明图1为本专利技术的第一实施例的涂布器的构成图2表示本专利技术的第一实施例的涂布器的膏容器，图2 (a)为平 面图，图2 (b)为图2 (a)中的I _ I截面图，图2 (c)为立体图3为本专利技术的第一实施例的涂布器的膏容器保持装置的臂和保 持部的平面图；图3 (a)为将膏容器固定在保持部之前的状态，图3 (b)为将膏容器固定在保持部之后的状态；图4 (a) (e)为说明本专利技术的第一实施例的涂布器的膏的膏容 器的更换方法的图5为本专利技术的第二实施例的涂布器的构成图6为本专利技术的第三实施例的涂布器的构成图7 (a) (d)为表示使用本专利技术的PDP用基板结构体的制造 工序的截面图8为表示本专利技术的效果验证实验中膏容器内的膏残量和缓冲箱 内的膏液面高度的关系的图形(膏粘度为8700cps);图9为表示本专利技术的效果验证实验中膏容器内的膏残量和缓冲箱 内的膏液面高度的关系的图形(膏粘度为14000cps);图10为表示现有技术中的PDP结构的分解立体图11为现有技术中的涂布器的构成图。具体实施例方式以下，例示本专利技术的各种实施方式等。优选，上述膏容器在上表面还包括空气吸入口，还包括从上述空 气吸入口插入并且延伸至上述膏容器的下表面附近的管。上述膏容器被保持在上述膏容器能够转动和能够固定的膏容器保 持装置。优选，上述膏容器被配置在上述上表面从水平状态倾斜120 150 度或210 240度的状态下。优选，上述缓冲箱包括膏出入的膏出入口，上述膏出入口设置在膏利用自重被排出的位置上，而且上述膏出入口被配置在比上述膏排 出口低的位置上。优选，上述缓冲箱包括膏流入的膏入口和膏排出的膏出口，上述 膏出口设置在膏利用自重被排出的位置上，上述膏入口配置在比上述 膏容器的上述膏排出口低的位置上。优选，上述膏的粘度为1000 10000cps。优选，上述涂布层形成部在上述缓冲箱和上述头部之间，依次具 有单泵和注射器泵。本专利技术还提供一种等离子体显示板用基板结构体的制造方法，该方法包括在形成有电极的基板上，利用上述记载的涂布器，涂布低 熔点玻璃膏，形成涂布层，通过烧制上述涂布层，形成介电质层的工序。这里所示的各实施方式等能够互相组合。以下，利用附图说明本专利技术的优选实施例，但本专利技术的范围不限 于附图或以下所述所示的内容。 1.涂布器 l一l.第一实施例利用图1说明本专利技术的第1实施例的涂布器。图1为本实施例的 涂布器的构成图。第1实施例的涂布器包括在内部收容膏19，并且在上表面23f 上具有排出膏19的膏排出口 23a的交换式膏容器23;贮存从膏排出口 23a排出的膏19的缓冲箱(A 、乂 7 7夕乂夕)35;和从头部17将从缓 冲箱35排出的膏19喷出至基板13上形成涂布层20的涂布层形成部 18。膏容器23被配置为，按照膏19利用自重从膏排出口 23a排出的 方式，使膏容器的上表面23f比垂直面朝向下方向。以下，说明各构成要素。l一l一l.膏容器利用图2 (a) (c)说明膏容器23。图2 (a)为平面图，图2 (b)为图2 (a)中的I 一 I截面图，图2 (c)为立体图。膏容器23为收容膏19的容器，其形状、材料没有特别的限制。 但是作为一个例子，选用圆筒形的容器，更具体地说，为鼓形罐那样的金属制的圆筒形的容器。膏容器23为交换式的。因此，如果膏容器23内的膏19的量变少， 则取出膏容器23，之后，通过安装加入有许多量的膏19的膏容器23， 进行膏19的补充。第1实施例的膏容器23本质上与保持安装在涂布 器上的状态进行膏的补充的固定式的膏箱不同。膏容器23在上表面23f上具有排出膏19用的膏排出口 23a和吸入 空气用的空气吸入口 2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成膏层的涂布器，其特征在于，包括：　交换式膏容器，其在内部收容膏，并且在上表面具有排出膏的膏排出口；　缓冲箱，其积存从所述膏排出口排出的膏；和　涂布层形成部，其将从所述缓冲箱排出的膏从头部输出至基板上，形成涂布层，其 中，　所述膏容器被配置为，按照膏利用自重从所述膏排出口排出的方式，使所述上表面比垂直面朝向下方向。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：池田大助，下吉旭，木舩素成，平原英明，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]