【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高结温半导体可控硅，具体涉及ー种起控制或开关电源用的高结温半导体可控娃BTB16。
技术介绍
目前，普通可控硅广泛应用于开关电源用或调压用设备上，如广泛应用在调速、调压，调光电源上，但是现有技术中的普通可控硅的PN结的结温为110°C。因此，目前现有技术中的普通可控硅BTB16不能满足高要求的标准。
技术实现思路
专利技术目的本专利技术的目的是为了克服现有技术的不足，提供ー种PN结最高结温达1400C以上的高结温半导体可控硅BTB16。技术方案为了实现以上目的，本专利技术采用了这样ー种高结温半导体可控硅，它包括铜电极片底座、设置在铜电极片底座上的ニ个引脚、焊接在铜电极片底座上的高结温可控硅芯片，所述的可控硅芯片的门极和阴极分别通过金属丝焊接到ニ个引脚上，塑封料将整个可控硅芯片封装在铜电极底座上，形成一个完整的高结温可控硅BTB16。所述的高结温半导体可控硅BTB16，其中所述的焊接在底座上的可控硅芯片为高结温可控硅芯片，其中采用的高结温可控硅芯片面积为任何芯片面积及各形状。所述的高结温半导体可控硅BTB16，其中底座为铜电极，该铜电极底座可以采用不同形状，也可以采用的较大面积或厚度的铜电极片。所述的高结温半导体可控硅，其中塑封料将整个高结温可控硅芯片封装在铜电极底座上，形成一个完整的塑料封装的可控硅。有益效果本专利技术所述的高结温半导体可控硅最高结温可达到140°C以上，而现有技术中的普通半导体可控硅BTB16最高结温可达到110°C，在实际应用过程中大大提高了产品在使用过程中的可靠性。附图说明图I为本专利技术所述的高结温半导体可控硅的结构...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高结温半导体可控硅，其特征在干它包括铜电极底座(I)、设置在该铜电极底座(I)上的两个铜引脚(2)、焊接在所述铜电极底座(I)上的高结温可控硅芯片(3)、该高结温可控硅芯片(3)的门极(7)和阴极(6)分别通过金属丝(5)用超声波焊接到两个铜引脚(2)上，塑封料(4)将整个高结...
【专利技术属性】
技术研发人员：伍林，潘建英，左亚兵，
申请(专利权)人：宜兴市环洲微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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