固体电解电容器及其制造方法技术

技术编号:7718951 阅读:115 留言:0更新日期:2012-08-30 03:26
本发明专利技术提供固体电解电容器及其制造方法,该固体电解电容器的特征在于,具备阳极、设置于阳极的表面的电介质层、设置在电介质层上的偶联剂层、设置在偶联剂层上的导电性高分子层和设置在导电性高分子层上的阴极层,偶联剂层包含具有膦酸基的第一偶联剂和作为硅烷偶联剂的第二偶联剂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用导电性高分子层作为固体电解质的。
技术介绍
近年来,伴随电子设备的小型化和轻量化,要求小型并且大容量的高频用的电容器。作为这样的电容器,提出了将钽、铌、钛或者铝等阀作用金属的烧结体所形成的阳极的表面氧化,形成电介质层,在该电介质层上设置有固体电解质层的固体电解电容器。作为固体电解质层,通过使用导电性高分子,能够实现等效串联电阻(ESR)的降低。作为提高固体电解电容器的静电电容的方法,可以考虑使用相对介电常数较高的材料作为阳极材料,使阳极的表面积增大,以及使电介质层的厚度变薄等方法。作为使阳极的表面积增大的方法,可以考虑使用粒径较小的阀作用金属的粉末的烧结体、或腐蚀箔等的施加了表面积扩大处理的阀作用金属。但是,难以用阴极层将电介质层的整个表面完全覆盖,在由阴极层不能覆盖电介质层的部分,不表现作为电容器的电容。此外,即使暂时被阴极层覆盖,也存在因高温或电压施加而电容缓慢降低等长期可靠性的方面出现问题的情況。在使电介质层的厚度变薄的方法中,在电介质层的厚度过薄时,在电介质层的不完整的部分、缺陷部分以及针孔等,会产生阳极与阴极层之间流过漏电流的问题。在日本特开平2-74021号公报中,记载了通过使用硅烷偶联剂对电介质层的表面进行表面处理,能够提高电介质层与导电性高分子层之间的附着性。在日本特开平11-329900号公报中,提出了使导电性高分子化合物聚合时将硅烷偶联剂添加到用于形成导电性高分子的化学聚合液中的方法。说明了由此可以提高电介质层与导电性高分子层之间的附着性,获得ESR较低的固体电解电容器的要点。在日本特开2010-103489号公报中,提出了对电介质层的表面用膦酸类的表面处理剂处理。记载了由此可以获得静电电容的提高、ESR的降低、以及漏电流的減少。
技术实现思路
但是,要求能够进ー步减少漏电流、进ー步提高高温负荷试验中的可靠性的方法。本专利技术的目的在于,提供能够减少漏电流、提高高温负荷实验中的可靠性的。本专利技术的固体电解电容器,其特征在于具备阳极、设置于阳极的表面的电介质层、设置在电介质层上的偶联剂层、设置在偶联剂层上的导电性高分子层、和设置在导电性高分子层上的阴极层,偶联剂层包含具有膦酸基的第一偶联剂和作为硅烷偶联剂的第二偶联剂。根据本专利技术,能够减少漏电流,提高高温负荷试验中的可靠性。作为本专利技术的第一偶联剂的优选的具体例,可以列举具有2个膦酸基的偶联剂。具有2个膦酸基的偶联剂,能够列举以下通式(I)表示的偶联剂。本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.02.25 JP 2011-0405641.ー种固体电解电容器,其特征在干 具备阳极、设置于所述阳极的表面的电介质层、设置在所述电介质层上的偶联剂层、设置在所述偶联剂层上的导电性高分子层和设置在所述导电性高分子层上的阴极层, 所述偶联剂层包含具有膦酸基的第一偶联剂和作为硅烷偶联剂的第二偶联剂。2.如权利要求I所述的固体电解电容器,其特征在干 所述第一偶联剂具有2个膦酸基。3.如权利要求2所述的固体电解电容器,其特征在干 所述第一偶联剂由以下通式(I)表示,4.ー种固体电解电容器的制造方法,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:小菅启子太田妙子佐野健志
申请(专利权)人:三洋电机株式会社
类型:发明
国别省市:

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