一种多孔AlN/GaN薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种通过一种利用镀膜技术、合金薄膜陶瓷化技术和去合金法技术三者相结合的方法来制备多孔AlN或GaN薄膜的方法。首先制备Al或Ga的合金薄膜，并在高纯氮气或高纯氨气的气氛下，在700～1000℃之间某一温度保温氮化3～10h，制备出氮化合金薄膜，然后经过酸洗，使得氮化合金薄膜中的另外一种金属的氮化物溶解在酸中，最后经过水洗干燥制得多孔AlN/GaN薄膜。利用本发明专利技术提供的方法可以低成本、高产能的制备出的多孔AlN或GaN薄膜的孔径在100～500nm范围内，相邻孔壁厚在10nm～50nm范围内、孔的比表面积在60～100m2/g，孔占薄膜的体积比约50％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体与光电材料科学与工程
，具体涉及ー种利用镀膜技术、合金薄膜陶瓷化技术和去合金法技术三者相结合的制备多孔AlN/GaN薄膜的方法。
技术介绍
具有纳米孔结构的多孔AlN或GaN薄膜可用作蓝光和白光LED芯片GaN基薄膜悬空横向外延生长的基底。然而，现有的GaN基薄膜生长所用的多孔AlN或GaN薄膜基底一般是先用MOCVD或MBE的方法生长出AlN或GaN薄膜，然后利用反应离子刻蚀、激光刻蚀、粒子束刻蚀等方法在AlN或GaN薄膜刻蚀出孔，从而制备出多孔AlN或GaN薄膜。现有的多孔AlN或GaN薄膜制备方法存在的高成本、低产能的问题
技术实现思路
本专利技术的目的是提供ー种利用镀膜技术结合合金陶瓷化技术和去合金技术制备多孔AlN或多孔GaN薄膜的方法，解决了现有技术无法低成本、高产能的制备多孔AlN或GaN薄膜的问题。本专利技术所采用的技术方案是ー种多孔AlN/GaN薄膜的制备方法，具体按以下步骤实施步骤I，称取原料，按物质的量之比为3 : 7 7 : 3称取A组分和B组分，A组分为Al或Ga，B组分为Mg、Li或Ca中任ー种，或任意两种或三种以任意比例的组合；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种多孔AlN/GaN薄膜的制备方法，其特征在于，具体按以下步骤实施 步骤I，称取原料， 按物质的量之比为3 : 7 7 : 3称取A组分和B组分， A组分为Al或Ga, B组分为Mg、Li或Ca中任ー种，或任意两种或三种以任意比例的组合； 步骤2,制备合金薄膜， 将A组分与B组份同时向基片上沉积，制得合金薄膜； 步骤3,合金薄膜氮化， 把合金薄膜连同基片材料在真空气氛炉中，在氮气或氨气气氛中，以150 300°C/h的加热速度从室温加热到700°C 1000°C后，在700°C 1000°C的温度下保温氮化3h 10h，以获得合金氮化物薄膜； 步骤4，酸洗， 将氮化得到的合金氮化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜国君，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：