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本发明公开了一种通过一种利用镀膜技术、合金薄膜陶瓷化技术和去合金法技术三者相结合的方法来制备多孔AlN或GaN薄膜的方法。首先制备Al或Ga的合金薄膜，并在高纯氮气或高纯氨气的气氛下，在700～1000℃之间某一温度保温氮化3～10h，制备...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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