本发明专利技术提供一种新的液晶显示装置，于保持高穿透率与广视角的同时，并可解决斜视角的穿透率反转问题。前述液晶显示装置于结构上主要包括具有共同电极的第一基板、具有至少一像素单元的第二基板、配置于第一、第二基板间的液晶层、第一偏光片、第二偏光片。其中，前述像素单元具有一像素电极，该像素电极是由至少一密电极区以及至少一疏电极区所组成；而前述液晶层的液晶分子，于电压驱动后，将产生连续区域排列。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种液晶显示装置，尤指一种于保持高穿透率与广视角的同时，并可解决于斜视角的穿透率反转问题的液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示装置是利用液晶分子于不同排列状态下，对于光线具有不同的偏振或折射效果的特性，以控制光线穿透量，进而使液晶显示装置产生影像。传统扭转向列型(Twisted Nematic, TN)液晶显示装置，虽具有非常好的穿透特性，但受到液晶分子结构与光学特性的影响，相对其视角非常狭窄。因此，如何让显示器同时兼具广视角与高的光利用率，将对面板显示技术造成新的突破。为穿透率与视角等问题，本专利技术的专利技术人已提出一种扭转垂直配向型模式(Twisted Vertical Alignment),以赋予液晶显示装置高穿透率与广视角等优势。然而，由于液晶分子是以垂直配向方式排列，于施予低电压且以斜视角观看液晶显示器时，将产生穿透率反转的问题，造成斜视角色偏，而影响液晶显示器画面的正常呈现。以此模式为例，请参阅图IA至IE ;图IA为方位角(azimuth angle)与极角(polarangle)的示意图；图IB是显示扭转垂直配向型模式的电极结构；而图IC则是显示于液晶盒上下两偏光片光轴设置在0°与90°的条件下，液晶在不同斜视角(即极角)的电压-穿透率曲线(V-T curves)图。由图1C-1E可知，当为低灰阶电压且方位角在0°和90°方向上，于斜视角55°会发生穿透率反转的现象。为改善斜视角电压-穿透率曲线失真的问题，现有的是借助于同一像素内形成两个以上的配向区域，并使各个区域的斜视角电压-穿透率曲线彼此互补，以消除穿透率反转特性。于实施上，兹以三种具体方式，说明如下第一种方式是将同一像素划分为多个显示区域，并利用电容耦合方法，让各显示区域形成不同电压，借以产生多个显示区配向的效果；第二种方式也是将同一像素划分为多个显示区域，并使用两个薄膜电晶体，使各显示区域形成不同电压，以解决穿透率反转问题；第三种方式则是将像素划分为两个以上显示区域，并于部分显示区域的电极上方覆盖电子屏障材料，借以产生多个显示区配向的效果。然而，现有的解决穿透率反转的方法，皆将使液晶显示器的制作工艺更为繁杂；有鉴于此，于保持高穿透率与广视角的同时，如何利用更简单的方式，通过于各显示区域产生不同电场，以改善于斜视角的穿透率反转问题，借以使液晶显示装置具有最佳的画面呈现，则是本专利技术所关注的课题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种于保持高穿透率与广视角的同时，利用具有至少一密电极区与至少一疏电极区的像素电极，以解决于斜视角的穿透率反转问题。为达成上述目的，本专利技术提供一种至少包含一显示区域的液晶显示装置，其包括一第一基板、一第二基板、一液晶层、一第一偏光片、一第二偏光片。前述第一基板是具有一共同电极；前述第二基板是具有至少一像素单元，该像素单元是具有一像素电极，且该像素电极是由至少一密电极区以及至少一疏电极区所组成；前述液晶层是配置于第一基板与第二基板间，且其液晶分子于电压驱动后，将产生连续区域排列；前述第一偏光片是配置于第一基板上方；前述第二偏光片是配置于第二基板下方，且其偏光轴是与第一偏光片的偏光轴相互垂直于实施时，前述像素电极较佳包括数个主枝干，每一主枝干经至少一次分枝后，形成数个分枝电极区；前述数个分枝电极区，是具有不同的电极宽度以及/或电极间隙宽度，以形成前述密电极区与疏电极区。于实施时，前述液晶层较佳掺入手性剂，并选择最佳And及d/p参数，使a角为任意角度时，其穿透率T皆可大于一最小穿透率Tniin，且该Tniin可为最大穿透率的0. 9倍或更小倍率，其中An为液晶材料双折射系数，d为液晶层厚度，p为掺入手性剂(chiraldopant)的节距(pitch), a角的定义为位于液晶层中间液晶分子排列方向与其中一偏光片的偏光轴的夹角；且在最大操作电压下，前述d/p参数最佳介于0. 222 0. 36之间，而And参数最佳介于0. 465 0. 620之间。为进一步了解本专利技术，以下举较佳的实施例，配合附图、标号，将本专利技术的具体构成内容及其所达成的功效详细说明如后附图说明图IA为极角与方位角示意图。图IB为显示扭转垂直配向型模式电极结构的示意图。图IC为显示图IB中电极结构于方位角0°斜视角电压-穿透率曲线。图ID为显示图IB中电极结构于方位角90°斜视角电压-穿透率曲线。图IE为显示图IB中电极结构于方位角45°斜视角电压-穿透率曲线。图2A为显示第一实施例中像素电极结构的示意图。图2B为显示图2A中A、B区域低灰阶电压分子的侧视图。图2C为显示图2A中电极结构于方位角0°的斜视角电压-穿透率曲线。图2D为显示图2A中电极结构于方位角90°的斜视角电压-穿透率曲线。图3A为显示第二实施例中像素电极结构的示意图。图3B为显示图3A中电极结构于方位角0°的斜视角电压-穿透率曲线。图3C为显示图3A中电极结构于方位角90°的斜视角电压-穿透率曲线。图4A为显示第三实施例中像素电极结构的示意图。图4B为显示图4A中电极结构于方位角0°的斜视角电压-穿透率曲线。图4C为显示图4A中电极结构于方位角90°的斜视角电压-穿透率曲线。图5A为显示第四实施例中像素电极结构的示意图。图5B为显示图5A中电极结构于方位角0°的斜视角电压-穿透率曲线。图5C为显示图5A中电极结构于方位角90°的斜视角电压-穿透率曲线。图6A至6U为显示不同型态的像素电极图纹结构。主要元件符号说明分枝电极区A、B具体实施例方式为了改善传统技术上的问题，本专利技术提出一新的电极架构，其是针对单一显示区域进行设计，并将单一或多个显示区域组成单一像素，以获得预期的功能。本专利技术是揭示一种液晶显示装置，其至少包含一显示区域，包括有一第一基板、一第二基板、一液晶层、一第一偏光片、一第二偏光片。前述第一基板是具有一共同电极。前述第二基板是具有至少一像素单元；前述像素单元是具有一像素电极，前述像素电极是由至少一密电极区以及至少一疏电极区所组成。前述液晶层是配置于第一基板与第二基板间；于电压驱动后，前述液晶层的液晶分子将产生连续区域排列；前述第一偏光片是配置于第一基板上方；前述第二偏光片则是配置于第二基板下方，且其偏光轴与第一偏光片的偏光轴相互垂直。 前述像素电极是包括数个主枝干，每一主枝干经至少一次分枝后，形成数个分枝电极区；前述数个分枝电极区，是具有不同的电极宽度以及/或电极间隙宽度，以形成前述密电极区与疏电极区。其中，于前述每一分枝电极区内，电极可任意角度进行分枝；于实施时，也可将分属密电极区与疏电极区的分枝电极区，分别以不同角度进行分枝。此外，于前述每一分枝电极区内，电极或电极间隙的宽度可为等间距者或为不等间距；而电极宽度是介于I至5微米Um)之间。前述密电极区与疏电极区的排列，也可采用以下方式将前述密电极区围绕于疏电极区的外侧；将前述疏电极区是围绕于密电极区的外侧；或将前述疏电极区与密电极区并列于主干之间。前述第一基板与第二基板之间，也可在像素单元中心及/或四周设置凸块、凹陷或形成斜向场的电极图纹结构，以提升分子排列的稳定性。前述液晶层可使用垂直配向的掺入手性剂的负型液晶材料或垂直配向的负型液晶材料。于实施时，前述液晶层较佳掺入手性剂，并选择最佳And及d本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种液晶显示装置，至少包含一个显示区域，其特征在于，其包括 一个第一基板，其具有一个共同电极； 一个第二基板，其具有至少一个像素单元；所述像素单元具有一个像素电极，所述像素电极是由至少一个密电极区以及至少一个疏电极区所组成； 一层液晶层，其配置于第一基板与第二基板间；于电压驱动后，所述液晶层的液晶分子将产生连续区域排列； 一个第一偏光片，配置于第一基板上方； 一个第二偏光片，配置于第二基板下方，且其偏光轴与第一偏光片的偏光轴相互垂直。2.根据权利要求I所述的液晶显示装置，其特征在于，该液晶层是使用垂直配向的掺入手性剂的负型液晶材料或垂直配向的负型液晶材料。3.根据权利要求I所述的液晶显示装置，其特征在于，该像素电极是包括数个主枝干，每一个主枝干经至少一次分枝后，形成数个分枝电极区；所述数个分枝电极区，是具有不同的电极宽度以及/或电极间隙宽度，以形成所述密电极区与疏电极区。4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于，于每一个分枝电极区内，电极或电极间隙宽度为等间距。5.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：范士鸿，沈毓仁，彭政忠，
申请(专利权)人：群康科技深圳有限公司，奇美电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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