一种发光二极管封装装置，包含一基座、一发光二极管晶粒，及一封装胶，该基座包括一具有一开口的封装空间，该发光二极管晶粒固着于该基座的封装空间并在接受电能时将电能转换为光能而发光，该封装胶具有多个微图案而使经过该封装胶的光做多角度的折射，进而向外正向发出较目前发光二极管封装装置所发出的光更为均匀且柔和的光，本发明专利技术还提供该发光二极管封装装置的制作方法。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种封装装置及其制作方法，特别是涉及一种。
技术介绍
参阅图1，以往的发光二极管封装装置11包括一个基座111、一个发光二极管晶粒112，及一个封装胶113。该基座111具有一个导线架116，及一个以导线架116为骨干往上形成而具有一个 封装空间117的杯体115，该导线架116以金属材料为主所构成，具有导电的特性而可对外电连接，该导线架116的其中一部份裸露于该封装空间117的底部，该封装空间117具有一个远离该裸露于该封装空间117底部的其中一部份导线架116的开口 118。该发光二极管晶粒112固晶且电连接于该封装空间117中裸露于该杯体115外的导线架116上，而在接受电能时发光，在图I中是以金线114电连接导线架116与发光二极管晶粒112作说明。该封装胶113填置于该封装空间117中包覆该发光二极管晶粒112地封闭该开口118，而使该发光二极管晶粒112与外界隔绝，且免于受外界各种散布于环境中的水气及气体的影响而造成该发光二极管晶粒112提早老化。当外界自该基座111供电时，电能经由该基座111的导线架116传送至该发光二极管晶粒112，该发光二极管晶粒112得到电能而发出预定波长的光，发出的光穿经该封装胶113后向外发光。参阅图2，该发光二极管封装装置11的制作方法包括一个固晶步骤121，及一个胶体形成步骤122。首先，进行该固晶步骤121，将该发光二极管晶粒112位于该封装空间117中地固晶并电连接于该基座111中，该基座111是预先自该导线架116底部往上形成包覆该导线架116且让该导线架116其中一部份装置裸露于杯体115而制备。接着，进行该胶体形成步骤122，将该封装胶113封闭该开口 118地填置于该封装空间117中而包覆该发光二极管晶粒112，并使该发光二极管晶粒112与外界隔绝，而制得该发光二极管封装装置11。由于目前的发光二极管晶粒112顶面与该封装胶113顶面皆为平坦的平面，因此，该发光二极管封装装置11中自该发光二极管晶粒112产生的光直接且与该封装胶113表面呈正交地穿过该透明并可透光的封装胶113而向外发光，几乎没有改变来自该发光二极管晶粒112的光的出光角度，因此，此未经调整与修饰的光线路径易导致向外发出的光不均匀。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种提高光均匀程度的发光二极管封装装置。本专利技术的另一目的在于提供一种提高光均匀程度的发光二极管封装装置的制作方法。本专利技术发光二极管封装装置包含一个基座、一个发光二极管晶粒，及一个封装胶。该基座包括一个具有一 个开口的封装空间，该发光二极管晶粒固晶于该基座并位于该封装空间中，并供电时产生光，该封装胶填置于该封装空间中并封闭该开口，且具有一个表面，及多个形成于该表面上的微图案。较佳地，本专利技术的发光二极管封装装置，该封装胶的表面与外界接触，每一个微图案是自该表面向相反于该发光二极管晶粒的方向凸出形成，且所述微图案的间距小于20微米。较佳地，本专利技术的发光二极管封装装置，所述微图案的高度大于该发光二极管晶粒的发光波长，且小于20微米。较佳地，本专利技术的发光二极管封装装置，该封装胶包括一层透明层，及一层具有荧光粉的激发层。较佳地，本专利技术的发光二极管封装装置，该封装胶包括一个透明的胶体，及混掺于该胶体中的荧光粉。较佳地，本专利技术的发光二极管封装装置，该封装胶的表面与外界接触，每一个微图案是自该表面向该发光二极管晶粒方向凹陷形成，且所述微图案的间距小于20微米。较佳地，本专利技术的发光二极管封装装置，所述微图案的深度大于该发光二极管晶粒的发光波长，且小于20微米。此外，本专利技术发光二极管封装装置的制作方法包含一个固晶步骤、一个胶体形成步骤，及一个微图案形成步骤。该固晶步骤是将一个发光二极管晶粒固晶于一个基座，该胶体形成步骤是将一个透明且可固化的封装胶体包覆该发光二极管晶粒地填置于该基座的一个封装空间中，该微图案形成步骤是于该封装胶体表面形成多个间距小于20微米的微图案而成为一个具有微图案的封装胶，每一个微图案与该封装胶表面的落差大于该发光二极管晶粒的发光波长，且小于20微米。较佳地，本专利技术的发光二极管封装装置的制作方法，该微图案形成步骤是使用光罩并配合微影制程形成所述微图案。较佳地，本专利技术的发光二极管封装装置的制作方法，该微图案形成步骤是使用铸模并配合压印制程形成所述微图案。较佳地，本专利技术的发光二极管封装装置的制作方法，该胶体形成步骤是先用一个透明且可固化的透明层胶体包覆该发光二极管晶粒地填置于该封装空间的部份空间中，再将一可透光与固化且具有荧光粉的激发层胶体填置于其余的封装空间中。本专利技术的有益效果在于借由该封装胶的多个微图案，提供来自该发光二极管晶粒产生的光在经过该封装胶向外发光时能经所述微图案的折射而提高发光均匀度。附图说明图I是一个剖视示意图，说明以往的一种发光二极管封装装置；图2是一个流程图，说明图I所示的发光二极管封装装置的制作方法；图3是一个剖视示意图，说明本专利技术发光二极管封装装置的一个第一较佳实施例；图4是一个流程图，说明该第一较佳实施例的制作方法；图5是一个剖视示意图，说明本专利技术发光二极管封装装置的一个第二较佳实施例；图6是一个剖视示意图，说明本专利技术发光二极管封装装置的一个第三较佳实施例；图7是一个剖视示意图，说明本专利技术发光二极管封装装置的一个第四较佳实施例。具体实施例方式下面结合附图及实施例对本专利技术进行详细说明。参阅图3，本专利技术发光二极管封装装置2的一个第一较佳实施例包含一个基座21、至少一个发光二极管晶粒22，及一个封装胶23。该基座21包括一个以金属为主要材料构成并具备导电特性的导线架212，及一个自该导线架212底部往上延伸的杯体211。该杯体211包括一个具有一个开口 251向上的封装空间25，该导线架212的顶部裸露并位于该封装空间25底部。该发光二极管晶粒22固晶且电连接于该封装空间25底部裸露于外的导线架212顶部的部份区域，该发光二极管晶粒22位于该封装空间25中，并在接受电能时将电能转换为光能而发光。在该第一较佳实施例中，该发光二极管晶粒22在接受电能时将电能转换为预定波长范围为350 480nm的光。在该第一较佳实施例中，该发光二极管晶粒22是利用金线24与该导线架212电连接，但电连接方式不应以该第一较佳实施例的金线24为限制。该封装胶23填置于除设置于该导线架212上的发光二极管晶粒22外的该封装空间25的其余区域并封闭该开口 251，且包覆该发光二极管晶粒22而使其与外界隔绝，该封装胶23具有一个远离该发光二极管晶粒22并形成多个间隔排列的微图案231的表面232，每一形成于该表面232的微图案231往相反于该发光二极管晶粒22的方向凸出，所述微图案231的纵剖面为半圆形。每一微图案231的间隔距离小于20微米，若微图案231的间隔距离大于20微米，微图案231的密度会太低，导致产生光折射的效果较差。每一微图案231的高度大于该发光二极管晶粒22的发光波长，且小于20微米，若微图案231的高度小于该发光二极管晶粒22的发光波长，光会直接穿透该微图案231而无法达到光折射的功能。但若微图案231的高度高于20微米，则产生制程不易与基座设计的问题。外界的电能自该基座21的导线架2本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李宗宪，苏柏仁，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。