LED外延片非接触式测试装置制造方法及图纸

技术编号:7681803 阅读:239 留言:0更新日期:2012-08-16 05:08
本发明专利技术涉及半导体测试领域,涉及一种半导体材料的激光激发荧光与白光反射的同步测量装置,更具体的说涉及LED外延片非接触式测试装置。本发明专利技术装置包括:在支撑板(2)上固定的光谱仪(3)、收光装置(4)、激光器安装架(5)、激光器(6)、分光镜装置(7)、滤光片装置(8)、中央开孔反射镜(9)、聚光装置(10)、白光源(11)、样品(12)安装架、光路安装座(13)。本发明专利技术的优点是由于采用了上述技术方案,本发明专利技术与现有技术相比,测试效率明显提高,具有良好的经济效益。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体测试领域,涉及一种半导体材料的激光激发荧光与白光反射的同步测量装置,更具体的说涉及LED外延片非接触式测试装置
技术介绍
自上世纪六十年代以来, LED (Light Emitting Diode)以其固有的特点,如无污染、节能、耐振动、响应速度快、应用灵活等特点,正在被越来越多的用于生活的各个领域。但是,长期以来,对生产LED的基础材料半导体光电材料的检测,都没有理想的检测设备,检测能力的高低已经成为厂商生产能力的重要决定因素。鉴于此,提出一种对半导体光致发光材料的快速、有效、低成本、无损检测方法和设备,将十分迫切。随着科研人员和工程技术人员的共同努力,业内已经取得了一定的成果。对于半导体光电材料,评价其性能及了解其内部各种机理的重要手段是光致发光测试。光致发光的原理当短波长的光照射到某光致发光材料上时,处于低能级上的电子在吸收一个光子的能量后被激发到高能级。由于处于高能级的电子是不稳定的,它会向低能级跃迁并同时发出一个光子,因此当用短波照射样品时,样品会有光致发光现象;荧光的波长和强度直接与样品的能带结构和其他一些物理性质有关。虽然在外延片使用中人们利用的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郭金源徐杰
申请(专利权)人:北京中拓机械有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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