本发明专利技术提供曝光方法、曝光装置、图案形成方法及器件制造方法。向长条基板(SH)转印图案的曝光装置具备：使图案移动的工作台机构(MS)；投影光学系统(PL)，其将在第一部分区域(IR1)配置的第一部分图案的放大像以规定倍率投影到第一投影区域(ER1)，且将在与第一部分区域隔开规定的中心间隔的第二部分区域(IR2)配置的第二部分图案的放大像以规定倍率投影到第二投影区域(ER2)；移动机构(SC)，该移动机构(SC)以经由第一投影区域以及第二投影区域的方式使长条基板移动；以及调整机构(50)，该调整机构(50)基于规定倍率以及中心间隔，对从第一投影区域到第二投影区域的长条基板的基板长度进行调整。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及向具有感光性的基板转印图案的扫描曝光。本申请基于在2010年2月2日申请的美国预申请61/300，574号、以及61/300，599 号主张优先权并在此援引其全部内容。
技术介绍
作为个人计算机、电视等显示元件，多用液晶显示面板。最近，研究有通过以光刻的手法在可挠性的高分子片材(感光性基板)上对透明薄膜电极进行图案形成来制造显示面板的方法。作为在该光刻工序中使用的曝光装置，提出有将掩模的图案转印于由卷对卷 (Roll to Roll)输送的带状的感光性基板的曝光装置(以下，称为卷对卷型曝光装置)的方案(例如，参照专利文献I)。专利文献I :日本特开2007-114385号公报在卷对卷型曝光装置中，谋求实现向带状的感光性基板(即长条基板)进行图案的转印所涉及的生产率的提高。
技术实现思路
本专利技术的方式的目的在于提供一种能够在应用于向由例如卷对卷输送的长条基板的扫描曝光时实现扫描曝光所涉及的生产率的提高的。根据本专利技术的第一方式，提供一种曝光方法，该曝光方法将在第一面配置的图案的像投影到长条基板并向该长条基板转印上述图案，上述曝光方法的特征在于所述曝光方法包括使上述图案沿着上述第一面朝第一方向移动；将上述图案中的在上述第一面的第一部分区域配置的第一部分图案的放大像以规定倍率投影到第一投影区域；将上述图案中的在从上述第一部分区域沿上述第一方向隔开规定的中心间隔的第二部分区域配置的第二部分图案的放大像，以上述规定倍率投影到与上述第一投影区域不同的第二投影区域；与上述图案朝上述第一方向的移动同步，以经由上述第一投影区域以及上述第二投影区域的方式使上述长条基板沿该长条基板的长边方向移动；基于上述规定倍率以及上述中心间隔，设定上述图案沿着上述第一方向的图案长度、与从上述第一投影区域到上述第二投影区域的上述长条基板的基板长度的至少一方。根据本专利技术的第二方式，提供一种曝光装置，该曝光装置将在第一面配置的图案的像投影到长条基板并向该长条基板转印上述图案，上述曝光装置的特征在于，上述曝光装置具备工作台机构，该工作台机构使上述图案沿着上述第一面朝第一方向移动；投影光学系统，该投影光学系统将上述图案中的在上述第一面的第一部分区域配置的第一部分图案的放大像以规定倍率投影到第一投影区域，并且将上述图案中的在从上述第一部分区域沿上述第一方向隔开规定的中心间隔的第二部分区域配置的第二部分图案的放大像以上述规定倍率投影到与上述第一投影区域不同的第二投影区域；移动机构，该移动机构与上述图案朝上述第一方向的移动同步，以经由上述第一投影区域以及上述第二投影区域的方式使上述长条基板沿该长条基板的长边方向移动；以及调整机构，该调整机构基于上述规定倍率以及上述中心间隔，对从上述第一投影区域到上述第二投影区域的上述长条基板的基板长度进行调整。根据本专利技术的第三方式，提供一种器件制造方法，其特征在于， 上述器件制造方法包括使用第一方式所涉及的曝光方法，将上述图案转印于上述长条基板的工序；以及对转印了上述图案的上述长条基板进行处理的工序。根据本专利技术的第四方式，提供的一种器件制造方法，其特征在于，上述器件制造方法包括使用第二方式所涉及的曝光装置，将上述图案转印于上述长条基板的工序；以及对转印了上述图案的上述长条基板进行处理的工序。根据本专利技术的第五方式，提供一种图案形成方法，该图案形成方法在长条基板上沿该长条基板的长边方向形成多个图案区域，上述图案形成方法的特征在于，上述图案形成方法包括使上述长条基板朝上述长边方向的一方侧移动；以及在朝上述长边方向的一方侧移动的上述长条基板依次形成第一图案区域以及第二图案区域；对于上述第一图案区域与上述第二图案区域，在上述长边方向的区域长度和与上述长边方向正交的宽度方向的区域宽度的至少一方相互不同。根据本专利技术的第六的方式，提供一种器件制造方法，其特征在于，上述器件制造方法包括使用第一方式所涉及的图案形成方法，将上述图案区域形成于上述长条基板的工序；以及对形成了上述图案区域的上述长条基板进行处理的工序。根据本专利技术的一个方式，能够并列地进行基于第一投影区域的扫描曝光与基于第二投影区域的扫描曝光，进而能够实现扫描曝光所涉及的生产率的提高。特别是，通过基于第一部分区域与第二部分区域之间的中心间隔以及投影倍率，对从第一投影区域到第二投影区域的长条基板的基板长度进行调整(设定)，能够在沿规定的路径持续移动的长条基板上，连续重复地形成基于第一投影区域的扫描曝光的第一转印图案与基于第二投影区域的扫描曝光的第二转印图案，或者隔开间隔地形成多个第一转印图案与第二转印图案。另外，根据本专利技术的一个方式，能够并列地进行基于第一区域(第一投影区域)的扫描曝光与基于第二区域(第二投影区域)的扫描曝光，进而能够实现扫描曝光所涉及的生产率的提高。特别是，通过将形成第一图案区域(第一转印图案区域)时的基板长度与形成第二图案区域(第二转印图案区域)时的基板长度设定为相互不同的长度，能够依次形成区域长度相互不同的两个转印图案区域。附图说明图I图2图3图4图5图6图7图8图9图10图11图12图13图14图15图16 样子的图。图17图18图19图20图21图22图23图24图25图26图27图28图29图30图31图32图33 的布局的图。是简要示出本专利技术的第一实施方式所涉及的曝光装置的结构的图。是简要示出第一实施方式中掩模的结构的图。是对第一扫描曝光例进行说明的图。是简要示出多个拍摄区域隔开间隔而交替形成的样子的图。是对第二扫描曝光例进行说明的图。是简要示出多个拍摄区域不隔开间隔而连续形成的样子的图。是对第三扫描曝光例进行说明的图。是简要示出在第三扫描曝光例中能够使用的一对浓度滤光片的图。是简要示出本专利技术的第二实施方式所涉及的曝光装置的结构的图。是对第四扫描曝光例进行说明的图。是对第五扫描曝光例进行说明的图。是对第六扫描曝光例进行说明的图。是简要示出本专利技术的第三实施方式所涉及的曝光装置的结构的图。是简要示出本专利技术的第四实施方式所涉及的曝光装置的结构的图。是简要示出本专利技术的第五实施方式所涉及的曝光装置的结构的图。是示出第五实施方式中依次形成区域长度相互不同的两个转印图案区域的是简要示出第一实施方式的变形例所涉及的曝光装置的结构的图。是简要示出第二实施方式的变形例所涉及的曝光装置的结构的图。是简要示出第三实施方式的变形例所涉及的曝光装置的结构的图。是简要示出第四实施方式的变形例所涉及的曝光装置的结构的图。是简要示出在第七扫描曝光例中使用的掩模的结构的图。是对第七扫描曝光例进行说明的第一图。是对第七扫描曝光例进行说明的第二图。是对第七扫描曝光例进行说明的第三图。是对第七扫描曝光例进行说明的第四图。是对第七扫描曝光例进行说明的第五图。是对第七扫描曝光例进行说明的第六图。是对第七扫描曝光例进行说明的第七图。是对第七扫描曝光例进行说明的第八图。是对第七扫描曝光例进行说明的第九图。是对第七扫描曝光例进行说明的第十图。是简要示出由第七扫描曝光例形成的拍摄区域的图。是简要示出在电子显示器件的制造中应用各扫描曝光例而得到的曝光单位9图34是对多扫描曝光例进行说明的图。图35是简要示出在多扫描曝光例中使用的掩模的结构的图。图36是示出半导体器件的制造工序的流程图。图本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：木内彻，水谷英夫，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：
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