一种高纯度磷化铟多晶棒的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高纯度磷化铟多晶棒的制备方法，其步骤如下：在高压炉中设置坩埚，将高纯度铟置于坩埚中，高纯度无水氧化硼覆盖在高纯度铟之上；将高纯度磷蒸汽注入熔化的高纯度铟中，在高纯度无水氧化硼覆盖下，直接合成磷化铟；用引上杆将磷化铟多晶从磷化铟熔体中以棒状形状引出，高温时粘稠的氧化硼粘覆在多晶棒表面，防止了磷化铟多晶棒在高温下分解，保证了磷化铟中磷和铟的化学计量比。本发明专利技术是吸收了注入法的优点而发展的新型合成法，克服了磷泡易炸的工艺难题和化学计量比的问题，同时引入了磷化铟进一步提纯的工艺，可以稳定地生产优质磷化铟多晶棒。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高纯度磷化铟的制备方法，尤其涉及一种高纯度磷化铟多晶棒的注入引上制备方法。
技术介绍
磷化铟是继硅、砷化镓之后，新一代的电子功能材料，是比砷化镓更为优越的半导体材料，是制备LED、用于光纤通信系统的p-i-n探测器、抗辐射、高转换率的太阳能电池、光电集成电路、微波、高频、高速器件、转移电子效应器件、连续波器件、耿氏器件等方面的前途广阔的重要材料。磷化铟单晶的质量，很大程度上取决于多晶的质量。磷化铟的熔点高达1335±7K，在熔点时，磷化铟要发生分解，为了防止磷化铟的分解，必须置于有27. 5大气压(2. 75MPa)的磷蒸汽的环境中，但这么高的温度和如此高的磷蒸汽压，实际上是不可能精确控制的；所以用直接合成并拉制的磷化铟单晶是无法实现化学计量比的。可见，先合成具有化学计量比的优质磷化铟多晶是非常重要的。合成磷化铟多晶的方法有高压布里奇曼法(HPHB)、高压温度梯度凝固法(HPGF)、溶液扩散法(SSD)，液态磷覆盖法(LPC)和磷蒸汽注入合成法(PVIJ)。其中有应用价值的只有HPHB和PVIJ两种方法。HPHB法是目前生产磷化铟多晶的主流工艺，但因合成时间长，受本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：范家骅，刘文兵，杜万毅，黄殿军，
申请(专利权)人：南京金美镓业有限公司，
类型：发明
国别省市：