一种高纯度、高性能钛硅碳陶瓷块体材料及其制备方法技术

技术编号:9251551 阅读:240 留言:0更新日期:2013-10-16 18:37
一种高纯度、高性能钛硅碳陶瓷块体材料及其制备方法,以Ti粉、Si粉、C粉、Al粉(或以TiC粉、Ti粉、Si粉、Al粉)为原料,进行球磨混合,经冷等静压成型或模压成型,成型压力100~300MPa;将压坯装入内表面喷涂一层六方BN、Al2O3或ZrO2保护层的包套内,然后进行热等静压处理,压力50~200MPa,温度1200℃~1600℃,保温0.5~8小时;将制件表面的包套材料剥离后,即得钛硅碳陶瓷块体材料。该方法制备的产物中钛硅碳相含量在98%以上,材料致密度99%以上,抗压强度900MPa以上,抗弯强度500MPa以上,断裂韧性大于8MPa·m1/2。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高纯度、高性能钛硅碳陶瓷块体材料的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:A.配料:以TiC粉、Ti粉、Si粉和Al粉为原料按以下摩尔比进行配料,TiC∶Ti∶Si∶Al=2∶1∶(0.9~1.0)∶(0.1~0.25);或以C粉、Ti粉、Si粉和Al粉为原料按以下摩尔比进行配料,Ti∶C∶Si∶Al=3∶2∶(0.9~1.0)∶(0.1~0.25);B.粉料制备:将上述配料球磨混合5~20小时;C.成型:将步骤B制备的粉体进行冷等静压成型或模压成型,成型压力100~300MPa;D.热等静压:将步骤C中压制的压坯装入包套内,然后对包套进行抽气、封焊,将封焊好的包套放入热等静压机进行热等静压处理,压力50~200MPa,温度1200℃~1600℃,保温0.5~8小时;E.去除包套:将上述热等静压处理后制件表面的包套材料剥离后,即得钛硅碳陶瓷块体材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:林同伟熊宁陈飞雄孙继洲
申请(专利权)人:安泰科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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