【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及粉末冶金制备，特别涉及一种铼板的制备方法。
技术介绍
1、铼是一种稀少、难熔金属。铼是高熔点金属，具有较高的硬度、机械强度和电阻率，广泛应用于航空航天、半导体、电子等行业。
2、专利108296487b公开了一种纯铼板的制备方法，该方法使用纯度≥99.99％纯铼粉做为原材料，采用热等静压的方式实现材料的致密化，并通过冷变形轧制的过程获得纯铼板，热等静压过程粉末需要加包套，在去除包套的过程中会损失较多的铼，而铼比较贵，热等静压的单炉成本也非常高。专利108160995b公开了一种纯铼制品的制造方法，该方法包括铼粉预处理、压制成型、脱蜡、预烧结、包套、热等静压、去包套和高温烧结等工序，制备出大尺寸纯铼棒和块等产品。专利cn200710179262.9公开了一种难变形纯铼片的制造方法。该方法用经过预处理的高纯铼酸铵，二阶段还原，经成形、烧结，采用冷轧和退火制备出铼片。专利cn201610684931.7公开了一种超薄高纯铼箔的制造方法，包括将高纯铼粉进行球化处理，使用粉末轧机轧制压坯，经过高温烧结和连续化轧制及退火制备铼箔。
3、常规的金属铼制品通常采用粉末冶金工艺制备，如上述列举的几个专利中通过采用高纯的原料粉末以获得高纯铼制品，制备过程对材料几乎没有提纯效果。同时常规的粉末冶金工艺无法获得致密的铼坯料，只能通过后期的热等静压、变形加工等外部作用力的方式使的铼制品致密，但也无法达到金属铼的理论密度，一般只可以达到理论密度的98％左右。
4、有鉴于此，特提出本专利技术。
>技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种铼板的制备方法，通过该制备方法制得的铼板纯度≥99.99％，密度达到理论密度21.04g/cm3。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：
3、一种铼板的制备方法，包括如下步骤：
4、s1，制备真空电子束熔炼电极；
5、s2，对步骤s1制得的熔炼电极进行两次真空电子束熔炼，获得纯铼金属锭；
6、s3，将步骤s2得到的纯铼金属锭打磨后进行线切割，得到铼片；
7、s4，对步骤s3得到的铼片进行轧制处理，获得所需规格的铼板。
8、进一步地，所述步骤s1中，制备真空电子束熔炼电极具体包括以下步骤：
9、s1-1，将粉末纯度≥99％的铼金属粉装入模具中进行压制成型处理，得到纯铼坯料；
10、s1-2，所述纯铼坯料经高温烧结获得初步致密化的纯铼烧结坯料，所述纯铼烧结坯料为真空电子束熔炼电极。
11、进一步地，所述步骤s1-1中，压制成型处理为冷等静压成型处理，成型压力为60-100mpa，成型时间为3-5min；
12、和/或，所述步骤s1-1中，在冷等静压成型处理前先对铼金属粉振动压实，振动频率为40-80次/min。
13、进一步地，所述步骤s1-2中，高温烧结的烧结温度为2000～2300℃，烧结时间为4～8h；
14、和/或，在氢气气氛或真空氛围下进行烧结；
15、和/或，所述步骤s1-2中，得到的纯铼烧结坯料的密度为18～20g/cm3；
16、和/或，所述真空电子束熔炼电极的直径尺寸为20～100mm，长度≥200mm。
17、进一步地，所述步骤s2中，第一次真空熔炼的速度为50～70kg/h，第二次真空熔炼的速度为20～30kg/h；
18、和/或，熔炼功率160-200kw，熔炼真空度≥5×10-3pa；
19、和/或，所述步骤s2得到的纯铼金属锭的密度达到理论密度21.04g/cm3。
20、进一步地，所述步骤s3中，打磨的方式包括砂轮打磨或车床加工方式。
21、进一步地，所述步骤s4中，轧制处理具体包括在常温下对所述铼片进行多道次冷轧处理，在所述多道次的冷轧变形过程中，对轧坯进行至少两次的退火处理。
22、进一步地，所述步骤s4中，单次轧制变形量≤20％；
23、和/或，所述步骤s4中，退火温度为1300～1800℃，退火时间为1-2h。
24、除此之外，本专利技术还提供了一种铼板，所述铼板由上述的铼板的制备方法制成。
25、进一步地，所述铼板的纯度≥99.99％，密度为21.04g/cm3。
26、与现有技术相比，本专利技术的技术方案至少具有以下技术效果：
27、本专利技术的铼板的制备方法中通过将制得的纯铼烧结坯料作为真空电子束熔炼电极进行两次真空电子束熔炼，最终得到的铼板纯度≥99.99％，密度达到理论密度21.04g/cm3，材料利用率(熔炼后重量/投料重量)可以达到98％以上。
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1.一种铼板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的铼板的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，制备真空电子束熔炼电极具体包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的铼板的制备方法，其特征在于，所述步骤S1-1中，压制成型处理为冷等静压成型处理，成型压力为60-100MPa，成型时间为3-5min；
4.根据权利要求2所述的铼板的制备方法，其特征在于，所述步骤S1-2中，高温烧结的烧结温度为2000～2300℃，烧结时间为4～8h；
5.根据权利要求1所述的铼板的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，第一次真空熔炼的速度为50～70kg/h，第二次真空熔炼的速度为20～30kg/h；
6.根据权利要求1所述的铼板的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，打磨的方式包括砂轮打磨或车床加工方式。
7.根据权利要求1所述的铼板的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，轧制处理具体包括在常温下对所述铼片进行多道次冷轧处理，在所述多道次的冷轧变形过程中，对轧坯进行至少两次的退火处理。
8.根
9.一种铼板，其特征在于，所述铼板由权利要求1-8任一项所述的铼板的制备方法制成的。
10.根据权利要求9所述的铼板，其特征在于，所述铼板的纯度≥99.99％，密度为21.04g/cm3。
...【技术特征摘要】
1.一种铼板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的铼板的制备方法，其特征在于，所述步骤s1中，制备真空电子束熔炼电极具体包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的铼板的制备方法，其特征在于，所述步骤s1-1中，压制成型处理为冷等静压成型处理，成型压力为60-100mpa，成型时间为3-5min；
4.根据权利要求2所述的铼板的制备方法，其特征在于，所述步骤s1-2中，高温烧结的烧结温度为2000～2300℃，烧结时间为4～8h；
5.根据权利要求1所述的铼板的制备方法，其特征在于，所述步骤s2中，第一次真空熔炼的速度为50～70kg/h，第二次真空熔炼的速度为20～30...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈福鸽，董帝，熊宁，刘洁，付立伟，尹志锋，
申请(专利权)人：安泰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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