【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
石墨烯是构成碳纳米管、富勒烯及石墨块材料等的基本单元。它的迷人之处不仅在于证明了单原子层二维结构的存在,同时还在于其所拥有的优异的机械、电学、光学及化学性能,在微电子学、复合材料、透明导电膜及能量储存等领域均具有广泛的应用前景。自 2004年安德烈· K ·海姆(Andre Geim)教授和科斯佳.诺沃谢洛夫(Kostya Novoselov) 研究员首次制备出石墨烯以来,许多物理、化学方法被用来制备高质量的石墨烯材料。目前化学气相沉积法是制备大面积高质量石墨烯的主要方法,原因在于其低成本,易操作等优点。近年来,人们在金、钼、铜、铁、钴、镍、二氧化硅等金属及非金属上制备了高质量的石墨烯。同时科学家们为了改变石墨烯的电学性能,对石墨烯进行了掺氮处理以便得到氮掺杂石墨烯。目前得到氮掺杂石墨烯的方法主要有溶剂热法、电弧法及化学气相沉积法等。其中化学气相沉积法制备氮掺杂石墨烯主要是在制备过程中通入氨气作为氮源或是用固态氮源旋涂于基底的表面。(Qu,L. ;Liu,Y. ;Baek, J. -B. ;Dai,L. ACS Nano 2010,4 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:刘云圻,薛运周,武斌,黄丽平,陈建毅,耿德超,于贵,
申请(专利权)人:中国科学院化学研究所,
类型:发明
国别省市:
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