一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法技术

一种具有高锗组分的锗硅沟道的PMOS的制备方法，属于半导体器件领域，尤其涉及一种提高锗硅(SiGe)PMOS沟道中锗(Ge)组分的方法，来提高器件性能。它的特征是利用氮化硅(SiN)薄膜在硅(Si)中引入应变形成应变硅(Si)，并利用浅槽隔离区(缩写为STI)记忆应变硅(Si)中的应变，然后去掉氮化硅(SiN)薄膜，最后在该应变硅(Si)上外延锗(Ge)组分较高的锗硅(SiGe)层作为沟道，在上制作晶体管。本发明专利技术工艺简单，与传统的MOS工艺兼容，成本较低，沟道中Ge组分提高明显，不仅适用于90内米工艺节点以下的小尺寸器件，还可以推至0.13微米以上的较大尺寸的器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件领域，尤其涉及ー种提高锗硅(SiGe)PMOS器件沟道中锗 (Ge)组分的方法，来提高器件性能。
技术介绍
在现代半导体技术中，提高半导体器件的性能是ー个很重要的课题。提高载流子迁移率是提高半导体器件的驱动电流的有效措施之一，而载流子迁移率的提高可以通过在沟道中引入应变来实现。在应变硅技术中，MOS晶体管(有时叫MOS管或MOS器件)沟道区的张应カ能够提升电子的迁移率，压应カ能够提升空穴的迁移率。一般而言，在N型金属氧化物半导体场效应管(NM0SFET，也叫NM0S)的沟道区引入张应カ来提升NMOS器件的性能，在P型金属氧化物半导体场效应管(PM0SFET，也叫PM0S)的沟道区引入压应カ来提升PMOS志的性能。对于PMOS而言，由于Ge原子的晶格常数比Si原子大,在Si衬底上外延一层SiGe 层时，就在SiGe层中引入了压应力，通常利用这层具有压应カ的SiGe层作为PMOS的沟道； 从另一方面来说，和硅相比，锗材料具有更高的载流子迁移率，所以，SiGe沟道中压应カ越大，Ge组分越大，对器件性能的提高越有利。但是，当Ge组分过高吋，SiGe层中会因严重的晶格本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王向展，王微，曾庆平，罗谦，郑良辰，刘斌，甘程，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：