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一种具有高锗组分的锗硅沟道的PMOS的制备方法，属于半导体器件领域，尤其涉及一种提高锗硅(SiGe)PMOS沟道中锗(Ge)组分的方法，来提高器件性能。它的特征是利用氮化硅(SiN)薄膜在硅(Si)中引入应变形成应变硅(Si)，并利用浅槽隔...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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